氮化鎵

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蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究

氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長(zhǎng)工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2011-10-16

器件氮化鎵 GAN 電池
三星稱可用玻璃制超大尺寸顯示屏

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周一稱，其研究人員報(bào)告在LED技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)技術(shù)突破，將允許使用窗戶玻璃等普通玻璃生產(chǎn)超大尺寸高級(jí)顯示屏面板。三星稱，三星高級(jí)技術(shù)研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出單晶氮化鎵。這

消費(fèi)電子
2011-10-12

三星顯示屏 LED顯示屏氮化鎵
三星聲稱在LED技術(shù)上取得突破性進(jìn)展

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周一宣布，公司研究人員已經(jīng)在LED(發(fā)光二極管)技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，現(xiàn)在已經(jīng)能夠利用普通玻璃比如窗戶玻璃來(lái)生產(chǎn)超大尺寸的高級(jí)顯示屏面板。三星高級(jí)技術(shù)研究所(Samsung Advanced Institu

消費(fèi)電子
2011-10-11

三星顯示屏 LED技術(shù) 氮化鎵
三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

10月11日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周一稱，其研究人員報(bào)告在LED技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)技術(shù)突破，將允許使用窗戶玻璃等普通玻璃生產(chǎn)超大尺寸高級(jí)顯示屏面板。三星稱，三星高級(jí)技術(shù)研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出

顯示光電
2011-10-11

三星顯示屏 LED技術(shù) 氮化鎵
三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

10月11日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周一稱，其研究人員報(bào)告在LED技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)技術(shù)突破，將允許使用窗戶玻璃等普通玻璃生產(chǎn)超大尺寸高級(jí)顯示屏面板。三星稱，三星高級(jí)技術(shù)研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2011-10-08

三星顯示屏 LED技術(shù) 氮化鎵
美國(guó)高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項(xiàng)目。該項(xiàng)目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改進(jìn)武器數(shù)

消費(fèi)電子
2011-09-27

集成電路碳化硅 FOR 氮化鎵
美國(guó)高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項(xiàng)目。該項(xiàng)目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-09-27

集成電路碳化硅 MDASH 氮化鎵
東莞LED產(chǎn)業(yè)鏈堅(jiān)挺東莞中鎵半導(dǎo)體1年從一千萬(wàn)到一億

1千萬(wàn)元到1億元的距離，東莞中鎵半導(dǎo)體公司（以下簡(jiǎn)稱中鎵半導(dǎo)體）覺(jué)得不遠(yuǎn)，今年直指1億元產(chǎn)值目標(biāo)，而去年產(chǎn)值才1千萬(wàn)元。中鎵半導(dǎo)體的1億元產(chǎn)值，即便在東莞也不算多。led產(chǎn)業(yè)已列入廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。去年，

顯示光電
2011-09-02

半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 LED產(chǎn)業(yè) 氮化鎵
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2012

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN® FET）系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。EPC2012 FET是一

電源
2011-08-19

電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管 EPC 氮化鎵
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2012

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN® FET）系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。EPC2012 FET是一

功率器件
2011-08-19

電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管 EPC 氮化鎵
志在取代藍(lán)寶石制程 Bridgelux：兩年內(nèi)推矽基板

臺(tái)積電(2330)轉(zhuǎn)投資的LED照明技術(shù)及解決方案研發(fā)與制造廠商Bridgelux公司今早宣布，其刷新自己創(chuàng)下在業(yè)界「氮化鎵上矽」技術(shù)（GaN-on-Si）最高每瓦流明紀(jì)錄。Bridgelux技術(shù)長(zhǎng)Steve Lester指出，公司對(duì)于這個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)

模擬
2011-08-16

基板 LM BRIDGE 氮化鎵
普瑞未來(lái)兩年內(nèi)制造出硅襯底LED芯片

近日，普瑞宣布將在未來(lái)兩年預(yù)計(jì)制造基于硅襯底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下，阻礙了LED照明在通用照明領(lǐng)域的普及，普瑞希望通過(guò)此舉可降低大約20%至30%LED照明成本。普瑞公司戰(zhàn)略和發(fā)展副總裁Bullington表示

消費(fèi)電子
2011-08-12

LED芯片 LED照明氮化鎵
普瑞將在未來(lái)兩年內(nèi)制造出硅襯底LED芯片

近日，普瑞宣布將在未來(lái)兩年預(yù)計(jì)制造基于硅襯底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下，阻礙了LED照明在通用照明領(lǐng)域的普及，普瑞希望通過(guò)此舉可降低大約20%至30%LED照明成本。普瑞公司戰(zhàn)略和發(fā)展副總裁Bullington表示

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-08-11

LED芯片 LED照明氮化鎵
Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘

模擬
2011-08-09

單晶半導(dǎo)體器件電阻率氮化鎵
Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于

模擬
2011-08-08

單晶電阻率 TE 氮化鎵
Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2011-08-05

單晶電阻率 TE 氮化鎵
中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模分析（圖）

賽迪顧問(wèn)表示，從2003年啟動(dòng)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程到現(xiàn)在，中國(guó)的led產(chǎn)業(yè)已經(jīng)獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展。2008年，受全球金融危機(jī)的影響，LED行業(yè)下游需求低迷，LED行業(yè)增長(zhǎng)減慢。到2009年，由于國(guó)家的各項(xiàng)配套政策，LED行業(yè)的增

顯示光電
2011-08-02

AI LG LED產(chǎn)業(yè) 氮化鎵
東莞垂直整合LED產(chǎn)業(yè)鏈圈定八大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)

轉(zhuǎn)播到騰訊微博東莞，正發(fā)動(dòng)一場(chǎng)科技創(chuàng)新促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)和轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式的“諾曼底登陸”。東莞市科學(xué)技術(shù)局局長(zhǎng)何躍沛昨日接受南都記者專(zhuān)訪時(shí)介紹，一份支撐和引領(lǐng)東莞市經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的科技創(chuàng)新的專(zhuān)

顯示光電
2011-07-28

電動(dòng)車(chē) 碳化硅 LED產(chǎn)業(yè) 氮化鎵
2011年GaN LED市場(chǎng)有望增長(zhǎng)38% 達(dá)到108億美元

IMS Research最新發(fā)布的“氮化鎵季度led供需報(bào)告”中指出，2011年氮化鎵（藍(lán)/綠）LED市場(chǎng)銷(xiāo)量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)49％至62億個(gè)，銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)38％至108億美元，而2010年氮化鎵（藍(lán)/綠）LED市場(chǎng)的銷(xiāo)售額增長(zhǎng)67％至80億美元。 I

顯示光電
2011-07-11

LED RESEARCH 氮化鎵 GAN
世界最大的氮化鎵LED MOCVD反應(yīng)器誕生 LED制造成本有望下降

來(lái)自AIXTRON SE公司官方網(wǎng)發(fā)布的消息，AIXTRON SE最新推出的CRIUS II-L MOCVD反應(yīng)器將MOCVD反應(yīng)器的容量，生產(chǎn)能力和led生產(chǎn)成本都提升到新的高度，成為世界上最大容量的MOCVD反應(yīng)器。該MOCVD反應(yīng)器具有生產(chǎn)16x4英寸

顯示光電
2011-07-08

LED AI SE 氮化鎵

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氮化鎵

蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究

三星稱可用玻璃制超大尺寸顯示屏

三星聲稱在LED技術(shù)上取得突破性進(jìn)展

三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

美國(guó)高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

美國(guó)高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

東莞LED產(chǎn)業(yè)鏈堅(jiān)挺東莞中鎵半導(dǎo)體1年從一千萬(wàn)到一億

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2012

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2012

志在取代藍(lán)寶石制程 Bridgelux：兩年內(nèi)推矽基板

普瑞未來(lái)兩年內(nèi)制造出硅襯底LED芯片

普瑞將在未來(lái)兩年內(nèi)制造出硅襯底LED芯片

Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模分析（圖）

東莞垂直整合LED產(chǎn)業(yè)鏈圈定八大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)

2011年GaN LED市場(chǎng)有望增長(zhǎng)38% 達(dá)到108億美元

世界最大的氮化鎵LED MOCVD反應(yīng)器誕生 LED制造成本有望下降

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