TSMC27日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán),是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識產(chǎn)權(quán),適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。TSMC0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán)與0.25微米嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán)相較,
TSMC 27日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán),是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識產(chǎn)權(quán),適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán)與0.25微米嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán)相較
隨著景氣復(fù)蘇,汽車電子產(chǎn)業(yè)恢復(fù)活絡(luò)景況,IC業(yè)者持續(xù)耕耘商機潛力十足的汽車電子領(lǐng)域。著眼于此,臺積電近年來亦持續(xù)發(fā)展相關(guān)制程,并略有斬獲。該公司宣布符合汽車電子的0.25微米嵌入式閃存制程,累積出貨量已達到
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一, 開發(fā)了其針對不同應(yīng)用的多樣化設(shè)計方案。基于該設(shè)計方案,客戶可在宏力半導(dǎo)體經(jīng)過硅驗證的技術(shù)平臺上進行設(shè)計,從而更為有
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器(MCU)芯片將采用這項先進技術(shù)。目前,意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術(shù)的升級換代工作
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器(MCU)芯片將采用這項先進技術(shù)。目前,意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術(shù)的升級換代工作
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器(MCU)芯片將采用這項先進技術(shù)。目前,意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術(shù)的升級換代工作
編者點評(莫大康 SEMI China顧問):宏力作為中國一家著名的8英寸代工廠,由于未上市,之前對于它的了解有點不足。今天通過EE Times歐洲采訪到其首席運營官烏里斯舒馬赫。通過它的直言我們對于宏力有了一些新的認(rèn)識
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司共同宣布,雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作,攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項協(xié)議,英飛凌與臺積
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司日前共同宣布,雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作,攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項協(xié)議,英飛凌與
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布,雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作,攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項協(xié)議,英飛凌與臺積
國內(nèi)知名的晶圓代工廠上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體) 日前在上海總部舉辦了自2003年投片生產(chǎn)以來的首次技術(shù)論壇。此次論壇得到了宏力半導(dǎo)體客戶的積極支持,不僅上??蛻糅x躍參加,更有多家北京、深圳和華
國內(nèi)知名的晶圓代工廠上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體) 日前在上??偛颗e辦了自2003年投片生產(chǎn)以來的首次技術(shù)論壇。此次論壇得到了宏力半導(dǎo)體客戶的積極支持,不僅上??蛻糅x躍參加,更有多家北京、深圳和華
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。 宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身