近日,在日本政府的推動下,東京電子、豐田汽車、索尼、NTT等8家日本企業(yè)已攜手設立一家新的晶圓代工企業(yè)——“Rapidus”,目標在2025-2030年間實現(xiàn)2nm及以下制程邏輯芯片的研發(fā)和量產(chǎn)。Rapidus公司已經(jīng)與 IBM 簽訂了合作協(xié)議,開發(fā)基于 IBM 2nm制程技術。Rapidus 表示,將于 2027 年在日本晶圓廠大規(guī)模生產(chǎn)芯片。
臺積電今天上午正式宣布3nm工藝量產(chǎn),這是當前全球最先進的半導體工藝,明年開始貢獻營收。
如今的半導體芯片工藝制程越來越先進了,今年三星量產(chǎn)了3nm工藝,臺積電的3nm也蓄勢待發(fā),明年就會是3nm的高光時代,2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)。
Imec和日本政府支持的以2nm工藝為目標的半導體初創(chuàng)公司Rapidus本月早些時候在東京舉行的簽字儀式上同意了一項技術合作。
昨天,臺積電總裁魏哲家在臺北玉山科技論壇上發(fā)表了名為《半導體產(chǎn)業(yè)的新挑戰(zhàn)》的演講,其中談及赴日建廠的原因,并首次透露將派500~600名頂級工程師前往日本。
業(yè)內分析稱,臺積電1奈米廠最快2026年中可開始動土,最快2027年試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)。
據(jù)報道,為了攻克2nm先進工藝,日本已經(jīng)制定復興計劃,聯(lián)手歐洲IMEC之后又確定聯(lián)手IBM。
代工現(xiàn)象在電子產(chǎn)品的比率特別高,比如筆記本中著名代工廠家廣達所生產(chǎn)的筆記本電腦占到全球筆記本臺數(shù)的30%上下(2005)而廣達無自有筆記本品牌。IT數(shù)據(jù)公司iSuppli稱全世界銷售的筆記本電腦有86%來自中國(2006年8月數(shù)據(jù))。
11月23日消息,據(jù)市場研究公司Omdia最新數(shù)據(jù),最大的存儲芯片制造商三星電子在第三季度營收大幅下滑,失去全球半導體銷冠寶座。
據(jù)業(yè)內信息報道,在日本政府支持下,8家日本巨頭成立半導體企業(yè)Rapidus公司,該公司表示目標是超越2nm制程工藝,但是近日該公司被批好高騖遠。
據(jù)報道,臺積電3nm晶圓的價格可謂指數(shù)級增加,一片高達2萬美元,約合14萬人民幣。
本周一,臺積電創(chuàng)始人張忠謀對媒體證實,該公司已經(jīng)“差不多敲定”,計劃在位于美國亞利桑那州的新工廠生產(chǎn)3納米(nm)芯片。
據(jù)業(yè)內消息, Intel計劃明年首發(fā)14代酷睿,但是近日有消息稱,基于Intel自家的Intel 20A工藝的Arrow Lake已經(jīng)有內測芯片流片,而該芯片就是15代酷睿。
在全球先進半導體工藝中,臺積電、三星都有2nm工藝計劃,美國也能靠Intel實現(xiàn)2nm及以下的工藝,日本作為曾經(jīng)的半導體第一已經(jīng)沒有了先進工藝生產(chǎn)能力,這也是他們要努力補上的,現(xiàn)在要聯(lián)手美國實現(xiàn)目標。
目前全球能做到2nm工藝的公司沒有幾家,主要是臺積電、Intel及三星,日本公司在設備及材料上競爭力有優(yōu)勢,但先進工藝是其弱點,現(xiàn)在日本要聯(lián)合美國研發(fā)2nm工藝,不依賴臺積電,最快2025年量產(chǎn)。
在上周的SEDEX 2022,三星更新了技術路線圖,宣稱計劃2025年投產(chǎn)2nm芯片,2027年投產(chǎn)1.4nm。其中對于2nm,三星研究員Park Byung-jae介紹了BSPDN(back side power delivery network)也就是背面供電。
隨著近日最新出產(chǎn)的高性能芯片大量使用4nm工藝,不少廠商的3nm制程工藝也被提上日程,正式進入到了測試階段,也預計將在2023年年末就會看到3nm制程的產(chǎn)品面向市場。
據(jù)業(yè)內信息報道,昨天全球半導體代工龍頭臺積電公布了Q3季度財報數(shù)據(jù),營收及利潤均保持了環(huán)比兩位數(shù)的增長,超出行業(yè)之前的預期,能在過去幾年世界半導體市場萎靡的大環(huán)境下的背景之下逆勢增長也說明了臺積電在全球半導體行業(yè)的絕對實力,同時臺積電也透露了最新的工藝進展,比如2nm制程工藝的順利進行。
10月13日,臺積電發(fā)布了2022年Q3季度財報,合并營收約新臺幣6131億4千萬元,稅后純益約新臺幣2808億7千萬元,每股盈余為新臺幣10.83元(折合美國存托憑證每單位為1.79美元)。
據(jù)資料顯示,臺積電2nm制程將采用GAAFET架構,相比臺積電3nm,在相同功耗下速度快10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%,應用包含移動計算、高性能計算及完備的小芯片整合解決方案。臺積電 2nm 進度將領先對手三星及英特爾。