-
東芝宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1規(guī)范的嵌入式閃存，Q3大規(guī)模出貨！
東芝在其官網(wǎng)宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1規(guī)范的嵌入式閃存，并計劃在下月向大客戶發(fā)送樣品，以便在今年第三季度大規(guī)模出貨。據(jù)悉，東芝JEDEC eMMC 5.1嵌入式閃存使用的是BiCS Fl
-
貿(mào)澤開售SanDisk iNAND 8251 嵌入式閃存 為移動AR和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供高效存儲
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起備貨SanDisk的 iNAND® 8521嵌入式閃存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技術(shù)和UFS 2.1快速接口，具有出眾的讀寫性能，可為大多數(shù)輕薄型計算設(shè)備和數(shù)據(jù)密集型移動設(shè)備提供存儲解決方案。
-
關(guān)于嵌入式閃存，你所不了解的那些事兒
多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場的年收入已經(jīng)超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的
-
東芝推出基于ARM Cortex-M3微控制器
東芝公司旗下半導(dǎo)體與存儲產(chǎn)品公司今日宣布推出TXZ™系列的第一組產(chǎn)品—基于ARM Cortex-M3內(nèi)核的M3H族微控制器，這一新系列產(chǎn)品采用基于65納米邏輯工藝的嵌入式閃存工藝制造。
-
Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽車級55nm嵌入式閃存技術(shù)已獲認證
· SST SuperFlash®技術(shù)與GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx完美結(jié)合，實現(xiàn)低功耗、低成本、高可靠性、優(yōu)異數(shù)據(jù)保存性能和高耐用性兼具的卓越客戶解決方案· 通過硅驗證的優(yōu)化閃存IP模塊廣泛適用于各種應(yīng)用
-
ST推出業(yè)內(nèi)首款90nm技術(shù)嵌入式閃存的微控制器
日前，意法半導(dǎo)體(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列處理器內(nèi)核的微控制器研發(fā)項目上取得突破，推出全球業(yè)內(nèi)首款采用90nm技術(shù)嵌入式閃存的微控制器。目前幾乎沒有幾家公司研制
-
嵌入式閃存成就MAX 10 FPGA的系統(tǒng)價值
30年的低成本創(chuàng)新中國有句俗話叫“30年河東，30年河西”，Altera在1984年發(fā)布了第一款非易失PLD EP300器件，30年間，可編程器件在性能上不斷發(fā)展甚至挑戰(zhàn)摩爾定律，工藝技術(shù)也有了長足的進步，電子設(shè)計領(lǐng)
-
賽普拉斯和華力微電子展示可工作的采用55納米嵌入式閃存IP的硅光電池
21ic訊 嵌入式非易失性存儲器解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司，與中國最先進的專業(yè)晶圓代工廠上海華力微電子公司(HLMC)日前共同宣布，雙方基于賽普拉斯55納米工藝節(jié)
-
賽普拉斯向UMC授權(quán)55納米嵌入式閃存技術(shù)
嵌入式非易失性存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(紐交所代號 UMC， 臺灣證券交易所代號 TWSE： 2303)日前聯(lián)合宣布，UMC獲得了賽
-
華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝發(fā)展取得進一步成果
【導(dǎo)讀】華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝發(fā)展取得進一步成果 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）今天宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計公司的合作順利進行。基于華虹NEC的0
-
Altera公司與臺積公司在55納米嵌入式閃存工藝技術(shù)領(lǐng)域展開合作
【導(dǎo)讀】日前，北京 — Altera公司 (NASDAQ: ALTR)與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 (EmbFlash) 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車
-
Altera將采用臺積公司55納米嵌入式閃存工藝生產(chǎn)器件
【導(dǎo)讀】Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。 摘要： Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生
-
英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40納米嵌入式閃存工藝建立開發(fā)和生產(chǎn)展開合作
【導(dǎo)讀】2013年5月2日，德國紐必堡/德累斯頓與新加坡訊——英飛凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝，簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方
-
飛索整合富士通資源 加速嵌入式閃存MCU研發(fā)
【導(dǎo)讀】飛索(Spansion)預(yù)定于2013年7～9月，完成富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模擬及混合信號部門購并，未來將加速整合該部門技術(shù)資源，以及自家的嵌入式電荷擷取(eCT)閃存技術(shù)，全力加速嵌入
-
宏力半導(dǎo)體系列嵌入式閃存工藝全線量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。目前，宏力
-
安富利和閃迪聯(lián)手提供創(chuàng)新商用閃存存儲解決方案
全球閃存存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者閃迪公司和全球領(lǐng)先技術(shù)經(jīng)銷商安富利公司(Avnet) 日前宣布，安富利將通過安富利電子營銷和安富利科技有限公司，為北美洲、歐洲、中東和非洲 (EMEA)、亞太和拉丁美洲1客戶提供范圍廣泛的閃
-
100萬次擦寫！三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎(chǔ)。三星宣稱，基于其45nm e
-
全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬次擦寫！
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎(chǔ)。三星宣稱，基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性
-
英飛凌與GF合作開發(fā)40nm嵌入式閃存工藝
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝，簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計以及采用40納米工藝制造汽車單片機和安全微
-
英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40納米嵌入式閃存工藝展開合作
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計以及采用40納米工藝制造汽車單片機
