DDR3

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Intel 14nm全新架構(gòu)海量細(xì)節(jié)：4W！！

Intel將在未來一年內(nèi)連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器，其中Broadwell主打筆記本移動平臺，Skylake則會為桌面平臺帶來全新升級，無論架構(gòu)、技術(shù)都將有質(zhì)的飛躍，尤其是支持DDR4。今天，我們又獲悉了關(guān)于Skylake的大量

智能硬件
2014-06-27

Intel SKYLAKE DDR3 內(nèi)存
AgigA 推出業(yè)界高存儲密度的 DDR3 解決方案

賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失

嵌入式硬件
2014-06-22

電池供電存儲密度 GB DDR3
AMD先發(fā)制人攜手SimpleTech合推DDR3模塊對抗英特爾

【導(dǎo)讀】AMD先發(fā)制人攜手SimpleTech合推DDR3模塊對抗英特爾 Advanced Micro Devices公司(AMD)與SimpleTech公司宣布合作定義面向基于DDR3的SDRAM存儲模塊的寄存器和其它規(guī)范，有望給對手英特爾一先發(fā)制人

半導(dǎo)體
2014-06-09

英特爾 AMD SIMPLE DDR3
DRAM迎來希望之光年底將“春光燦爛”

【導(dǎo)讀】在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM 三星美光 DDR3
DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

據(jù)iSuppli公司，2009年DRAM市場搖擺不定，從一個極端到另一個極端，但第四季度克服了年初時的疲弱局面，高調(diào)結(jié)束全年，自2007年以來首次實現(xiàn)盈利。2009年第一季度創(chuàng)下2001年

嵌入式硬件
2014-06-07

DRAM ATOM ISUPPLI DDR3
爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

【導(dǎo)讀】日本爾必達(dá)與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達(dá)公

半導(dǎo)體
2014-06-06

晶體管芯片爾必達(dá) DDR3
高效率雙通道同步降壓型控制器提供完整的 DDR 電源解決方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)要求

【導(dǎo)讀】加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2011 年 12 月 16 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率雙輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3876，該器件為 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未

半導(dǎo)體
2014-06-06

控制器雙通道同步降壓 DDR3
SK海力士無錫廠機臺故障DRAM現(xiàn)貨價漲逾9%

市場17日傳出，全球第三大DRAM廠韓國SK海力士無錫廠機臺發(fā)生問題，導(dǎo)致對OEM廠商DRAM供貨可能大減，昨天晚間DRAM現(xiàn)貨價最高漲幅逾7%，24小時內(nèi)漲逾9%，有助南科（2408）、華亞科等業(yè)者營運。SK海力士無錫廠機臺出狀況

半導(dǎo)體
2014-04-24

DRAM SK海力士 OEM DDR3
細(xì)節(jié)很重要，筆記本內(nèi)存升級注意事項

筆記本電腦內(nèi)存看似簡單，其實在升級、更換時也有很多需要注意的情況，并不是自己上淘寶買根內(nèi)存然后簡單換上就行了。那么在筆記本更換升級內(nèi)存時到底需要注意哪些細(xì)節(jié)呢？本文將會為大家一一解答。筆

智能硬件
2014-04-21

GB HZ DDR3 內(nèi)存
SK海力士無錫廠機臺故障DRAM現(xiàn)貨價漲逾9%

市場17日傳出，全球第三大DRAM廠韓國SK海力士無錫廠機臺發(fā)生問題，導(dǎo)致對OEM廠商DRAM供貨可能大減，昨天晚間DRAM現(xiàn)貨價最高漲幅逾7%，24小時內(nèi)漲逾9%，有助南科（2408）、華亞科等業(yè)者營運。SK海力士無錫廠機臺出狀況

模擬
2014-04-18

DRAM SK海力士 OEM DDR3
三星量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克

嵌入式硬件
2014-04-12

三星 4G GB DDR3
Intel Quark照片曝光，“夸克”原來長這樣

“夸克”Quark X1000系列處理器是Intel針對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴領(lǐng)域推出的一種微型處理器，以當(dāng)年的32位奔騰架構(gòu)為基礎(chǔ)打造。在最新公布的一份文檔中，Intel首次給出了“Quark”的真身照片(嚴(yán)格來說是渲染照

智能硬件
2014-04-09

BOOT Intel DDR3 內(nèi)存
泰克推出面向DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存的實時一致性分析儀

中國北京，2013年10月24日 –測試、測量及監(jiān)測儀器的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商—泰克公司日前宣布，推出實時內(nèi)存執(zhí)行驗證解決方案，以提供針對JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存

嵌入式硬件
2014-04-05

泰克 DDR4 DDR3 內(nèi)存
新型技術(shù)內(nèi)存或改善2014年蘋果產(chǎn)品電池表現(xiàn)

威鋒網(wǎng)訊，據(jù)外媒報道，由于美光公司對 LPDDR4 動態(tài)內(nèi)存技術(shù)的改進(jìn)，蘋果于 2014 年發(fā)布的產(chǎn)品，消費者很有可能會感受到性能的提升和電池壽命的改善。注：Micron（美國美光）半導(dǎo)體是全球第二大內(nèi)存芯片廠，是全球著

半導(dǎo)體
2014-04-05

蘋果電池 DDR3 內(nèi)存
三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4GbDDR3DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制，開創(chuàng)了內(nèi)存存

半導(dǎo)體
2014-03-16

三星電子 4G GB DDR3
三星下一代20nm 4G DDR3內(nèi)存已量產(chǎn)

今天，韓國三星公司宣布下一代4G DDR3內(nèi)存開始量產(chǎn)，采用20nm制程工藝。三星一年前就開始籌劃該款新型閃存芯片。據(jù)內(nèi)存產(chǎn)品參數(shù)來看，相比舊版25nm工藝DDR3內(nèi)存，新款20nm DDR3內(nèi)存芯片提升30%的運行效

智能硬件
2014-03-16

三星 4G DDR3 內(nèi)存
三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM

三星電子成功量產(chǎn)20納米DRAM，展示了在半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。三星電子3月11日發(fā)布稱“公司在全球率先啟動了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)工作”。1納米等于十億分之一米，20納米僅相當(dāng)于頭發(fā)絲粗細(xì)的2500分之

通信技術(shù)
2014-03-13

DRAM 三星電子 GB DDR3
21ic新聞大爆炸：三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3

1、三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3三星電子近日宣布正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制，創(chuàng)新性地研發(fā)出“改良版雙重照

21ic專訪
2014-03-13

三星電子 IC GB DDR3
三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星電子日前宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構(gòu)

消費電子
2014-03-13

DRAM 三星電子 GB DDR3
三星量產(chǎn)最先進(jìn)20nm 4Gb DDR3 DRAM

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制

消費電子
2014-03-13

DRAM 三星 GB DDR3

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Intel 14nm全新架構(gòu)海量細(xì)節(jié)：4W！！

AgigA 推出業(yè)界高存儲密度的 DDR3 解決方案

AMD先發(fā)制人攜手SimpleTech合推DDR3模塊對抗英特爾

DRAM迎來希望之光年底將“春光燦爛”

DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

高效率雙通道同步降壓型控制器提供完整的 DDR 電源解決方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)要求

SK海力士無錫廠機臺故障DRAM現(xiàn)貨價漲逾9%

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SK海力士無錫廠機臺故障DRAM現(xiàn)貨價漲逾9%

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Intel Quark照片曝光，“夸克”原來長這樣

泰克推出面向DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存的實時一致性分析儀

新型技術(shù)內(nèi)存或改善2014年蘋果產(chǎn)品電池表現(xiàn)

三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3

三星下一代20nm 4G DDR3內(nèi)存已量產(chǎn)

三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM

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三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

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