DDR3

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追隨三星之路爾必達(dá)推出32GB容量模塊

日韓DRAM大廠制程競(jìng)賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(SamsungElectronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4GbDDR3芯片正式問(wèn)世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來(lái)也將

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2010-04-26

三星爾必達(dá) GB DDR3
內(nèi)存景氣大好　封測(cè)業(yè)重啟購(gòu)廠計(jì)劃

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣大好，封測(cè)廠訂單能見(jiàn)度看到第3季，顯示客戶需求依舊暢旺，力成科技、華東科技和福懋科技等主要封測(cè)廠對(duì)第3季樂(lè)觀以待。其中力成和華東為解決產(chǎn)能緊俏的問(wèn)題，先后購(gòu)置大樓或廠房，以因應(yīng)未來(lái)客戶訂單需

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2010-04-13

DRAM 內(nèi)存 Flash DDR3
內(nèi)存封測(cè)3雄 Q3前不愁

內(nèi)存封測(cè)3雄力成（6239）、華東（8110）、福懋科（8131）等相繼公布3月?tīng)I(yíng)收，普遍較2月成長(zhǎng)。由第1季營(yíng)收來(lái)看，基本上與去年第4季持平，淡季不淡效應(yīng)明顯，第2季因國(guó)內(nèi)DRAM廠力晶、南科、華亞科等DDR3比重拉升，法人

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2010-04-08

DRAM 內(nèi)存晶圓 DDR3
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片

消費(fèi)電子
2010-04-05

DRAM 內(nèi)存芯片三星 DDR3
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電

智能硬件
2010-04-05

DRAM 內(nèi)存芯片三星 DDR3
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM

消費(fèi)電子
2010-04-05

內(nèi)存芯片三星 GB DDR3
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)

智能硬件
2010-04-05

內(nèi)存芯片三星 GB DDR3
DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)

消費(fèi)電子
2010-04-05

DRAM BSP 三星 DDR3
DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水

智能硬件
2010-04-05

DRAM BSP 三星 DDR3
營(yíng)運(yùn)好轉(zhuǎn) 力晶3月?tīng)I(yíng)收近3年新高

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)廠力晶半導(dǎo)體自結(jié) 3月?tīng)I(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣68.46億元，較2月增加24%，較去年同期大增5.72倍，并創(chuàng)下近3年來(lái)營(yíng)收最高紀(jì)錄，同時(shí)是連續(xù)第5個(gè)月獲利。受惠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨價(jià)走揚(yáng)，加上產(chǎn)能及良率有效拉升，

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2010-04-01

半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存 DDR3
華東斥資4億元接收瀚宇彩晶LCM廠　　擴(kuò)充DDR3產(chǎn)能

內(nèi)存封測(cè)廠華東科技DDR3接單熱絡(luò)，既有廠房已達(dá)滿載，計(jì)劃斥資新臺(tái)幣4.15億元購(gòu)買瀚宇彩晶LCM一廠，用以擴(kuò)充DDR3產(chǎn)能，初步估計(jì)最快第4季應(yīng)能進(jìn)行量產(chǎn)。由于添購(gòu)新廠，華東也計(jì)劃上修資本支出，由原訂的30億元提高到

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2010-03-31

內(nèi)存封裝主軸 DDR3
DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)

2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)?！　? DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一

消費(fèi)電子
2010-03-24

DRAM 制造工藝 BSP DDR3
DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)

2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內(nèi)

智能硬件
2010-03-24

DRAM 制造工藝 BSP DDR3
壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢(shì)

1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位，顯示目前內(nèi)存芯片市場(chǎng)仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來(lái)源表示，造成這種局面的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實(shí)施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-22

芯片內(nèi)存芯片 GB DDR3
DDR3需求熱絡(luò)　華東訂單能見(jiàn)度到9月

華東科技總經(jīng)理于鴻祺16日表示，DDR3客戶需求熱絡(luò)，目前訂單能見(jiàn)度看到9月，產(chǎn)能依舊滿載局面，封測(cè)利用率達(dá)到90%以上，產(chǎn)能已幾近不敷使用，該公司有意尋求新廠房，同時(shí)也不排除上修全年度資本支出。提及DDR3市

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2010-03-17

DRAM 內(nèi)存測(cè)試機(jī) DDR3
DDR3測(cè)試產(chǎn)能不足　DRAM封測(cè)廠加緊進(jìn)設(shè)備

隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3，對(duì)后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測(cè)試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測(cè)廠上演搶機(jī)臺(tái)戲碼，希望能夠盡量提前讓機(jī)臺(tái)進(jìn)駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲(chǔ)器封測(cè)廠3月

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2010-03-04

DRAM 存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī) DDR3
臺(tái)灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)節(jié)后上漲7%

據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，內(nèi)存(DRAM)補(bǔ)貨潮號(hào)角響起，DDR2現(xiàn)貨價(jià)打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個(gè)多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-02

DRAM 內(nèi)存 DDR DDR3
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gb

消費(fèi)電子
2010-03-01

內(nèi)存芯片三星 GB DDR3
《半導(dǎo)體》力成Q1淡季不淡，訂單看到6月

力成（6239）今年首季呈現(xiàn)淡季不淡走勢(shì)，1月?tīng)I(yíng)收與去年12月相較僅微幅衰退約1億元，仍舊維持高檔水平，由于力成首季的營(yíng)運(yùn)可望創(chuàng)下歷史最高的第1季，加上整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣不差，外資呈現(xiàn)連續(xù)性買盤，農(nóng)歷年過(guò)后持續(xù)買

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2010-02-28

半導(dǎo)體內(nèi)存 DDR3
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4GbDDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功

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2010-02-25

內(nèi)存芯片三星 GB DDR3

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追隨三星之路爾必達(dá)推出32GB容量模塊

內(nèi)存景氣大好　封測(cè)業(yè)重啟購(gòu)廠計(jì)劃

內(nèi)存封測(cè)3雄 Q3前不愁

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛

營(yíng)運(yùn)好轉(zhuǎn) 力晶3月?tīng)I(yíng)收近3年新高

華東斥資4億元接收瀚宇彩晶LCM廠　　擴(kuò)充DDR3產(chǎn)能

DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)

DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)

壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢(shì)

DDR3需求熱絡(luò)　華東訂單能見(jiàn)度到9月

DDR3測(cè)試產(chǎn)能不足　DRAM封測(cè)廠加緊進(jìn)設(shè)備

臺(tái)灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)節(jié)后上漲7%

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

《半導(dǎo)體》力成Q1淡季不淡，訂單看到6月

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4GbDDR3綠色內(nèi)存芯片

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