氮化鎵

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)氮化鎵器件

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-05-14

器件氮化鎵功率器件家庭影院
孫錢(qián)：硅襯底上氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

2013年5月14日下午，在由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟與英國(guó)勵(lì)展博覽集團(tuán)共同主辦的“2013上海國(guó)際新光源&新能源照明論壇”之 “新光源&新能源照明的應(yīng)用”分會(huì)上，來(lái)自晶能光電有限公司孫錢(qián)博士做了題為《硅襯

顯示光電
2013-05-14

新能源大功率LED GAN 氮化鎵
劍橋大學(xué)CCS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)6英寸硅晶片生長(zhǎng)氮化鎵外延

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司(Aixtron)日前宣布，劍橋大學(xué)在材料科學(xué)與冶金系的新設(shè)施中成功完成另一套多晶片近耦合噴淋頭(CCS)MOCVD反應(yīng)器的調(diào)試工作。據(jù)愛(ài)思強(qiáng)稱(chēng)，劍橋大學(xué)該套6x2英寸的CCS系統(tǒng)將配置為可以處理一片6英

顯示光電
2013-04-28

晶片 LED CCS 氮化鎵
劍橋大學(xué)實(shí)現(xiàn)6英寸硅晶片生長(zhǎng)氮化鎵外延

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司(Aixtron)日前宣布，劍橋大學(xué)在材料科學(xué)與冶金系的新設(shè)施中成功完成另一套多晶片近耦合噴淋頭(CCS)MOCVD反應(yīng)器的調(diào)試工作。據(jù)愛(ài)思強(qiáng)稱(chēng)，劍橋大學(xué)該套6x2英寸的CCS系統(tǒng)將配置為可以處理一片6英

顯示光電
2013-04-24

晶片 CCS BSP 氮化鎵
宜普公司推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9005開(kāi)發(fā)板

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9005開(kāi)發(fā)板，展示最新推出、專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器可幫助工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)而采用氮化鎵技

模擬
2013-04-10

開(kāi)發(fā)板場(chǎng)效應(yīng)晶體管 EPC 氮化鎵
臺(tái)港企業(yè)在南京共建12億美元半導(dǎo)體項(xiàng)目

新華網(wǎng)南京4月6日電(記者張展鵬)記者6日從南京市臺(tái)辦獲悉，由臺(tái)灣立升投資控股集團(tuán)與香港企業(yè)共建的半導(dǎo)體項(xiàng)目已簽約落戶(hù)南京，項(xiàng)目計(jì)劃總投資達(dá)12億美元。該項(xiàng)目位于南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，由臺(tái)灣立升投資控股

消費(fèi)電子
2013-04-07

半導(dǎo)體封裝砷化鎵氮化鎵
臺(tái)港企業(yè)在南京共建12億美元半導(dǎo)體項(xiàng)目

新華網(wǎng)南京4月6日電(記者張展鵬)記者6日從南京市臺(tái)辦獲悉，由臺(tái)灣立升投資控股集團(tuán)與香港企業(yè)共建的半導(dǎo)體項(xiàng)目已簽約落戶(hù)南京，項(xiàng)目計(jì)劃總投資達(dá)12億美元。該項(xiàng)目位于南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，由臺(tái)灣立升投資控股集團(tuán)、

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-07

半導(dǎo)體封裝砷化鎵氮化鎵
宜普推出全新內(nèi)含100 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)發(fā)板

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010開(kāi)發(fā)板。這種開(kāi)發(fā)板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)來(lái)設(shè)計(jì)產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速直流-直流電源、負(fù)

模擬
2013-03-22

開(kāi)發(fā)板場(chǎng)效應(yīng)晶體管 EPC 氮化鎵
宜普展示200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管可使設(shè)計(jì)功率系統(tǒng)變得容易

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9004開(kāi)發(fā)板，展示最新推出、專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器，可幫助設(shè)計(jì)工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅功

模擬
2013-02-19

開(kāi)發(fā)板場(chǎng)效應(yīng)晶體管 EPC 氮化鎵
TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時(shí)改進(jìn)效率和增益。這些新的

通信技術(shù)
2012-12-18

晶體管 BSP TRIQUINT 氮化鎵
富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-11-21

半導(dǎo)體富士通氮化鎵功率器件
富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

21ic訊富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量

電源
2012-11-20

半導(dǎo)體富士通氮化鎵功率器件
TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇

21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司和Richardson RFPD日前宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術(shù)中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品系列——包括放大器、晶體管和開(kāi)關(guān)。TriQuint

通信技術(shù)
2012-10-23

RF PD TRIQUINT 氮化鎵
TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇

TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)者，并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過(guò)廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列，和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務(wù)，繼續(xù)保持

模擬
2012-10-23

RF PD TRIQUINT 氮化鎵
突破技術(shù)瓶頸AZZURRO量產(chǎn)8吋矽基板LED

AZZURROSemiconductors將正式投產(chǎn)8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)。繼2011年量產(chǎn)6吋晶圓后，AZZURROSemiconductors日前再度公開(kāi)宣示，將于2013年第二季導(dǎo)入8吋矽基氮化鎵LED晶圓生產(chǎn)，以迎合未來(lái)客戶(hù)需求。

顯示光電
2012-09-22

LED 基板 SEMICONDUCTORS 氮化鎵
高頻氮化鎵(eGaN)助力無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)發(fā)展

增強(qiáng)型氮化鎵電源管理器件的供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity™公司開(kāi)發(fā)出采用高頻氮化鎵(eGaN®)的無(wú)線(xiàn)電源展示系統(tǒng)。WiTricity™公司的無(wú)線(xiàn)電源展示系統(tǒng)內(nèi)含宜

通信技術(shù)
2012-08-17

無(wú)線(xiàn)充電技術(shù) 無(wú)線(xiàn)電源 GAN 氮化鎵
氮化鎵基高亮度LED核心專(zhuān)利分析

目前，世界范圍內(nèi)在GaN基高亮度LED及半導(dǎo)體全固態(tài)照明光源的研發(fā)方面居于領(lǐng)先水平的公司主要有：美國(guó)的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、

顯示光電
2012-08-16

LED LEDS CREE 氮化鎵
美國(guó)能源部選定Soraa引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項(xiàng)目

美國(guó)能源部(DOE)下屬能源轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)ARPA-E已經(jīng)選定氮化鎵對(duì)氮化鎵(GaN-on-GaN)新成立公司Soraa來(lái)引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項(xiàng)目。新成立公司Soraa在二月份舉辦的照明策略大會(huì)(the Strategies in Light Conference)上毫無(wú)動(dòng)靜，但

顯示光電
2012-08-10

照明 LED技術(shù) GAN 氮化鎵
基于氮化鎵的LED：成本效益更低

過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron(愛(ài)思強(qiáng))公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自身的技術(shù)制造基于硅襯底的氮化鎵晶片。“我們使用更薄的氮化鎵

顯示光電
2012-08-01

晶片 LED LM 氮化鎵
LED球泡燈成本將顯著降低

成本一直是LED照明一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購(gòu)買(mǎi)高能效LED球泡燈?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。白光LED的制備

顯示光電
2012-06-18

LED 基板球泡燈氮化鎵

首頁(yè) 上一頁(yè) 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 下一頁(yè) 尾頁(yè)

氮化鎵

IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)氮化鎵器件

孫錢(qián)：硅襯底上氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

劍橋大學(xué)CCS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)6英寸硅晶片生長(zhǎng)氮化鎵外延

劍橋大學(xué)實(shí)現(xiàn)6英寸硅晶片生長(zhǎng)氮化鎵外延

宜普公司推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9005開(kāi)發(fā)板

臺(tái)港企業(yè)在南京共建12億美元半導(dǎo)體項(xiàng)目

臺(tái)港企業(yè)在南京共建12億美元半導(dǎo)體項(xiàng)目

宜普推出全新內(nèi)含100 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)發(fā)板

宜普展示200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管可使設(shè)計(jì)功率系統(tǒng)變得容易

TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇

TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇

突破技術(shù)瓶頸AZZURRO量產(chǎn)8吋矽基板LED

高頻氮化鎵(eGaN)助力無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)發(fā)展

氮化鎵基高亮度LED核心專(zhuān)利分析

美國(guó)能源部選定Soraa引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項(xiàng)目

基于氮化鎵的LED：成本效益更低

LED球泡燈成本將顯著降低

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(hù)(人)

熱門(mén)活動(dòng)

課程視頻