行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 處理器,該處理器采用可進行生產(chǎn)的 PCI Express®(PCIe®)交換和計時解
引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片Micron公司的MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺,設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。1 總體架構(gòu)設(shè)計機載視頻圖形顯示系
行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。DDR2
根據(jù)市場研究機構(gòu) iSuppli 的最新預(yù)測,DDR3 (Double Data Rate 3) 標準型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球 DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。以單位出貨量計算,
DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設(shè)計人員特別具有吸引力,因為它提供了廣泛的性能,用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計中。本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
歷經(jīng)六年的開發(fā)時間,DDR4終于踏上征程,揚帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新運算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3,開始支持時鐘頻
行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
Integrated Device Technology (IDT)公司宣布支持以Nehalem為架構(gòu)的Intel Xeon處理器,其中包括已可量產(chǎn)的PCI Express(PCIe)交換器和時脈解決方案,以及Intel認可的DDR3緩
歷經(jīng)六年的開發(fā)時間,DDR4終于踏上征程,揚帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新運算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3,開始支持時鐘頻
行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標準中的部分關(guān)鍵屬性,并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標準規(guī)范,相比于DDR3取得重大性能提升,同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)
21ic訊 領(lǐng)先市場的高速、高容量、無需電池的非易失性存儲解決方案供應(yīng)商,賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布,開始向主要OEM和開發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA
全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機,雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報價達到頂峰,但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量
Rambus雖說是專利官司大戶,但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛,從久遠
DRAM廠的競爭決賽進入20納米制程世代,更從4Gb芯片往8Gb芯片邁進,繼韓系大廠2013年宣示8Gb芯片推出后,大整合后氣勢強盛的美光(Micron)也往8Gb DDR3芯片邁進,以25納米制程打造,目的在于掌握大型資料庫云端儲存商機
DRAM拉貨潮啟動,加上芯片廠制程推進受阻,主流DDR34Gb顆?,F(xiàn)貨報價攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價,本季漲幅近二成,有機會向歷史新高4.6美元邁進,華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM
1概述當今計算機系統(tǒng)DDR3存儲器技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用,數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升,現(xiàn)已高達1866Mbps.在這種高速總線條件下,要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時序要求,對設(shè)計實現(xiàn)提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使
Intel將在未來一年內(nèi)連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器,其中Broadwell主打筆記本移動平臺,Skylake則會為桌面平臺帶來全新升級,無論架構(gòu)、技術(shù)都將有質(zhì)的飛躍,尤其是支持DDR4。今天,我們又獲悉了關(guān)于Skylake的大量