晶體管
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英特爾首款10納米FPGA計劃
“英特爾精尖制造日”活動今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內首款面向數據中心應用的64層3D NAND產品已實現(xiàn)商用并出貨。
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抑制啟動電流的好方法
最簡單的辦法是串個電感，利用通過電感的電流不能突變的特性來抑制峰值，但此法體積較大。更好的方法是利用晶體管限流電路來做軟啟動，最好的辦法則是改進電源電路本身來實現(xiàn)軟啟動。
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突破！美休斯頓大學研制可拉伸全橡膠電子器件
美國休斯敦大學華人科學家余存江助理教授課題組在新一期美國《科學進展》雜志上報告說，他們在柔性可拉伸電子領域取得新突破，研制出了可拉伸的橡膠半導體和導體材料，并利用這些材料制成全橡膠晶體管、傳感器和機器人皮膚。
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論iPhone處理器十年進化史
今天，蘋果發(fā)布了最新一代的iPhone，作為新一代的旗艦，新手機的功能承載了蘋果對未來的希望和消費者的期待。但從我們半導體人看來更關注的是內部技術的演變，尤其是其處理器上。
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關于芯片的那些事兒
三星宣布，加入了11nm 工藝，性能比此前的14nm提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。若要遵循摩爾定律繼續(xù)走下去，未來的半導體技術還會有多大所提升空間呢?
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采用光電隔離的SIPMOS晶體管控制電路圖
輸入端經過電阻R2接地，以使其輸出端在電源電壓降至4V時還是開路的，即兩個推挽輸出晶體管保持在截止狀態(tài)。這樣可使電源電壓在上升至3V左右時光耦輸出側仍為低電平，以使后接的六反相器4049能控制SIPMOS晶體管。在工
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簡單的晶體管逆變器電路圖
在偏遠鄉(xiāng)村，經常會有停電現(xiàn)象，有些大學到一定時間也會自動關燈，不過這沒關系，有了它，這些就可以解決。 這是一款非常容易制作的逆變器，可以將12V電源電壓變?yōu)?20V市電，電路由BG2和BG3組成的多諧振蕩器推動，再
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摩爾定律在半導體行業(yè)正在逐漸消失？
摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。
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特殊晶體管的檢測方法
普通達林頓管內部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復合而成，其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個發(fā)射結。檢測時可使用萬用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔來測量。
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摩爾定律再獲續(xù)命丹？三維芯片研發(fā)取得突破
近年來由于各項智能設備以及人工智能的應用，人們對芯片計算能力的需求越來越大。芯片的運算能力取決于基本運算單元電晶體的多寡，但由于電晶體的研發(fā)已漸漸接近物理極限，無法再繼續(xù)縮小，因此科學家及各個科技大廠正在不斷研究下個能使芯片運算速度提升的方法。
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單向感應器電路
當一個物體以一個方向運行時，該電路可以探測該物體，但是如果它以相反方向運行，則無法探測。兩個感應器是用來確定方向感的。物體是否能夠阻擋光線到達光電晶體管Q1和Q2是
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要成為模擬電路的設計者 必須掌握以下四個組成部分
模擬電路再怎么說，關鍵的是多學多做，做出片子就自然懂得哪些知識點需要掌握了。這里就主要談談學習模擬電路要求的四個知識部分，要成為模擬電路的設計者，我們必須掌握其最基本的以下四個組成部分：
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IBM試產5nm芯片：指甲蓋大小可容納300億晶體管
當前商用晶體管柵極大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已開始了 7nm、甚至 5nm 工藝的研究。不過為了制造 5nm 芯片，IBM 也拋棄了標準的 FinFET 架構，取而代之的是四層堆疊納
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電機驅動集成的故事
就像每個MOSFET需要一個柵極驅動器來切換它，每個電機后面總是有一個驅動力。根據復雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求，驅動電機的方式多樣。
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EPC eGaN 技術在性能及成本上實現(xiàn)質的飛躍
EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)，對比前一代的產品，這些晶體管的尺寸減半，而且性能顯著提升。
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Diodes公司帶高壓晶體管的開關穩(wěn)壓器提高線式充電器效率
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出的AP3984是一款用于線式(line-powered)充電器和適配器的高性能開關穩(wěn)壓器(power switcher)，它通過獨特的集成式高壓(HV)啟動電路為
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三極管的開關速度
晶體管的開關速度即由其開關時間來表征，開關時間越短，開關速度就越快。BJT的開關過程包含有開啟和關斷兩個過程，相應地就有開啟時間ton和關斷時間toff，晶體管的總開關時間就是ton與toff之和。 如何提高晶體管的開關速度?——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。
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能自我修復的晶體管 太空探索又一大突破
據美國電氣與電子工程師協(xié)會《光譜》雜志網站11日報道，美國國家航空航天局(NASA)與韓國科學技術研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。
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計算機技術重大突破：1nm晶體管誕生
據外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小
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計算技術界的重大突破：1nm晶體管誕生
現(xiàn)有22nm晶體管北京時間10月7日消息，據外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制
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