IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。在IEDM會(huì)議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱(chēng)該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng),非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管,IBM的工程
德國(guó)歐司朗光電半導(dǎo)體(OSRAM Opto Semiconductors GmbH)宣布啟動(dòng)采用100mm晶圓的LED芯片量產(chǎn)工廠。該工廠位于馬來(lái)西亞的檳城(Penang)。投資數(shù)千萬(wàn)歐元從2007年7月開(kāi)始建設(shè)。目前,制造裝置的試運(yùn)行已經(jīng)完成。該工
根據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,受當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨好的影響,TSMC和UMC決定將會(huì)提升300mm晶圓的價(jià)格??紤]到當(dāng)前先進(jìn)的芯片產(chǎn)品比如圖形處理器以及使用復(fù)雜處理技術(shù)的芯片均是使用300mm晶圓,因此此舉將會(huì)影響到顯卡及其它產(chǎn)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電、聯(lián)電,跨足LED(發(fā)光二極管)有志一同,聯(lián)電昨日宣布,子公司聯(lián)電新投資事業(yè),投資山東冠銓光電八百萬(wàn)美元,臺(tái)積電昨日則是推出模塊化BCD制程,將為客戶(hù)生產(chǎn)高電壓整合發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)
聯(lián)電(2303)昨(15)日宣布已完成合并聯(lián)日半導(dǎo)體;龍頭大哥臺(tái)積電(2330)本月初也擴(kuò)大大陸市場(chǎng)布局,未來(lái)華北、華中與華南均將擴(kuò)充營(yíng)銷(xiāo)人力。晶圓雙雄全球布局進(jìn)入收割期,有助海外據(jù)點(diǎn)虧損縮小。
看好明年半導(dǎo)體復(fù)蘇力道,臺(tái)積電、聯(lián)電大幅增加資本支出,由于特許并購(gòu)超威關(guān)系企業(yè)Globalfoundries,晶圓雙雄全球布局的動(dòng)作更是積極。 2009年是半導(dǎo)體否極泰來(lái)的一年,臺(tái)積電與聯(lián)電第三季起隨12吋先進(jìn)制程需求加
全球先進(jìn)晶圓探針卡供貨商 FormFactor公司宣布針對(duì)DRAM市場(chǎng),推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡SmartMatrix 100探針卡解決方案,以持續(xù)穩(wěn)固龍頭地位,至于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手日商麥克尼克司(MJC)今年也將重振雄風(fēng),希望可以重新
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專(zhuān)業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科(Disco)、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開(kāi)發(fā)出了可將300mm晶圓(硅底板)打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯片
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(10)日公布11月?tīng)I(yíng)收較上月小增0.3%,為303.22億元,是今年次高,已是連續(xù)兩個(gè)月站穩(wěn)300億元大關(guān)。 外資認(rèn)為,在12吋先進(jìn)制程需求帶動(dòng)下,臺(tái)積電本季營(yíng)收朝920億元高標(biāo)靠攏,以10、11
晶圓代工業(yè)第四季營(yíng)收果然呈現(xiàn) 淡季不淡,臺(tái)積電昨日公布十一月?tīng)I(yíng)收303.22億元,較十月又小幅增加0.3%,聯(lián)電營(yíng)收91.56億元,則較前一個(gè)月小幅減少1.5%,顯示全球半導(dǎo) 體需求,仍沒(méi)有明顯衰退跡象,明年第一季半導(dǎo)體
在繪圖客戶(hù)持續(xù)追加訂單的加持 下,瑞銀證券昨(10)日預(yù)估臺(tái)積電明年第1季營(yíng)收將與今年第4季持平,遠(yuǎn)優(yōu)于原先所預(yù)期的兩位數(shù)下滑幅度。 不過(guò),花旗環(huán)球證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之提醒,盡管近期臺(tái)積電8吋
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(Epitaxial Wafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)
FormFactor公司宣布針對(duì)DRAM市場(chǎng),推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡─SmartMatrix 100探針卡解決方案。該方案結(jié)合運(yùn)用FormFactor MicroSpring微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)接觸技術(shù)的全新獨(dú)家探針卡架構(gòu),能夠協(xié)助DRAM制造商克服
受半導(dǎo)體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化和經(jīng)濟(jì)蕭條的嚴(yán)重影響,“SEMICON JAPAN 2009”(12月2日~4日舉行)的參展企業(yè)雖減少了近40%,但作為備受期待的少數(shù)成長(zhǎng)領(lǐng)域之一的LED用相關(guān)裝置和部材,各大公司仍積極地進(jìn)行了展示。例如,此
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">Lasertec開(kāi)始受理SiC晶圓缺陷檢查裝置“WASAVI系列CICA61”的訂單。SiC晶圓正在功率元件領(lǐng)域普及。此次的產(chǎn)品主要用
法國(guó)Soitec SA和CEA-LETI(法國(guó)原子能委員會(huì)的電子信息技術(shù)研究所)聯(lián)合宣布,將以全套工藝的方式提供采用硅通孔的的晶圓對(duì)晶圓三維積層技術(shù)。元件廠商可利用Soitec的SOI晶圓和相關(guān)技術(shù)以及CEA-LETI的工藝技術(shù),(1)
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">法國(guó)Soitec SA和CEA-LETI(法國(guó)原子能委員會(huì)的電子信息技術(shù)研究所)聯(lián)合宣布,將以全套工藝的方式提供采用硅通孔的
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,近日與中國(guó)科學(xué)院EDA中心、上海、西安及深圳等多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)孵化基地相繼簽署了多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目的戰(zhàn)略合作協(xié)議。多項(xiàng)目晶圓 (Multi Proj
SEMI近日在SEMICON Japan上發(fā)布了SEMI Capital Equipment Forecast年終版預(yù)測(cè),今年全球新設(shè)備銷(xiāo)售額將達(dá)160億美元,今年是SEMI自1991年啟動(dòng)該數(shù)據(jù)庫(kù)以來(lái),最大幅度的年度下滑。該預(yù)測(cè)指出,在2008年設(shè)備市場(chǎng)經(jīng)歷31%
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> Today, KLA-Tencor Corporation , the world's leading supplier of process control and yield management solut