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21ic新聞大爆炸：新理論改進塑料半導(dǎo)體 有助研制彎曲屏
新理論改進塑料半導(dǎo)體性能 有助研制彎曲屏據(jù)報道，消費者一直希望擁有能彎曲的智能手機和平板電腦，但現(xiàn)在的芯片、顯示器等電子元件一般由金屬和無機半導(dǎo)體組成，因此，科學家們嘗試著用塑料(聚合物)研制出柔性電子設(shè)
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科學家開發(fā)下一代“完全整合”LED組件
美國倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智能照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布，已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率晶體管。研究人員稱這項創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門，因為它的制造
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美國ABI公司研究表明氮化鎵推動微波射頻功率市場發(fā)展
[據(jù)美國化合物半導(dǎo)體網(wǎng)站2013年9月20日報道]氮化鎵功率半導(dǎo)體市場將在2018年增長到超過2.5億美元。可工作在4～18GHz的氮化鎵器件已成為微波射頻功率市場的新增長點。美國ABI市場情報研究公司表示，大功率氮化鎵器件將
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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備
近日消息，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成
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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備
據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)
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美國ABI公司研究表明氮化鎵推動微波射頻功率市場發(fā)展
[據(jù)美國化合物半導(dǎo)體網(wǎng)站2013年9月20日報道]氮化鎵功率半導(dǎo)體市場將在2018年增長到超過2.5億美元?？晒ぷ髟?～18GHz的氮化鎵器件已成為微波射頻功率市場的新增長點。美國ABI市場情報研究公司表示，大功率氮化鎵器件將
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GaN（氮化鎵）技術(shù)嶄露頭角
9月12日第十二屆電源技術(shù)研討會北京站召開，TOP-10電源產(chǎn)品獎頒獎，為21IC和今日電子一年一度的電源季畫上了圓滿的句號。和以往相比，今年GaN（氮化鎵）技術(shù)受關(guān)注的程度顯著提高，在研討會、頒獎禮和廠商交流中被多
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如何使用氮化鎵器件：引進氮化鎵晶體管技術(shù)
本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們在未來數(shù)個月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時
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東芝采用硅上氮化鎵工藝打造白光LED產(chǎn)品
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近推出采用硅上氮化鎵(GaN-on-Si)工藝打造的白色LED產(chǎn)品。LED可降低正向電壓(VF)，屬于亞瓦型低功耗產(chǎn)品。該產(chǎn)品將以兩種封裝推出：采用3.0 x 1.4mm封裝的TL2FK系列以及采用
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美國公司推出氮化鎵基板的白光LED產(chǎn)品
美國一公司近日推出了一款以氮化鎵(GaN-on-Silicon)為基板的白光LED照明產(chǎn)品，該產(chǎn)品由普萊思公司(Plessey)制造，型號為MAGIC PLW111010 PLCC-2 SMT。這些硅上氮化鎵(GaN-on-Silicon)LED是首批在6英寸GaN-on-Silic
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塞倫光電張彤：提高LED技術(shù)才能在行業(yè)動蕩中“穩(wěn)中求進”
2013年是LED發(fā)展爆發(fā)的元年，也是LED行業(yè)的是非年，產(chǎn)能過剩、核心技術(shù)缺失低價競爭、盈利下降、價格混亂、倒閉潮、跑路門……在如此動蕩的時局下，企業(yè)面臨著激烈的市場競爭。而在這激烈的競爭中，企業(yè)更多的把目光
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科學家開發(fā)下一代「完全整合」LED元件
倫斯勒理工學院(RensselaerPolytechnicInstitute)的智慧照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布，已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門，因為它的制造成本更低
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美國科學家開發(fā)新一代完全整合LED元件
美國倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布，已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門，因為它的制造
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TriQuint加速了氮化鎵的供應(yīng)速度
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體，日前發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢。TriQuint公司中國區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品
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科學家開發(fā)下一代“完全整合”LED元件
倫斯勒理工學院(RensselaerPolytechnicInstitute)的智能照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布，已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門，因為它的制造成本更低
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IHS：2013年氮化鎵LED產(chǎn)品收益將超100億美金
IHS研究公司預(yù)計，2013年將有超過1000億件氮化鎵LED單位的出貨，且來自于氮化鎵LED產(chǎn)品的收益將超過100億美金。公司預(yù)計今年應(yīng)用于照明領(lǐng)域的氮化鎵LED產(chǎn)品總收入將達到34億美金，并于2016年達到67億美金。 IHS指出，
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硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底大功率
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宜普公司的全新氮化鎵功率器件網(wǎng)上圖書館正式開館
宜普電源轉(zhuǎn)換公司于2013年5月宣布全新設(shè)計的宜普網(wǎng)站的氮化鎵晶體管網(wǎng)上圖書館正式開館(epc-co.com )， 使工程師可以輕松搜尋及取得關(guān)于氮化鎵晶體管技術(shù)的教育資源及產(chǎn)品資料。功率設(shè)計工程師可以瀏覽主頁便直接找
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IR開始商業(yè)裝運氮化鎵器件
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一家業(yè)界領(lǐng)先的消費電子產(chǎn)品公司所
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IR開始商業(yè)裝運氮化鎵器件
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺的產(chǎn)品。這套家庭影院
