1月9日消息,據(jù)知情人士透露,西部數(shù)據(jù)已經(jīng)重啟與鎧俠的談判,該交易可能促使兩家存儲(chǔ)供應(yīng)商合并,形成一股足以與三星抗衡的力量。
正舉行的2022閃存峰會(huì)(FMS)上,長江存儲(chǔ)正式發(fā)布了基于晶棧(Xtacking)3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。
2016年成立的長江存儲(chǔ),于2017年通過自主研發(fā)和國際合作的方式,設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年,長江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn),2020年,第三代TLC/QLC研發(fā)成功,推進(jìn)到128層3D堆疊。
在NAND閃存行業(yè),隨著長江存儲(chǔ)在2019年量產(chǎn)自研的64層閃存,國內(nèi)廠商已經(jīng)殺進(jìn)了這個(gè)行業(yè),自研的Xtacking晶棧技術(shù)不熟三星等五大原廠,連續(xù)推出了64層、128層產(chǎn)品之后,今年要量產(chǎn)192層閃存了。
西部數(shù)據(jù)宣布,與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的BiCS NAND閃存將進(jìn)入第六代,堆疊層數(shù)達(dá)到162層,今年即投入量產(chǎn)。
近日,西部數(shù)據(jù)及其合作伙伴鎧俠表示:用于閃存芯片生產(chǎn)的材料污染,影響了日本兩家工廠的生產(chǎn)。
在3D閃存方面,三星之前一直是領(lǐng)先的,不過美光去年率先量產(chǎn)了176層堆棧的閃存,要想追趕回來,三星最快今年底能量產(chǎn)224層堆棧的閃存,性能還會(huì)提升30%。
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根據(jù)楚天都市報(bào)的報(bào)道,長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示,國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 據(jù)介紹,楊道虹表示,當(dāng)前以及今后一段時(shí)
在CES展會(huì)上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)
如同HDD硬盤中的SMR技術(shù)一樣,QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢(shì),究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差,但是現(xiàn)在的價(jià)格還沒有達(dá)到預(yù)期。對(duì)廠商來說,六大原廠今年都量產(chǎn)了QLC閃存,不過
紫光旗下的長江存儲(chǔ)近年來大舉投資存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè),其中NAND閃存是優(yōu)先發(fā)展對(duì)象,目前已經(jīng)形成了NAND閃存研發(fā)生產(chǎn)、主控IC以及后端封測(cè)等全產(chǎn)業(yè)鏈,根據(jù)最新發(fā)布的信息顯示,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)64層堆棧的3D
2018年中國進(jìn)口了3000多億美元的半導(dǎo)體芯片,其中存儲(chǔ)芯片占據(jù)了1/3也就是上千億美元,而且這部分芯片的國產(chǎn)率為0,國內(nèi)尚無公司能夠大規(guī)模量產(chǎn)閃存及內(nèi)存芯片。在閃存芯片上,紫光集團(tuán)位于武漢的長江存
6月21日消息 根據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞網(wǎng)的報(bào)道,東芝三日市工廠(三重縣四日市)發(fā)生電力故障,一些生產(chǎn)線已關(guān)閉。四日市工廠是該公司生產(chǎn)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND閃存的主要基地,長時(shí)間停工可能會(huì)影響公司的供應(yīng)結(jié)構(gòu)。
東芝公司宣布旗下3D NAND閃存工廠遭遇停電事故,閃存生產(chǎn)將受到影響,東芝表示將盡快恢復(fù)生產(chǎn),不過目前尚無準(zhǔn)確信息,無法評(píng)估這次斷電事故會(huì)帶來多大的影響,尤其是這次事故是否會(huì)影響NAND閃存價(jià)格走向
有業(yè)界人士指出,隨著第二季度96層3D閃存的全球產(chǎn)出增加,未來NAND閃存市場(chǎng)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重供大于求的階段。
西數(shù)去年底就宣布量產(chǎn)96層堆棧的3D NAND閃存了,這次推出的iNAND EU511嵌入式閃存也是96層堆棧的,雖然西數(shù)官方?jīng)]有公布具體類型,但不太可能是QLC閃存,應(yīng)該還是3D TLC,因?yàn)榻衲?月底東芝也發(fā)布了UFS 3.0閃存,就是96層堆棧3D TLC閃存,兩家公司推新一代產(chǎn)品的步驟是差不多的。
2018年NAND閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌,NAND閃存價(jià)格至少跌了50%,主要原因是64層3D NAND閃存堆棧產(chǎn)能大幅增加,市場(chǎng)供應(yīng)大增,今年底三星、東芝等公司又推出了96層堆棧的3D NAND閃存,20
9月20日消息,根據(jù)日本媒體的消息,東芝內(nèi)存與西部數(shù)據(jù)一起在日本三重縣的一座半導(dǎo)體工廠舉行了一場(chǎng)慶祝儀式,據(jù)悉這個(gè)工廠去年2月份開始建設(shè),現(xiàn)在已經(jīng)可以量產(chǎn)96層3D內(nèi)存顆粒了。該工廠是一座Fab 6工
近年來內(nèi)存漲價(jià),讓三星、東芝等公司嘗到了甜頭,長遠(yuǎn)看來,內(nèi)存市場(chǎng)仍然有很大的增長空間,東芝也未進(jìn)一步擴(kuò)展市場(chǎng)做好了準(zhǔn)備。