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宏力半導(dǎo)體高低端MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 （宏力半導(dǎo)體），宣布其專為微控制器（MCU）開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash （嵌入式閃存）以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的
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宏力半導(dǎo)體高低端MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 （宏力半導(dǎo)體），宣布其專為微控制器（MCU）開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash （嵌入式閃存）以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的
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宏力半導(dǎo)體高/低端MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的OTP技
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宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)MCU代工技術(shù)
專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造一直是宏力半導(dǎo)體的公司戰(zhàn)略方向。近日宏力宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPR
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做特色代工 宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)MCU代工技術(shù)
專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造一直是宏力半導(dǎo)體的公司戰(zhàn)略方向。近日宏力宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPR
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宏力半導(dǎo)體MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌
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Cypress簽署寅通科技推展SONOS嵌入式閃存記憶體解決方案
關(guān)鍵字： SONOS 嵌入式閃存 NVM 賽普拉斯半導(dǎo)體公司于日前宣布，該公司已授權(quán)寅通科技股份有限公司(Innopower
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賽普拉斯授權(quán)寅通科技嵌入式閃存IP技術(shù)
21ic訊 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,該公司已授權(quán)寅通科技股份有限公司(Innopower) 推展130納米和65納米的SONOS嵌入式NVM(Non-Volatile Memory)存儲(chǔ)器技術(shù)的IP。根據(jù)授權(quán)協(xié)議，寅通科技（Innopower）將結(jié)合賽普拉斯的
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賽普拉斯授權(quán)嵌入式閃存解決方案給Innopower
該協(xié)議使Innopower能幫助集成電路設(shè)計(jì)者把基于SONOS的嵌入式閃存集成到下一代SOC和ASIC中 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布將130納米和65納米SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)給Innopowe
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賽普拉斯與Innopower簽署協(xié)議
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布將130納米和65納米SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)給Innopower技術(shù)公司。根據(jù)這一授權(quán)協(xié)議，Innopower將把賽普拉斯的技術(shù)與其技術(shù)支持服務(wù)和其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)項(xiàng)目
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Microsemi發(fā)布65nm嵌入式閃存工藝平臺(tái)
美高森美(Microsemi) 的SoC產(chǎn)品部(原Actel公司)11月17日于北京發(fā)布了65nm嵌入式閃存工藝平臺(tái)。“這是與臺(tái)聯(lián)電(UMC)合作開發(fā)的，今后將成為我們低功耗、具有四輸入查找表(LUT)架構(gòu)FPGA的統(tǒng)一平臺(tái)。適于工業(yè)、醫(yī)療、軍
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宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司近日宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST SuperFlash上已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技
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宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SSTSuperFlas
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宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST SuperFl
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宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。 宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST S
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宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)近日宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST SuperFlash(1)上已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的
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宏力CEO：極端環(huán)境下代工廠的發(fā)展之道
過去，上海宏力半導(dǎo)體公司一直是一家相當(dāng)?shù)驼{(diào)的公司。這家代工服務(wù)提供商的大部分贏利來自西方國家，特別是歐洲和美國。EE Times歐洲的記者終于有機(jī)會(huì)采訪宏力半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼總裁Ulrich Schumacher先生。Sch
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極端環(huán)境下代工廠的發(fā)展之道
過去，上海宏力半導(dǎo)體公司一直是一家相當(dāng)?shù)驼{(diào)的公司。這家代工服務(wù)提供商的大部分贏利來自西方國家，特別是歐洲和美國。EETimes歐洲的記者終于有機(jī)會(huì)采訪宏力半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼總裁UlrichSchumacher先生。Schum
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宏力CEO：極端環(huán)境下代工廠的發(fā)展之道
過去，上海宏力半導(dǎo)體公司一直是一家相當(dāng)?shù)驼{(diào)的公司。這家代工服務(wù)提供商的大部分贏利來自西方國家，特別是歐洲和美國。EE Times歐洲的記者終于有機(jī)會(huì)采訪宏力半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼總裁Ulrich Schumacher先生。
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TSMC發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)
TSMC 日前宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與0.25微米嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)相較
