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臺達電將斥資百億 建3座硅晶圓廠
近來國際油價走揚，根據(jù)高盛預估，今年底原油每桶可望沖上85美元，下半年油價走勢蠢動。業(yè)者紛紛轉而投入新興能源市場，以避免油價波動。《蘋果日報》報導，臺達電執(zhí)行長海英俊相當看好新興能源市場，預估未來5年每年
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茂迪反撲上游廠 競標采購硅晶圓
近期業(yè)界傳出太陽能電池龍頭廠茂迪要求上游硅晶圓供貨商提報價格競標，成為景氣反轉以來，首家電池廠采競標方式購料，此舉將有助于電池廠取得最低成本料源，被視為是臺系電池廠向上游廠反撲的「第1擊」。茂迪發(fā)言體系
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2008年硅晶圓市場銷售額減少5.7% 供應商排名基本不變
市場研究公司Gartner指出，2008年晶圓需求按銷售額來計算下滑5.7%至118億美元，主要原因是下半年需求停滯。這是自2001年以來首次年度銷售額下滑。 從供應商排名來看，日本SHE仍排名第一，市占率達33.3%，增長0.8%，
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歐洲多晶硅大廠REC決定將產(chǎn)能降低35%
隨著日本德山(Tokuyama)、美國MEMC及Hemlock、德國Wacker等國際大廠，新投產(chǎn)的多晶硅(polysilicon)產(chǎn)能將自第二季度后陸續(xù)開出，加上中國國內(nèi)廠商的持續(xù)擴產(chǎn)，讓已面臨供給過剩的多晶硅價格持續(xù)下跌，半導體及太陽能
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SEMI SMG：2009年第一季度全球硅晶圓出貨面積同比減少57% 創(chuàng)2001年來新低
SEMI Silicon Manufacturers Group（SMG）的分析顯示，2009年第一季度全球硅晶圓出貨面積較去年第四季度迅猛減少。 第一季度硅晶圓出貨面積為9.4億平方英寸，較去年第四季度的14.28億平方英寸減少34%，較去年第一季
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2009年第一季度全球硅晶圓出貨面積同比減少57% 創(chuàng)2001年來新低
SEMI Silicon Manufacturers Group（SMG）的分析顯示，2009年第一季度全球硅晶圓出貨面積較去年第四季度迅猛減少。 第一季度硅晶圓出貨面積為9.4億平方英寸，較去年第四季度的14.28億平方英寸減少34%，較去年第一季度
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臺積電訂單下降 12寸廠擴充腳步重啟
近期，受大陸家電下鄉(xiāng)刺激，臺積電、世界先進與聯(lián)電8寸廠產(chǎn)能利用率急拉，臺積電擴充12寸廠腳步也重新啟動，上游硅晶圓供貨商表示，近期明顯感受到8寸硅晶圓產(chǎn)能供不應求，據(jù)了解MEMC目前8寸硅晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)滿載。半導
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臺積電訂單能見度到6月 重啟12寸廠擴充腳步
受大陸家電下鄉(xiāng)刺激，臺積電、世界先進與聯(lián)電8寸廠產(chǎn)能利用率急拉，臺積電擴充12寸廠腳步也重新啟動，上游硅晶圓供貨商表示，近期明顯感受到8寸硅晶圓產(chǎn)能供不應求，據(jù)了解MEMC目前8寸硅晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)滿載。半導體業(yè)者
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MEMC裁減200名制造工人
美國證券交易委員會的信息顯示，硅晶圓供應商MEMC公司近期裁減200名工人以降低成本。 MEMC預計此次裁員將為第二季度增加250萬美元的相關開支。 二月，MEMC日本裁員約100人。
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新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務，“質(zhì)量不輸美國可瑞”
新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品，而此次
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2009年硅晶圓需求將減35% 下半年或反彈
市場研究公司Gartner指出，2009年硅晶圓需求預計將較2008年減少35.3%。 受金融危機造成的電子產(chǎn)品與半導體產(chǎn)品需求下降，2008年第四季度硅晶圓需求環(huán)比減少36.3%。 Gartner目前預計2009年全球半導體收入將減少24%至
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09年硅晶圓需求預計同比下滑35% 下半年將現(xiàn)短暫反彈
市場分析機構Gartner預測，2009年對硅晶圓的需求將同比下滑35.3%。由于美國金融危機的爆發(fā)引發(fā)了全球經(jīng)濟震蕩，對電子產(chǎn)品和芯片產(chǎn)品的需求迅速下滑，致使2008年第四季度對硅晶圓的需求環(huán)比下滑了36.3%。 Gartner預
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中國大陸太陽能硅晶圓降價排庫存
大陸硅晶圓大廠庫存壓力一直難排解，近期部分大廠已開始大舉出清庫存，導致6寸多晶硅晶圓現(xiàn)貨價格出現(xiàn)每片跌破5美元情況，并使得兩岸太陽能硅晶圓現(xiàn)貨市場報價再陷混亂局面。不過，太陽能業(yè)者透露，由于近期某些貨源
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天科合達將高質(zhì)量碳化硅晶圓價格推向歷史新低
目前，半導體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術的革新。作為第三代寬帶隙半導體材料，SiC 在熱學、電學、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料，可廣泛用于制造半導體照明、微電子、電力電子等半導體器件。 根據(jù)權
