中芯國際集成電路制造有限公司日前宣布成立視覺、傳感器和3DIC中心(簡稱CVS3D)。中芯國際CVS3D整合、強化了中芯國際在硅傳感器、通過硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)宣布成立視覺、傳感器和3DIC中心(簡稱CVS3D)。中芯國際CVS3D整合、強化了中芯國際在硅傳感器、通過硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)宣布成立視覺、傳感器和3DIC中心(簡稱CVS3D)。中芯國際CVS3D整合、強化了中芯國際在硅傳感器、通過硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而
今年8月Intel宣布俄勒岡的D1X工廠開始向450mm晶圓工藝升級,只是目前的大環(huán)境對PC并不利,而且Intel昨天表示Broadwell處理器都要延期生產(chǎn),這些利空導(dǎo)致很多人對Intel的450mm晶圓大業(yè)的前景保持懷疑。但是,在最近的
今年8月Intel宣布俄勒岡的D1X工廠開始向450mm晶圓工藝升級,只是目前的大環(huán)境對PC并不利,而且Intel昨天表示Broadwell處理器都要延期生產(chǎn),這些利空導(dǎo)致很多人對Intel的450mm晶圓大業(yè)的前景保持懷疑。但是,在最近的
今年8月Intel宣布俄勒岡的D1X工廠開始向450mm晶圓工藝升級,只是目前的大環(huán)境對PC并不利,而且Intel昨天表示Broadwell處理器都要延期生產(chǎn),這些利空導(dǎo)致很多人對Intel的450mm晶圓大業(yè)的前景保持懷疑。但是,在最近的
近日,關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國際學(xué)會“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場內(nèi),多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3~4英寸(75mm~100mm)晶圓的下一代產(chǎn)品??其J已率先
臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(17)日公布2013年第三季財務(wù)報告,合并營收約新臺幣1625.8億元,稅后純益約新臺幣519.5億元,每股盈余為新臺幣2.00元(換算成美國存托憑證每單位為0.34美元)符合市場預(yù)期。同時第三季28奈
臺積電(2330)今(17日)舉行法說會,關(guān)于今年Q4營運走向,臺積電財務(wù)長何麗梅表示,臺積的單季營收,估計將會落在1440~1470億元之間(以臺幣兌美元29.5元計算),相當(dāng)于季減9.58%~11.43%左右,毛利率為44~46%,營益率則為
類比科(3438)今(19日)召開股東會,關(guān)于今年面板業(yè)景氣,董事長劉紹宗(見附圖)指出,看好中國大陸狀況將優(yōu)于臺灣,主要是其8.5代廠新產(chǎn)能陸續(xù)開出,且包括京東方、華星光電等面板廠的良率都有提升所致。 至于臺灣今年
盡管14nmBroadwell處理器因為良品率問題推遲了量產(chǎn)進度,但這只能算是Intel前進之路上的一個小波折,更宏偉的計劃仍將堅定執(zhí)行下去,比如下一代450毫米晶圓。Intel CEO科再奇此前曾經(jīng)重申,450毫米晶圓將在這個十年的
為了克服制程微縮帶來日益嚴(yán)峻的設(shè)計復(fù)雜度與成本提升,朝向18寸(450mm)晶圓制造邁進已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同努力的目標(biāo),然而,18寸晶圓世代的有效轉(zhuǎn)型無法一蹴可幾,必須有賴業(yè)者合作制定規(guī)范,并提升生產(chǎn)技術(shù)才有可
為了克服制程微縮帶來日益嚴(yán)峻的設(shè)計復(fù)雜度與成本提升,朝向18寸(450mm)晶圓制造邁進已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同努力的目標(biāo),然而,18寸晶圓世代的有效轉(zhuǎn)型無法一蹴可幾,必須有賴業(yè)者合作制定規(guī)范,并提升生產(chǎn)技術(shù)才有可能
為了克服制程微縮帶來日益嚴(yán)峻的設(shè)計復(fù)雜度與成本提升,朝向18寸(450mm)晶圓制造邁進已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同努力的目標(biāo),然而,18寸晶圓世代的有效轉(zhuǎn)型無法一蹴可幾,必須有賴業(yè)者合作制定規(guī)范,并提升生產(chǎn)技術(shù)才有可
為了克服制程微縮帶來日益嚴(yán)峻的設(shè)計復(fù)雜度與成本提升,朝向18寸(450mm)晶圓制造邁進已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同努力的目標(biāo),然而,18寸晶圓世代的有效轉(zhuǎn)型無法一蹴可幾,必須有賴業(yè)者合作制定規(guī)范,并提升生產(chǎn)技術(shù)才有可能
【楊喻斐/臺北報導(dǎo)】為了克服制程微縮帶來日益嚴(yán)峻的設(shè)計復(fù)雜度與成本提升,朝向18寸(450mm)晶圓制造邁進已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同努力的目標(biāo),然而,18寸晶圓世代的有效轉(zhuǎn)型無法一蹴可幾,必須有賴業(yè)者合作制定規(guī)范,
近日,關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國際學(xué)會“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場內(nèi),多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3~4英寸(75mm~100mm)晶圓的下一代產(chǎn)品??其J已率先供貨6
根據(jù)SEMI最新公布的年度半導(dǎo)體矽晶圓出貨預(yù)測報告,2013年矽晶圓總出貨量預(yù)計相較去年成長1%,而預(yù)計2014和2015年則將持續(xù)穩(wěn)健成長步調(diào)。SEMI預(yù)期,2013年全球拋光矽晶圓(polishedsiliconwafer)與磊晶圓(epitaxialsi
聯(lián)電、世界9日公告9月業(yè)績數(shù)據(jù),隨出貨減少、客戶庫存調(diào)整等,聯(lián)電單月營收減1.34%、世界減5%,但二者單季營收分別季增4.7%、4.36%皆優(yōu)預(yù)期。聯(lián)電公布內(nèi)部自行結(jié)算9月合并營收為新臺幣108.51億元,月減1.34%,但較去
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮