晶體管

全石墨烯集成電路架構(gòu)制成 用于制造柔性透明設(shè)備

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家研制出了一種新的集成電路架構(gòu)并做出了模型。在這一架構(gòu)內(nèi)，晶體管和互連設(shè)備無縫地結(jié)合在一塊石墨烯薄片上。發(fā)表在《應(yīng)用物理快報》雜志上的這項最新研究將有助于科學(xué)家們制造

石墨烯量子晶體管或可用于醫(yī)療電子領(lǐng)域

在基因組測序技術(shù)領(lǐng)域，科學(xué)家在不斷追求速度更快、成本更低的方法和設(shè)備。最近，美國伊利諾斯大學(xué)厄本那—香檳分校最近開發(fā)出了一種新奇的方法：把石墨烯納米帶(GNR)夾在兩層有納米孔(內(nèi)徑約1納米)的固體膜中間

全石墨烯集成電路架構(gòu)制成 用于制造柔性透明設(shè)備

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家研制出了一種新的集成電路架構(gòu)并做出了模型。在這一架構(gòu)內(nèi)，晶體管和互連設(shè)備無縫地結(jié)合在一塊石墨烯薄片上。發(fā)表在《應(yīng)用物理快報》雜志上的這項最新研究將有助于科學(xué)家們制造

石墨烯量子晶體管可用作DNA感測器

在基因組測序技術(shù)領(lǐng)域，科學(xué)家在不斷追求速度更快、成本更低的方法和設(shè)備。據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)10月30日報道，最近，美國伊利諾斯大學(xué)厄本那—香檳分校最近開發(fā)出了一種新奇的方法：把石墨烯納米帶（GNR）夾在兩層有納米

恩智浦推出首款采用1.1-mm2無鉛塑料封裝的3 A晶體管

高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負載開關(guān)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分

恩智浦推出首款采用1.1-mm²無鉛塑料封裝的3 A晶體管

高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負載開關(guān)21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.

英特爾將為Altera代工晶體管數(shù)超40億的64位ARM SoC

上個月，我們報道過英特爾將為Altera代工64位四核ARM芯片的消息，自此該公司開始了x86和ARM"兩手抓"的歷程。至于這么做的原因，或許是新任CEO Brian Krzanich想要讓代工業(yè)務(wù)更加迅速地擴張，以規(guī)避自家芯片需求下降所

CNT晶體管加速 碳納米管計算機初見端倪

使用單層碳納米管（CNT）作為半導(dǎo)體材料的CNT晶體管終于迎來了開發(fā)加速的時期，并出現(xiàn)了在芯片上集成CNT晶體管，將其作為初級計算機試制系統(tǒng)的嘗試。美國斯坦福大學(xué)電子工程學(xué)、計算機科學(xué)副教授薩巴辛·米特拉（Sub

用低壓晶體管構(gòu)成的250V高壓穩(wěn)壓電路圖

恩智浦半導(dǎo)體推業(yè)界最小雙晶體管DFN1010

元器件交易網(wǎng)訊 10月30日消息，據(jù)外媒Electronicsweekly報道，恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出最小尺寸單、雙芯片封裝雙晶體管DFN1010，采用可用的1.1mm x 1mm x 0.37mm DFN塑料SMD最小封裝；擴大

愛思強在二維納米材料項目中占據(jù)重要地位

核心提示：石墨烯有潛力徹底改變觸摸屏、照明及高速晶體管等應(yīng)用中的電子元件。在科學(xué)與產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，研究人員正在進一步研發(fā)與石墨烯的分層結(jié)構(gòu)相似的二維(2D)材料，即過渡金屬硫化物 (TMDs)。

如何測量ULN2003的輸出電壓？

如何測量ULN2003的輸出電壓？ULN2003是七重晶體管達林頓輸出陣列，是集電極開路輸出。輸出狀態(tài)為飽和和截止兩種狀態(tài)。要測量ULN2003的輸出電壓，得在ULN2003的輸出口上接負載，負載一端接在ULN2003的輸出口上，負載的

名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功

眾所周知，晶體管要分成多種類型。其中，MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場效應(yīng)管存在兩個被學(xué)術(shù)界稱為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài)，所以在一

科爾皮茲振蕩器電路圖

PNP型雙極晶體管的偏置是由電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)R1/R2。振蕩晶體管的集電極一直保持電容C5的交流接地，C5非?？拷w管的位置。反饋是由電容分壓器C2/C3提供的。

用于汞電池的晶控振蕩器電路圖

該電路是由一個單節(jié)1.35V汞電池供電的，提供1V的方波輸出。如圖所示，共射級裝置中的晶體管是位于晶體管Q1和Q2之間的調(diào)諧電路。R提供的正反饋會導(dǎo)致振蕩的發(fā)生。Q2的集電極型號被Q3調(diào)節(jié)成了正方形，在中斷和飽和之間

高頻晶體振蕩器電路圖

一個MECL 10K的晶體振蕩器和一個MECL III倍頻器可組合成一個高速振蕩器，具體如圖所示。MC10101的一部分作為一個100MHz的晶體振蕩器和晶體管在反饋回路中串聯(lián)。液晶振蕩電路可調(diào)諧晶體管100MHz的諧波，也可用來校準(zhǔn)電

SOI技術(shù)高峰論壇盛大召開 業(yè)界專家共議未來發(fā)展趨勢

為了有效利用SOI技術(shù)的獨特優(yōu)勢并降低應(yīng)用門檻，國際SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所與芯原股份有限公司在上海成功舉辦了“SOI技術(shù)高峰論壇”。本次論壇的與會單位包括IBM、ST、Soitec、SunEdison、S

科大科研團隊下一代集成電路材料效能快10倍 省電90%

智能手機功能多又方便，但用電卻很快?？拼罂蒲袌F隊最近研制出“高性能晶體管”，可成為電子產(chǎn)品內(nèi)下一代集成電路材料，比現(xiàn)時矽基底集成電路傳遞電子訊息快十倍，用電卻可減省九成，料快可面世，用于手機和平板電腦

晶體管和場效應(yīng)管組成的高增益放大器

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晶體管穩(wěn)壓電路

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