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預想高壓GaN的未來
TI最近推出的LMG3410用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、具有集成驅動器的解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳的應用。
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用集成驅動器優(yōu)化GaN性能
將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。
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讓我們一起實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行
我經常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能夠大大增加這項高能效技術的市場滲透能力。
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EPC推出全新網上氮化鎵產品選型指南，可簡化高性能功率轉換系統(tǒng)的產品選型
采用先進氮化鎵晶體管及集成電路(IC)的功率系統(tǒng)設計工程師現(xiàn)在可以利用互動式、網上參數(shù)選型工具，替他們的功率轉換系統(tǒng)找出基于氮化鎵器件的最優(yōu)解決方案。
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氮化鎵何去何從？EPC 公司推出關于氮化鎵技術的6個視頻應用于工業(yè)及消費類產品
宜普電源轉換公司制作了6個視頻，于網上分享采用eGaN® FET及集成電路(IC)并面向最終用戶的應用。這些視頻展示出氮化鎵技術如何改變了我們的生活方式及挑戰(zhàn)功率系統(tǒng)設計工程師如何在他們的新一代功率系統(tǒng)設計中發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管的卓越性能。
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派更半導體推出支持氮化鎵功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器
正如Cisco視覺網絡指數(shù) (VNI) 預測，到了2019年，每個月將有五百萬年的視頻內容在互聯(lián)網上傳播。這意味著每一秒就有將近一百萬分鐘的視頻在流動或者下載。為了迎合消費者的需求，有線電視行業(yè)在2013年10月宣布了DOCSIS 3.1標準，以期提供數(shù)千兆的流通量。這一標準為該行業(yè)制定了一個遠大的目標。
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Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser
貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵(GaN)解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的效率和功率密度設計需要，設計工程師一直在尋找GaN技術等可替代傳統(tǒng)MOS技術
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氮化鎵功率技術大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內媒體的集體“圍觀”。富士
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名利兼收！中村修二以紫色LED打造完美白光
一般我們所見到的白光LED，是由藍色LED芯片激發(fā)黃色螢光材料而成，發(fā)光波長與色溫較不均勻，不易提高平均演色性評價指數(shù)(Ra)。Soraa公司則是以紫色LED芯片，搭配紅、綠、藍三色螢光材料組成白光LED，能輸出所有可見光波長范圍中的光，而且Ra值較高。
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宜普電源轉換公司（EPC）出版《無線電源手冊》第二版
《無線電源手冊》第二版是全新增訂本，旨在幫助工程師如何發(fā)揮氮化鎵功率晶體管的卓越性能以設計出面向無線電源傳送系統(tǒng)的高效放大器。宜普電源轉換公司宣布推出《無線電源
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宜普電源轉換公司（EPC）出版關于如何發(fā)揮氮化鎵晶體管優(yōu)勢的實用指南--《DC/DC轉換手冊》
宜普公司的《DC/DC轉換手冊》與工程師分享如何在數(shù)據(jù)通信設備及其它功率轉換應用中利用氮化鎵(GaN)功率晶體管提高效率及功率密度。
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飛思卡爾推出首款蜂窩移動通信基站專用的氮化鎵射頻功率晶體管
飛思卡爾已實現(xiàn)該器件的量產，該器件完美結合了高效率、高增益及射頻輸出功率飛思卡爾半導體公司日前推出了其首款蜂窩移動通信基站專用的氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管。新產品A2G22S160-01S在無線基礎設施應用所使用的
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宜普電源轉換公司推出具有寬間距的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET） 小尺寸可以承載大電流
全新氮化鎵(eGaN®)功率晶體管(EPC2029)進一步擴大宜普電源轉換公司的功率晶體管系列 – EPC2029 氮化鎵晶體管使用高效、具有寬間距的芯片規(guī)模封裝，可易于實現(xiàn)高
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小尺寸承載大電流！ 宜普電源轉換公司推出寬間距氮化鎵場效應晶體管
采用全新100 V EPC2104半橋式器件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下，系統(tǒng)效率可超過97%;而在22 A、500 kHz開關頻率下，系統(tǒng)效率則接近97%。宜
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宜普電源轉換公司推出單片式氮化鎵半橋器件
EPC2105氮化鎵半橋器件為系統(tǒng)設計師提供更高效及具有更高功率密度的解決方案--推動48 V轉至12 V并在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統(tǒng)可以在10 A輸出電流時實現(xiàn)高達接近98%效率，以及推動48 V轉至1 V并在300kH
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“變形”LED制作有新招：氮化鎵植于石墨烯
目前，許多由有機材料制造的電子和光電子材料都具備良好的柔韌度，易于改變形狀。與此同時，不易形變的無機化合物在制造光學、電氣和機械元件方面展現(xiàn)出了強大的性能。但由于技術原因，二者卻很難優(yōu)勢互補，功能優(yōu)異
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英飛凌欲以約30億美元現(xiàn)金收購美國國際整流器公司股份
英飛凌科技股份公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 及美國國際整流器公司 (NYSE:IRF) 今日宣布，兩家公司已簽訂一項最終協(xié)議，據(jù)此英飛凌將以每股 40 美元的價格收購國際整流器公司的股份，該項交易將全部以現(xiàn)金完成，價
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宜普電源轉換公司推出高性能氮化鎵功率晶體管
氮化鎵(eGaN®)功率晶體管繼續(xù)為電源轉換應用設定業(yè)界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可
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宜普電源轉換公司推出采用高頻氮化鎵場效應晶體管
21ic訊 由于氮化鎵場效應晶體管具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小，它是高度諧振并符合Rezence (A4WP)規(guī)格的無線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，可提高該系統(tǒng)的效率。宜普電源轉換公司宣布推
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半導體所高性能GaN外延材料研究取得進展
【導讀】半導體所高性能GaN外延材料研究取得進展 中國科學院網2006年9月12日報道：近日，由中國科學院半導體研究所承擔的知識創(chuàng)新工程重要方向項目——“高性能氮化鎵(GaN)外延材料研究”通過了專家鑒定。
