測試廠臺星科(3265)攜手母公司星科金朋(STATS ChipPAC),成功囊括局端及終端4G晶片測試大單,第4季營運淡季不淡外,明年營收及獲利均將明顯優(yōu)于今年。 兩岸4G發(fā)照引爆數(shù)千億元以上基礎(chǔ)建設(shè)投資及智慧型手機采
Imec Demonstrates World’s First III-V FinFET Devices Monolithically Integrated on 300mm Silicon Wafers Technology Achievement Marks Significant Step Towards Monolithic Heterogeneous Integration an
事件:公司發(fā)布三季報??鄢淮涡該p失后凈利潤增長49%,毛利率在較高水平在前三季度,公司實現(xiàn)營業(yè)收入17.4 億元,同比增長56%;實現(xiàn)凈利潤1.5 億元,同比增長31%。三季度單季的營收和凈利潤分別為6.5 億元和4800 萬元,同
測試廠臺星科(3265)攜手母公司星科金朋(STATS ChipPAC),成功囊括局端及終端4G晶片測試大單,第4季營運淡季不淡外,明年營收及獲利均將明顯優(yōu)于今年。 兩岸4G發(fā)照引爆數(shù)千億元以上基礎(chǔ)建設(shè)投資及智慧型手機采
PAULA DOE指出,受市場需求影響,半導體產(chǎn)業(yè)對于基于6吋晶圓的LED自動化生產(chǎn)的標準漸漸達成一致。隨著市場對于高亮LED的需求大增,無晶圓廠在過去的五年里增加了100個,目前全球總數(shù)為169個,整個產(chǎn)業(yè)外延片的生產(chǎn)規(guī)
半導體龍頭廠臺積電預計明年資本支出將達百億美元,維持高檔,隨著臺積電拉高20nm與16nm的產(chǎn)能,已要求合作夥伴擴產(chǎn),專家指出,半導體晶圓及封測等大廠資本支出高成長,這帶動近期半導體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲,今
半導體龍頭廠臺積電預計明年資本支出將達百億美元,維持高檔,隨著臺積電拉高20nm與16nm的產(chǎn)能,已要求合作夥伴擴產(chǎn),專家指出,半導體晶圓及封測等大廠資本支出高成長,這帶動近期半導體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲,今
發(fā)光二極體(LED)上游材料藍寶石基板供應商RubiconTechnology,Inc.于29日美國股市收盤后公布2013年第3季(7-9月)財報:營收季增4.7%至1,110萬美元;受產(chǎn)品組合、產(chǎn)能利用率降低抵銷2-4寸藍寶石芯材價格上揚的利多影響,
核心提示:NANIUM宣布為其扇出晶圓級封裝 (FOWLP) 技術(shù)——即內(nèi)嵌式晶圓級球柵陣列 (eWLB) ——引入一項改進的絕緣材料和工藝解決方案。這些改進措施提高了eWLB的可靠性,能夠?qū)F(xiàn)有技術(shù)平臺擴展至要求更為嚴苛的市場
21ic訊 歐洲最大的外包半導體組裝與測試 (OSAT) 服務(wù)供應商 NANIUM S.A. 宣布為其扇出晶圓級封裝 (FOWLP) 技術(shù)——即內(nèi)嵌式晶圓級球柵陣列 (eWLB) ——引入一項改進的絕緣材料和工藝解決方案。
發(fā)光二極體(LED)上游材料藍寶石基板供應商Rubicon Technology, Inc.于29日美國股市收盤后公布2013年第3季(7-9月)財報:營收季增4.7%至1,110萬美元;受產(chǎn)品組合、產(chǎn)能利用率降低抵銷2-4寸藍寶石芯材價格上揚的利多影響
花蓮昨晚發(fā)生里氏規(guī)模6.3大地震,全臺有感,新竹科學園區(qū)、臺南科學園區(qū)的地震震度約3級,地震在可承受范圍,對晶圓廠、以及面板廠營運都沒有造成任何影響。臺積電及聯(lián)電指出,地震都在可承受范圍,所以沒有影響到廠
中美晶(5483-TW)董事會今(31)日通過第3季財報,1至9月合併營收為163.60億元,稅后淨利為3.68億元,稅后每股盈馀(EPS)為0.71元;而旗下子公司環(huán)球晶圓貢獻稅后每股盈馀5.15元。另外中美晶將在11月12日參加柜買法說會。
國碩(2406)10月并入威富光電股權(quán)后,矽晶圓年產(chǎn)能已達到400MW(百萬瓦),該公司董事長陳繼仁(見附圖)今(31)日表示,公司仍在持續(xù)擴產(chǎn),預計11月產(chǎn)能可進一步提升至450MW,明年1、2月即可達到600MW的目標;此外,在中國
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(30)日召開線上法說同時發(fā)布展望;聯(lián)電預估第4季受季節(jié)庫存修正等因素影響出貨季減8%至10%;本業(yè)損平。另外,聯(lián)電回應高盛等提問指出,維持28奈米在年底低個位數(shù)貢獻;明年資本支出規(guī)劃將在下
半導體龍頭廠臺積電預計明年資本支出將達百億美元,維持高檔,隨著臺積電拉高20奈米與16奈米的產(chǎn)能,已要求合作夥伴擴產(chǎn),專家指出,半導體晶圓及封測等大廠資本支出高成長,這帶動近期半導體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲
聯(lián)電(2303)今(30)日召開法說,公布2013年Q3財報,營業(yè)收入為334.1億元,與上季的319.1億元相比,增加4.7%,略優(yōu)于財測預估的季增3~4%,較去年同期的301.7億元則成長10.7%。另外,Q3毛利率為22.0%,營業(yè)凈利率為7.2%,
聯(lián)電(2303)今(30)日召開法說,關(guān)于Q4營運展望,聯(lián)電執(zhí)行長顏博文預估,聯(lián)電Q4晶圓出貨量將季減8~10%,以美金計價的產(chǎn)品ASP將季減2%,而晶圓本業(yè)的營業(yè)利益估僅將在損平點附近徘徊,晶圓廠Q4稼動率估達75%上下(mid 70
寬禁帶半導體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體憑借擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等特點,能夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、
作為國內(nèi)最大、最先進的半導體制造商,中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心,集中力量重點攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進一步提升晶體管集成度