晶體管
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面向粒子加速器，Ampleon推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P，專門設(shè)計用于工作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應(yīng)用。
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埃賦隆半導(dǎo)體推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管 高效1,600W
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無線電應(yīng)用。
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擁有85億個晶體管，高通驍龍1000性能曝光
手機(jī)處理器市場已經(jīng)不能滿足高通的需要，因?yàn)槭謾C(jī)行業(yè)中蘋果、三星、華為等都有自家的處理器，高通的市場逐漸被蠶食，高通需要借助PC端處理器來保持自家的競爭力。
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高通這次發(fā)力猛！驍龍1000參數(shù)曝光：擁有超85億個晶體管，遠(yuǎn)超蘋果A12
即將推出的Snapdragon 8180代號為“Poipu”項目，將擁有超過85億個晶體管。作為對比，驍龍835擁有30億個晶體管，而蘋果A12擁有69億顆晶體管。新的驍龍8180還可以提供高達(dá)15W的最大功率，與英特爾的U系列酷睿i3、i5和i7芯片相當(dāng)。驍龍8180的尺寸為20×15mm，由臺灣制造商臺積電制造，基于7nm工藝打造。
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差分放大器中的不匹配效應(yīng)及消除方法
隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展，制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫，從而促使模擬集成電路的工藝水平達(dá)到深亞微米級。因?yàn)橹T如溝道長度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度
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高增益LC諧振放大器的設(shè)計
摘要：采用分立元件設(shè)計了一個3級單調(diào)諧放大器，可用于通信接收機(jī)的前端電路，通過合理分配各級增益和多種措施提高抗干擾性，具有中心頻率容易調(diào)整、穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。電路經(jīng)
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晶體管低頻放大器詳述
各種類型低頻放大器，主要特點(diǎn)是，工作頻率范圍寬，放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級，故稱前置放大器，它的輸入信號幅度
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間歇振蕩器工作原理
在圖1(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實(shí)現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強(qiáng)烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽
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英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可
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運(yùn)算放大器設(shè)計原理
一、集成電路及其特點(diǎn)集成電路是利用氧化，光刻，擴(kuò)散，外延，蒸鋁等集成工藝，把晶體管，電阻，導(dǎo)線等集中制作在一小塊半導(dǎo)體（硅）基片上，構(gòu)成一個完整的電路。按功能可
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單原子！德國開發(fā)出世界最小晶體管
與傳統(tǒng)量子電子元件不同，單原子晶體管不需要在接近絕對零度的低溫條件工作，它可以一直在室溫下工作，這是未來應(yīng)用的一個決定性優(yōu)勢。
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安森美設(shè)計EMI準(zhǔn)諧振適配器
準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時導(dǎo)通，從而
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集成電路分類及封裝圖片識別
集成電路常用的檢測方法有在線測量法、非在線測量法和代換法。
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ZetexSOT23封裝的新型功率晶體管
Zetex日前推出全新的采用SOT23封裝的雙極晶體管系列。它們能以更小的尺寸實(shí)現(xiàn)與較大的SOT223封裝相同的電流處理功能，有效地縮減印刷電路板的尺寸。 SOT23器件的面積僅為2.5毫米×3.05毫米，與SOT223器件6.7毫米
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晶體管15W甲類功放的制作
晶體管15W甲類功放的制作一、 電路原理與特點(diǎn) 來源:1次
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晶體管檢測方法大全
1、檢測小功率晶體二極管 A、判別正、負(fù)電極 (a)、觀察外殼上的的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。 (b)、觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼
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DARPA將在舊金山舉辦首屆電子復(fù)興計劃 計劃帶來15億美元投資
近半個世紀(jì)以來，摩爾定律一直是推動半導(dǎo)體器件發(fā)展的動力。但是原子水平的物理限制打破了摩爾定律，下一代電子產(chǎn)品需要一項新舉措來推動計算領(lǐng)域的下一次重大革命。英特爾的聯(lián)合創(chuàng)始人Goron Moore曾經(jīng)說過，芯片上的晶體管數(shù)量每年都會增加一倍，同時成本可以減少一半。自1965年以來，這種觀念一直存在，并且在過去一年中基本保持不變。
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晶體管的檢測經(jīng)驗(yàn)的分享
?。ㄒ唬┚w管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A“D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，
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晶體管
作為集成電路的基本電子組件，晶體管的大小 40 多年來一直在縮減。在我們的90-nm CMOS 工藝中，我們面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，需要制造門長度不足 40 nm的晶體管。要求我們實(shí)現(xiàn)最高級的光刻與蝕刻控制，以保證整個晶圓上數(shù)十億
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A8內(nèi)含20億顆晶體管 20nm制程略勝三星Exynos 5430
隨著三星（Samsung）在上個月發(fā)布Exynos 5430雙4核心處理器，該公司可望成為出貨20nm智能手機(jī)SoC的首家供貨商。不過，蘋果（Apple）最近剛發(fā)布了iPhone 6與iPhone 6 Plus手
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