DDR3

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Intel 14nm全新架構(gòu)海量細(xì)節(jié)：4W！！

Intel將在未來(lái)一年內(nèi)連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器，其中Broadwell主打筆記本移動(dòng)平臺(tái)，Skylake則會(huì)為桌面平臺(tái)帶來(lái)全新升級(jí)，無(wú)論架構(gòu)、技術(shù)都將有質(zhì)的飛躍，尤其是支持DDR4。今天，我們又獲悉了關(guān)于Skylake的大量

智能硬件
2014-06-27

Intel SKYLAKE DDR3 內(nèi)存
AgigA 推出業(yè)界高存儲(chǔ)密度的 DDR3 解決方案

賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無(wú)需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失

嵌入式硬件
2014-06-22

電池供電存儲(chǔ)密度 GB DDR3
AMD先發(fā)制人攜手SimpleTech合推DDR3模塊對(duì)抗英特爾

【導(dǎo)讀】AMD先發(fā)制人攜手SimpleTech合推DDR3模塊對(duì)抗英特爾 Advanced Micro Devices公司(AMD)與SimpleTech公司宣布合作定義面向基于DDR3的SDRAM存儲(chǔ)模塊的寄存器和其它規(guī)范，有望給對(duì)手英特爾一先發(fā)制人

半導(dǎo)體
2014-06-09

英特爾 AMD SIMPLE DDR3
DRAM迎來(lái)希望之光年底將“春光燦爛”

【導(dǎo)讀】在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM 三星美光 DDR3
DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

據(jù)iSuppli公司，2009年DRAM市場(chǎng)搖擺不定，從一個(gè)極端到另一個(gè)極端，但第四季度克服了年初時(shí)的疲弱局面，高調(diào)結(jié)束全年，自2007年以來(lái)首次實(shí)現(xiàn)盈利。2009年第一季度創(chuàng)下2001年

嵌入式硬件
2014-06-07

DRAM ATOM ISUPPLI DDR3
爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

【導(dǎo)讀】日本爾必達(dá)與臺(tái)灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計(jì)1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開(kāi)始正式運(yùn)作，他們一直在和爾必達(dá)公

半導(dǎo)體
2014-06-06

晶體管芯片爾必達(dá) DDR3
高效率雙通道同步降壓型控制器提供完整的 DDR 電源解決方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)要求

【導(dǎo)讀】加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2011 年 12 月 16 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率雙輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3876，該器件為 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未

半導(dǎo)體
2014-06-06

控制器雙通道同步降壓 DDR3
SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)故障DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲逾9%

市場(chǎng)17日傳出，全球第三大DRAM廠韓國(guó)SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)發(fā)生問(wèn)題，導(dǎo)致對(duì)OEM廠商DRAM供貨可能大減，昨天晚間DRAM現(xiàn)貨價(jià)最高漲幅逾7%，24小時(shí)內(nèi)漲逾9%，有助南科（2408）、華亞科等業(yè)者營(yíng)運(yùn)。SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)出狀況

半導(dǎo)體
2014-04-24

DRAM SK海力士 OEM DDR3
細(xì)節(jié)很重要，筆記本內(nèi)存升級(jí)注意事項(xiàng)

筆記本電腦內(nèi)存看似簡(jiǎn)單，其實(shí)在升級(jí)、更換時(shí)也有很多需要注意的情況，并不是自己上淘寶買根內(nèi)存然后簡(jiǎn)單換上就行了。那么在筆記本更換升級(jí)內(nèi)存時(shí)到底需要注意哪些細(xì)節(jié)呢？本文將會(huì)為大家一一解答。筆

智能硬件
2014-04-21

GB HZ DDR3 內(nèi)存
SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)故障DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲逾9%

市場(chǎng)17日傳出，全球第三大DRAM廠韓國(guó)SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)發(fā)生問(wèn)題，導(dǎo)致對(duì)OEM廠商DRAM供貨可能大減，昨天晚間DRAM現(xiàn)貨價(jià)最高漲幅逾7%，24小時(shí)內(nèi)漲逾9%，有助南科（2408）、華亞科等業(yè)者營(yíng)運(yùn)。SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)出狀況

模擬
2014-04-18

DRAM SK海力士 OEM DDR3
三星量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克

嵌入式硬件
2014-04-12

三星 4G GB DDR3
Intel Quark照片曝光，“夸克”原來(lái)長(zhǎng)這樣

“夸克”Quark X1000系列處理器是Intel針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴領(lǐng)域推出的一種微型處理器，以當(dāng)年的32位奔騰架構(gòu)為基礎(chǔ)打造。在最新公布的一份文檔中，Intel首次給出了“Quark”的真身照片(嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是渲染照

智能硬件
2014-04-09

BOOT Intel DDR3 內(nèi)存
泰克推出面向DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存的實(shí)時(shí)一致性分析儀

中國(guó) 北京，2013年10月24日 –測(cè)試、測(cè)量及監(jiān)測(cè)儀器的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商—泰克公司日前宣布，推出實(shí)時(shí)內(nèi)存執(zhí)行驗(yàn)證解決方案，以提供針對(duì)JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存

嵌入式硬件
2014-04-05

泰克 DDR4 DDR3 內(nèi)存
新型技術(shù)內(nèi)存或改善2014年蘋果產(chǎn)品電池表現(xiàn)

威鋒網(wǎng)訊，據(jù)外媒報(bào)道，由于美光公司對(duì) LPDDR4 動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)的改進(jìn)，蘋果于 2014 年發(fā)布的產(chǎn)品，消費(fèi)者很有可能會(huì)感受到性能的提升和電池壽命的改善。注：Micron（美國(guó)美光）半導(dǎo)體是全球第二大內(nèi)存芯片廠，是全球著

半導(dǎo)體
2014-04-05

蘋果電池 DDR3 內(nèi)存
三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4GbDDR3DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制，開(kāi)創(chuàng)了內(nèi)存存

半導(dǎo)體
2014-03-16

三星電子 4G GB DDR3
三星下一代20nm 4G DDR3內(nèi)存已量產(chǎn)

今天，韓國(guó)三星公司宣布下一代4G DDR3內(nèi)存開(kāi)始量產(chǎn)，采用20nm制程工藝。三星一年前就開(kāi)始籌劃該款新型閃存芯片。據(jù)內(nèi)存產(chǎn)品參數(shù)來(lái)看，相比舊版25nm工藝DDR3內(nèi)存，新款20nm DDR3內(nèi)存芯片提升30%的運(yùn)行效

智能硬件
2014-03-16

三星 4G DDR3 內(nèi)存
三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM

三星電子成功量產(chǎn)20納米DRAM，展示了在半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。三星電子3月11日發(fā)布稱“公司在全球率先啟動(dòng)了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)工作”。1納米等于十億分之一米，20納米僅相當(dāng)于頭發(fā)絲粗細(xì)的2500分之

通信技術(shù)
2014-03-13

DRAM 三星電子 GB DDR3
21ic新聞大爆炸：三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3

1、三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3三星電子近日宣布正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制，創(chuàng)新性地研發(fā)出“改良版雙重照

21ic專訪
2014-03-13

三星電子 IC GB DDR3
三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星電子日前宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制。NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)

消費(fèi)電子
2014-03-13

DRAM 三星電子 GB DDR3
三星量產(chǎn)最先進(jìn)20nm 4Gb DDR3 DRAM

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制

消費(fèi)電子
2014-03-13

DRAM 三星 GB DDR3

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21ic小喇叭
zyj9490
fansi
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chencharles72
foxhao1899
EVER21
不愛(ài)說(shuō)話
yingdian6
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dcf866553
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lele4090039
lilijiang2
chen217
liuliuqiu1212
啦啦啦德瑪西亞1
peak0210
HPJ_0123
電腦小白09

DDR3

Intel 14nm全新架構(gòu)海量細(xì)節(jié)：4W！！

AgigA 推出業(yè)界高存儲(chǔ)密度的 DDR3 解決方案

AMD先發(fā)制人攜手SimpleTech合推DDR3模塊對(duì)抗英特爾

DRAM迎來(lái)希望之光年底將“春光燦爛”

DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

高效率雙通道同步降壓型控制器提供完整的 DDR 電源解決方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)要求

SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)故障DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲逾9%

細(xì)節(jié)很重要，筆記本內(nèi)存升級(jí)注意事項(xiàng)

SK海力士無(wú)錫廠機(jī)臺(tái)故障DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲逾9%

三星量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3

Intel Quark照片曝光，“夸克”原來(lái)長(zhǎng)這樣

泰克推出面向DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存的實(shí)時(shí)一致性分析儀

新型技術(shù)內(nèi)存或改善2014年蘋果產(chǎn)品電池表現(xiàn)

三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3

三星下一代20nm 4G DDR3內(nèi)存已量產(chǎn)

三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM

21ic新聞大爆炸：三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3

三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星量產(chǎn)最先進(jìn)20nm 4Gb DDR3 DRAM

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