DDR3

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臺系DRAM廠減產(chǎn)潮發(fā)酵 9月上旬合約價止穩(wěn)

臺系DRAM廠陸續(xù)減產(chǎn)，帶動現(xiàn)貨價格止跌，14日2GbDDR3品牌晶片現(xiàn)貨價格大漲接近10%，也成功讓9月主流2GBDDR3模組合約價止跌，但4GBDDR3模組合約價仍是有跌價壓力，惟跌幅縮小至5%左右，目前合約價和現(xiàn)貨價價差已拉鋸至

消費電子
2011-09-19

DRAM DDR3 GB CD
臺系DRAM廠減產(chǎn)潮發(fā)酵 9月上旬合約價止穩(wěn)

臺系DRAM廠陸續(xù)減產(chǎn)，帶動現(xiàn)貨價格止跌，14日2GbDDR3品牌晶片現(xiàn)貨價格大漲接近10%，也成功讓9月主流2GBDDR3模組合約價止跌，但4GBDDR3模組合約價仍是有跌價壓力，惟跌幅縮小至5%左右，目前合約價和現(xiàn)貨價價差已拉鋸至

半導體
2011-09-16

4G DRAM DDR3 GB
臺系DRAM廠減產(chǎn)潮發(fā)酵　9月上旬合約價止穩(wěn)

臺系DRAM廠陸續(xù)減產(chǎn)，帶動現(xiàn)貨價格止跌，14日2GbDDR3品牌晶片現(xiàn)貨價格大漲接近10%，也成功讓9月主流2GBDDR3模組合約價止跌，但4GBDDR3模組合約價仍是有跌價壓力，惟跌幅縮小至5%左右，目前合約價和現(xiàn)貨價價差已拉鋸至

模擬
2011-09-15

DRAM DDR3 GB CD
JEDEC發(fā)布DDR3串行存在檢測規(guī)格文檔

JEDEC固態(tài)技術協(xié)會 - 全球電子產(chǎn)業(yè)領導標準制定機構日前發(fā)布DDR3 串行存在檢測（SPD）文檔第四版。該更新版文檔 - 《SPD4_01_02_11，發(fā)布編號21A SPD 附件K - DDR3 SDRAM模組串行存在檢測（SPD）》包括對3種新型內(nèi)

智能硬件
2011-09-06

存儲模塊 PD JEDEC DDR3
DDR4內(nèi)存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術協(xié)會宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

消費電子
2011-08-24

內(nèi)存電壓 DDR4 DDR3
DDR4內(nèi)存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術協(xié)會日前公布了DDR4內(nèi)存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。 JEDEC固態(tài)技術協(xié)會宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

智能硬件
2011-08-24

內(nèi)存電壓 DDR4 DDR3
瀾起科技寄存緩沖器芯片獲Intel認證

存儲緩沖器廠商瀾起科技近日宣布，其新一代DDR3寄存緩沖器通過了Intel的官方認證，完全支持Intel將于今年第三季推出的新款服務器平臺Romley-EP。至此，瀾起的DDR3寄存緩沖器已全面通過Intel現(xiàn)有平臺Westmere-EP和下一

消費電子
2011-08-17

Intel 芯片緩沖器 DDR3
DDR3仍將是主流DRAM技術

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預計DDR3將占89%，高于

智能硬件
2011-07-22

內(nèi)存 PC DRAM DDR3
合約價跌跌不休 DRAM廠恐啟動減產(chǎn)機制

目前各DRAM廠雖無積極擴產(chǎn)，不過在加速制程轉(zhuǎn)換下，使得產(chǎn)出量大為提升，而隨著2Gb價格來到現(xiàn)金成本，大部分DRAM廠財務狀況與現(xiàn)金水位都尚未回復至金融風暴前的水平，以及下半年PC內(nèi)存搭載未顯著提升、加上全球經(jīng)濟衰

模擬
2011-07-15

內(nèi)存 DRAM DDR3 GB
DRAM報價直落爾必達逆勢大舉募資

DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日圓(約新臺幣179億元)新股和近300億日圓的可轉(zhuǎn)債，決定大舉投入30納米和25納

消費電子
2011-07-13

存儲器爾必達 DRAM DDR3
本土華芯半導體下半年將推出1Gb/2Gb DDR3

位于山東濟南的華芯半導體是2008年剛成立的專業(yè)DRAM供應商，目前可提供1Gb和2Gb DDR2，以及1/2/4/8GB DDR2模塊，產(chǎn)品已批量應用于浪潮服務器、浪潮高端容錯計算機、基于龍芯CPU的龍夢一體電腦和刀片服務器、浪潮數(shù)字

消費電子
2011-07-05

半導體平板電腦 DDR3 GB
爾必達樣品供貨采用8Gbit DDR3 SDRAM

爾必達存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV（Through Silicon Via，硅貫通孔）技術積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術實現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必

消費電子
2011-06-30

爾必達 SDRAM DDR3 GB
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術

DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。 2011 年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24

消費電子
2011-06-30

內(nèi)存 PC DRAM DDR3
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預計DDR3將占89%，高于去

模擬
2011-06-30

內(nèi)存 PC DRAM DDR3
爾必達宣布開始銷售采用TSV技術制作的DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術（TSV）制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相當1GB容量），該

模擬
2011-06-29

芯片爾必達 DRAM DDR3
爾必達宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當1GB容量)，該三

電子設計自動化
2011-06-29

芯片爾必達 DRAM DDR3
2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預計DDR3將占89%，高于

智能硬件
2011-06-23

內(nèi)存 PC DRAM DDR3
惠瑞捷高速記憶體平臺鎮(zhèn)獲韓國客戶采用

半導體測試公司惠瑞捷（Verigy）22日宣布，其V93000高速記憶體（HSM）平臺獲得韓國客戶的新款GDDR5量產(chǎn)測試業(yè)務。惠瑞捷表示，V93000 HSM6800是一款運行速度超過每接腳4Gbps GDDR5，超快圖像記憶體元件提供服務的

模擬
2011-06-23

自動測試設備 CRC GBPS DDR3
面向高端市場：三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

韓國三星公司近日宣布將開始量產(chǎn)基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的32GB內(nèi)存條，這款內(nèi)存條產(chǎn)品將主要面向云計算以及高檔服務器應用。相比之前的40nm制程4GbDDR3產(chǎn)品,三星30nm制程4GbDDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出量可提升大約

模擬
2011-06-02

三星內(nèi)存 DDR3 GB
iSuppli研究報告稱今年DRAM市場將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長

IHSiSuppli(IHS-US)最新研究報告指出，受惠于動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場成長仍將持續(xù)增長，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。該項報告指出，全球DRAM模塊的整體出貨量，預估今年

模擬
2011-05-31

AC ISUPPLI DRAM DDR3

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臺系DRAM廠減產(chǎn)潮發(fā)酵 9月上旬合約價止穩(wěn)

臺系DRAM廠減產(chǎn)潮發(fā)酵 9月上旬合約價止穩(wěn)

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DDR4內(nèi)存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

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合約價跌跌不休 DRAM廠恐啟動減產(chǎn)機制

DRAM報價直落爾必達逆勢大舉募資

本土華芯半導體下半年將推出1Gb/2Gb DDR3

爾必達樣品供貨采用8Gbit DDR3 SDRAM

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術

爾必達宣布開始銷售采用TSV技術制作的DDR3 DRAM樣品芯片

爾必達宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術

惠瑞捷高速記憶體平臺鎮(zhèn)獲韓國客戶采用

面向高端市場：三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

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