據(jù)國外媒體報道,哈佛大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院的一個研究小組正在研制一種能像人腦中的神經(jīng)元一樣工作的晶體管,他們希望能夠通過硬件手段使計算機獲得學(xué)習(xí)能力。此前,科學(xué)家們一直嘗試的是軟件途徑,通過增強CPU運算
一、MIT設(shè)計新型可充電流體電池美國麻省理工學(xué)院(MIT)研究員設(shè)計的一種新型可充電流體電池,無需依賴于造價高昂的間隔膜來生成和存儲電能。該裝置存儲和釋放能量依賴于叫做層流的現(xiàn)象,兩種液體通過一個通道進行抽吸
近日消息,哈佛大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院的一個研究小組正在研制一種能像人腦中的神經(jīng)元一樣工作的晶體管,他們希望能夠通過硬件手段使計算機獲得學(xué)習(xí)能力。此前,科學(xué)家們一直嘗試的是軟件途徑,通過增強CPU運算能力來
中國上海,2013年11月4日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分立式扁平無引腳)封裝的晶體管。全新產(chǎn)品組合由25種器
半導(dǎo)體業(yè)走過第3季高峰,第4季進入傳統(tǒng)淡季,臺積電亦難逃淡季效應(yīng),昨(8)日公布10月合并營收517.95億元,較上個月下滑6.5%,并創(chuàng)下近5個月以來新低。 臺積電第3季合并營收1,625億元,創(chuàng)單季新高,預(yù)估第4季介
對于一直使用功率MOSFET器件設(shè)計產(chǎn)品的功率系統(tǒng)工程師來說,使用更高效的增強型氮化鎵晶體管并不困難。雖然兩種器件的基本工作特性非常相似,如果想發(fā)揮這種新世代器件的最
比較:體校晶體管和FD-SOI晶體管元器件交易網(wǎng)訊 11月7日消息,據(jù)外媒 Electronicsweekly報道,Memoir Systems宣布已采用其算法內(nèi)存技術(shù)為意法半導(dǎo)體獨有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡絕緣
之前我們報道過英特爾將為Altera代工64位四核ARM芯片的消息,自此該公司開始了x86和ARM"兩手抓"的歷程。至于這么做的原因,或許是新任CEO Brian Krzanich想要讓代工業(yè)務(wù)更加迅速地擴張,以規(guī)避自家芯片需求下降所帶來
InGaAs晶體管元器件交易網(wǎng)訊 11月6日消息,據(jù)外媒 Electronicsweekly報道, IMEC宣布已為III-V FinFET 組裝300mm 制程晶圓片,該晶圓片采用了銦砷化鎵(化學(xué)符號為InGaAs)、磷化銦( indium phosphide)化合物,將容納近
1.液晶面板的壞點在未介紹液晶面板的等級之前,筆者先為各位讀者介紹液晶面板上所存在的“壞點”的具體概念,以便于后面以此為根據(jù)來區(qū)分液晶面板的等級。液晶面板是由大量的像素點所組成的,它們都能
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道,美國科學(xué)家研制出了一種新的集成電路架構(gòu)并做出了模型。在這一架構(gòu)內(nèi),晶體管和互連設(shè)備無縫地結(jié)合在一塊石墨烯薄片上。發(fā)表在《應(yīng)用物理快報》雜志上的這項最新研究將有助于科學(xué)家們制造
在基因組測序技術(shù)領(lǐng)域,科學(xué)家在不斷追求速度更快、成本更低的方法和設(shè)備。最近,美國伊利諾斯大學(xué)厄本那—香檳分校最近開發(fā)出了一種新奇的方法:把石墨烯納米帶(GNR)夾在兩層有納米孔(內(nèi)徑約1納米)的固體膜中間
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道,美國科學(xué)家研制出了一種新的集成電路架構(gòu)并做出了模型。在這一架構(gòu)內(nèi),晶體管和互連設(shè)備無縫地結(jié)合在一塊石墨烯薄片上。發(fā)表在《應(yīng)用物理快報》雜志上的這項最新研究將有助于科學(xué)家們制造
在基因組測序技術(shù)領(lǐng)域,科學(xué)家在不斷追求速度更快、成本更低的方法和設(shè)備。據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)10月30日報道,最近,美國伊利諾斯大學(xué)厄本那—香檳分校最近開發(fā)出了一種新奇的方法:把石墨烯納米帶(GNR)夾在兩層有納米
高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值,適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開關(guān)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分
高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值,適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開關(guān)21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.
上個月,我們報道過英特爾將為Altera代工64位四核ARM芯片的消息,自此該公司開始了x86和ARM"兩手抓"的歷程。至于這么做的原因,或許是新任CEO Brian Krzanich想要讓代工業(yè)務(wù)更加迅速地擴張,以規(guī)避自家芯片需求下降所
使用單層碳納米管(CNT)作為半導(dǎo)體材料的CNT晶體管終于迎來了開發(fā)加速的時期,并出現(xiàn)了在芯片上集成CNT晶體管,將其作為初級計算機試制系統(tǒng)的嘗試。美國斯坦福大學(xué)電子工程學(xué)、計算機科學(xué)副教授薩巴辛·米特拉(Sub
元器件交易網(wǎng)訊 10月30日消息,據(jù)外媒Electronicsweekly報道,恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出最小尺寸單、雙芯片封裝雙晶體管DFN1010,采用可用的1.1mm x 1mm x 0.37mm DFN塑料SMD最小封裝;擴大