晶體管
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安森美設(shè)計EMI準(zhǔn)諧振適配器
準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時導(dǎo)通，從而
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集成電路分類及封裝圖片識別
集成電路常用的檢測方法有在線測量法、非在線測量法和代換法。
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ZetexSOT23封裝的新型功率晶體管
Zetex日前推出全新的采用SOT23封裝的雙極晶體管系列。它們能以更小的尺寸實現(xiàn)與較大的SOT223封裝相同的電流處理功能，有效地縮減印刷電路板的尺寸。 SOT23器件的面積僅為2.5毫米×3.05毫米，與SOT223器件6.7毫米
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晶體管15W甲類功放的制作
晶體管15W甲類功放的制作一、 電路原理與特點 來源:1次
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晶體管檢測方法大全
1、檢測小功率晶體二極管 A、判別正、負電極 (a)、觀察外殼上的的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。 (b)、觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼
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DARPA將在舊金山舉辦首屆電子復(fù)興計劃 計劃帶來15億美元投資
近半個世紀以來，摩爾定律一直是推動半導(dǎo)體器件發(fā)展的動力。但是原子水平的物理限制打破了摩爾定律，下一代電子產(chǎn)品需要一項新舉措來推動計算領(lǐng)域的下一次重大革命。英特爾的聯(lián)合創(chuàng)始人Goron Moore曾經(jīng)說過，芯片上的晶體管數(shù)量每年都會增加一倍，同時成本可以減少一半。自1965年以來，這種觀念一直存在，并且在過去一年中基本保持不變。
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晶體管的檢測經(jīng)驗的分享
?。ㄒ唬┚w管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A“D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，
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晶體管
作為集成電路的基本電子組件，晶體管的大小 40 多年來一直在縮減。在我們的90-nm CMOS 工藝中，我們面臨著嚴峻挑戰(zhàn)，需要制造門長度不足 40 nm的晶體管。要求我們實現(xiàn)最高級的光刻與蝕刻控制，以保證整個晶圓上數(shù)十億
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A8內(nèi)含20億顆晶體管 20nm制程略勝三星Exynos 5430
隨著三星（Samsung）在上個月發(fā)布Exynos 5430雙4核心處理器，該公司可望成為出貨20nm智能手機SoC的首家供貨商。不過，蘋果（Apple）最近剛發(fā)布了iPhone 6與iPhone 6 Plus手
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學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同
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晶體管的三種接法 靜態(tài)工作點和交流性能計算問題
通過對單管共射放大電路的分析和計算，使得放大電路的組成原則更明確和具體了。放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用。在共射電路中，晶體管的b-e為輸入端，c-e為輸出端，利用iB對iC的控制作用，實現(xiàn)了電流放大和電壓放大。有沒有其他的控制關(guān)系呢?比如，能不能用iB去控制iE?用iE去控制iC?用iC去控制iE?在實現(xiàn)這些控制的過程中，電路能不能得到功率的放大?我們先把這幾種電流控制關(guān)系的示意圖表示在下圖中，以便分析和比較。圖a是iB對iC的控制，是以e極為公共端，這就是前面介紹過的共射接法;圖b是iB對iE的控制
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Intel的委屈誰能懂？10nm質(zhì)量雖高卻陷入難產(chǎn)的漩渦
要知道，臺積電當(dāng)初做代工也是得到了Intel悉心指導(dǎo)的，沒想到現(xiàn)在被臺積電、三星各種領(lǐng)先，特別是10nm工藝節(jié)點被這兩家甩開。
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新型二維材料或?qū)⒗m(xù)寫摩爾定律對晶體管的預(yù)言
近年來，半導(dǎo)體行業(yè)總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下。但北京大學(xué)物理學(xué)院研究員呂勁團隊與楊金波、方哲宇團隊最新研究表明，新型二維材料或?qū)⒗m(xù)寫摩爾定律對晶體管的預(yù)言。他們在預(yù)測出“具有蜂窩狀原子排布的碳原子摻雜氮化硼(BNC)雜化材料是一種全新二維材料”后，這次發(fā)表在《納米通訊》上的研究，通過實驗證實了這類材料存在能谷極化現(xiàn)象，并具有從紫外拓展到可見光、近紅外以及遠紅外波段的可調(diào)能隙功能。
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開關(guān)三極管，加速電容的分析！
由于電荷存儲效應(yīng)，晶體管BE之間有一接電容，與Rb構(gòu)成RC電路，時間常數(shù)較大影響了晶體管的導(dǎo)通和截至速度（即開關(guān)速度）
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晶體管音頻混合器電路圖
三個或者三個以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流，這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。晶體管音頻混合器電路圖：
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IBM“全包圍門”結(jié)構(gòu)，晶體管的未來
摩爾定律在20年前就被唱衰，但直到現(xiàn)在，半導(dǎo)體工程師們?nèi)匀话l(fā)揚釘子精神，從方寸之地騰挪出無限空間。
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怎樣讀懂放大電路圖
讀放大電路圖時也還是按照“逐級分解、抓住關(guān)鍵、細致分析、全面綜合”的原則和步驟進行。首先把整個放大電路按輸入、輸出逐級分開，然后逐級抓住關(guān)鍵進行分析弄通原理。放大電路有它本身的特點：一是有靜態(tài)和動態(tài)兩種工作狀態(tài)，所以有時往往要畫出它的直流通路和交流通路才能進行分析;二是電路往往加有負反饋，這種反饋有時在本級內(nèi)，有時是從后級反饋到前級，所以在分析這一級時還要能“瞻前顧后”。在弄通每一級的原理之后就可以把整個電路串通起來進行全面綜合。
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晶體管音頻混合器
三個或者三個以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流，這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。
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晶體管突破形態(tài)極限 柔性計算機將成現(xiàn)實
據(jù)外媒《物理科學(xué)》官方網(wǎng)站報道，來自卡內(nèi)基·梅隆大學(xué)的機械工程師卡梅爾·馬杰迪和詹姆斯·魏斯曼是液態(tài)金屬領(lǐng)域的杰出研究者。他們發(fā)現(xiàn)用液態(tài)合金能夠制作出晶體管，從而讓更多電子元件實現(xiàn)柔性轉(zhuǎn)化。
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晶控本機振蕩器電路圖
該振蕩器可能包括幾個轉(zhuǎn)換晶體管，這些晶體管是用來提供信道化操作的。如果需要的話，可增加一個緩沖放大器。
