爾必達(dá)

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

韓媒稱海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順

據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會更快完成

半導(dǎo)體
2011-06-07

半導(dǎo)體海力士爾必達(dá) DRAM
芯片巨頭強(qiáng)者恒強(qiáng) 持續(xù)整合改寫格局

芯片巨頭強(qiáng)者恒強(qiáng) 持續(xù)整合改寫格局

嵌入式動態(tài)
2011-06-06

芯片芯片廠商 BSP 爾必達(dá)
傳海力士30奈米制程遇瓶頸　恐動搖市場地位

據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，全球主要DRAM記憶體晶片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30奈米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會更快完成

模擬
2011-06-02

晶片海力士爾必達(dá) DRAM
搶攻3D芯片市場爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作

看好3D市場，DRAM大廠爾必達(dá)日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā)；爾必達(dá)表示，三方還將針對3D IC整合技術(shù)、28納米先進(jìn)制程TSV（Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔）進(jìn)行開發(fā)

消費(fèi)電子
2011-06-02

芯片市場聯(lián)電電力爾必達(dá)
芯片巨頭強(qiáng)者恒強(qiáng) 持續(xù)整合改寫格局

市場調(diào)研公司ICInsights日前公布了2011年第一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商排名，英特爾仍然保持霸主地位，并且擴(kuò)大了與排名第二的三星電子的優(yōu)勢。其第一季度的芯片銷售收入為95億美元，比三星電子71億美元的芯片銷售收入高出44

模擬
2011-06-01

芯片芯片廠商美光爾必達(dá)
搶攻3D芯片市場爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作

看好3D市場，DRAM大廠爾必達(dá)日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā)；爾必達(dá)表示，三方還將針對3DIC整合技術(shù)、28納米先進(jìn)制程TSV（Through-SiliconVia,直通硅晶穿孔）進(jìn)行開發(fā)與商

模擬
2011-06-01

芯片市場聯(lián)電電力爾必達(dá)
搶攻3D芯片市場爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作

看好3D市場，DRAM大廠爾必達(dá)日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā)；爾必達(dá)表示，三方還將針對3D IC整合技術(shù)、28納米先進(jìn)制程TSV（Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔）進(jìn)行開發(fā)

智能硬件
2011-06-01

芯片市場聯(lián)電電力爾必達(dá)
爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

看好3D市場，DRAM大廠爾必達(dá)日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā);爾必達(dá)表示，三方還將針對3D IC整合技術(shù)、28納米先進(jìn)制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進(jìn)行開發(fā)與商

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-06-01

聯(lián)電電力爾必達(dá) DRAM
力成/爾必達(dá)/聯(lián)電攜手卡位3D晶片技術(shù)

力成(6239)、爾必達(dá)(916665)與聯(lián)電(2303)宣布三方將攜手合作，針對28奈米及以下制程，提升3D IC的整合技術(shù)。力成對于3D IC布局動作快速，已規(guī)劃成立新竹廠，并將于第三季進(jìn)入試產(chǎn)階段，希望可以成為市場技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠

模擬
2011-05-31

晶片聯(lián)電封裝技術(shù) 爾必達(dá)
急單到存儲器封測廠本季展望

存儲器大廠爾必達(dá)（916665）、力晶及南科等本季積極提升DRAM產(chǎn)能，后段封測協(xié)力廠力成、華東等急單涌入，5月營收大幅增溫，7月可望回復(fù)歷史高峰。日本強(qiáng)震一度為半導(dǎo)體封測業(yè)帶來不小沖擊，除了主要矽晶圓短缺，

模擬
2011-05-30

存儲器 MOBILE 爾必達(dá) DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績，其

智能硬件
2011-05-26

美光 40納米爾必達(dá) DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績，其它

模擬
2011-05-26

美光 40納米爾必達(dá) DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高　占市場優(yōu)勢

據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者在衡量記憶體晶片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40奈米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使南韓企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績，其他

模擬
2011-05-25

美光海力士爾必達(dá) DRAM
爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

日本爾必達(dá)存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日元）來應(yīng)對

模擬
2011-05-23

嵌入式 5NM 爾必達(dá) DRAM
爾必達(dá)5月量產(chǎn)新一代30納米產(chǎn)品

日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)宣布預(yù)計(jì)在2011年5月量產(chǎn)最先進(jìn)的30納米制程DRAM，而此款30納米制程講求低耗電，適合用于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動裝置，以及目前最熱門的云端運(yùn)算市場。爾必達(dá)在2010年9月完成30納

消費(fèi)電子
2011-05-23

平板計(jì)算機(jī) 晶圓廠爾必達(dá)
爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

日本爾必達(dá)存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日

智能硬件
2011-05-23

嵌入式 5NM 爾必達(dá) DRAM
茂德將出售重慶8英寸芯片廠緩解資金不濟(jì)

近日臺系DRAM廠茂德董事會通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技，全力將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠命脈；茂德指出，規(guī)劃將出售范圍是渝德科技、8寸晶圓廠，至于建筑物和土地仍是屬于重慶市政府，處分后至少暫

消費(fèi)電子
2011-05-20

芯片廠晶圓廠英寸芯爾必達(dá)
茂德計(jì)劃出售在重慶的8英寸芯片工廠

據(jù)了解，臺系DRAM廠茂德由于資金緊張，日前董事會通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技，目的是將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠。茂德旗下重慶渝德廠，是臺灣第2家獲準(zhǔn)赴大陸成立的晶圓廠，當(dāng)初由重慶政

消費(fèi)電子
2011-05-20

芯片晶圓廠英寸芯爾必達(dá)
茂德計(jì)劃出售在重慶的8英寸芯片工廠

據(jù)了解，臺系DRAM廠茂德由于資金緊張，17日董事會通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技，目的是將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠。茂德旗下重慶渝德廠，是臺灣第2家獲準(zhǔn)赴大陸成立的晶圓廠，當(dāng)初由重慶政府提供土

模擬
2011-05-20

芯片晶圓廠英寸芯爾必達(dá)
茂德計(jì)劃出售在重慶的8英寸芯片工廠

據(jù)了解，臺系DRAM廠茂德由于資金緊張，17日董事會通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技，目的是將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠。茂德旗下重慶渝德廠，是臺灣第2家獲準(zhǔn)赴大陸成立的晶圓廠，當(dāng)初由重慶政府提供土

模擬
2011-05-20

芯片晶圓廠英寸芯爾必達(dá)

首頁上一頁 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 下一頁尾頁

爾必達(dá)

韓媒稱海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順

芯片巨頭強(qiáng)者恒強(qiáng) 持續(xù)整合改寫格局

傳海力士30奈米制程遇瓶頸　恐動搖市場地位

搶攻3D芯片市場爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作

芯片巨頭強(qiáng)者恒強(qiáng) 持續(xù)整合改寫格局

搶攻3D芯片市場爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作

搶攻3D芯片市場爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作

爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

力成/爾必達(dá)/聯(lián)電攜手卡位3D晶片技術(shù)

急單到存儲器封測廠本季展望

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

韓DRAM微細(xì)制程比重高　占市場優(yōu)勢

爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

爾必達(dá)5月量產(chǎn)新一代30納米產(chǎn)品

爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

茂德將出售重慶8英寸芯片廠緩解資金不濟(jì)

茂德計(jì)劃出售在重慶的8英寸芯片工廠

茂德計(jì)劃出售在重慶的8英寸芯片工廠

茂德計(jì)劃出售在重慶的8英寸芯片工廠

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻