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追隨三星之路爾必達推出32GB容量模塊
日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(SamsungElectronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(Elpida)也宣布4GbDDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來也將
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內(nèi)存景氣大好 封測業(yè)重啟購廠計劃
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣大好，封測廠訂單能見度看到第3季，顯示客戶需求依舊暢旺，力成科技、華東科技和福懋科技等主要封測廠對第3季樂觀以待。其中力成和華東為解決產(chǎn)能緊俏的問題，先后購置大樓或廠房，以因應(yīng)未來客戶訂單需
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內(nèi)存封測3雄 Q3前不愁
內(nèi)存封測3雄力成（6239）、華東（8110）、福懋科（8131）等相繼公布3月營收，普遍較2月成長。由第1季營收來看，基本上與去年第4季持平，淡季不淡效應(yīng)明顯，第2季因國內(nèi)DRAM廠力晶、南科、華亞科等DDR3比重拉升，法人
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三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片
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三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電
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三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM
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三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)
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DRAM走出黑暗 年底陽光燦爛
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)
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DRAM走出黑暗 年底陽光燦爛
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水
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營運好轉(zhuǎn) 力晶3月營收近3年新高
動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)廠力晶半導(dǎo)體自結(jié) 3月營收達新臺幣68.46億元，較2月增加24%，較去年同期大增5.72倍，并創(chuàng)下近3年來營收最高紀錄，同時是連續(xù)第5個月獲利。受惠標準型DRAM現(xiàn)貨價走揚，加上產(chǎn)能及良率有效拉升，
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華東斥資4億元接收瀚宇彩晶LCM廠 擴充DDR3產(chǎn)能
內(nèi)存封測廠華東科技DDR3接單熱絡(luò)，既有廠房已達滿載，計劃斥資新臺幣4.15億元購買瀚宇彩晶LCM一廠，用以擴充DDR3產(chǎn)能，初步估計最快第4季應(yīng)能進行量產(chǎn)。由于添購新廠，華東也計劃上修資本支出，由原訂的30億元提高到
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)?！ ? DDR2 還不算過時，而且未來一
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)
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壞消息：DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢
1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一
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DDR3需求熱絡(luò) 華東訂單能見度到9月
華東科技總經(jīng)理于鴻祺16日表示，DDR3客戶需求熱絡(luò)，目前訂單能見度看到9月，產(chǎn)能依舊滿載局面，封測利用率達到90%以上，產(chǎn)能已幾近不敷使用，該公司有意尋求新廠房，同時也不排除上修全年度資本支出。 提及DDR3市
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DDR3測試產(chǎn)能不足 DRAM封測廠加緊進設(shè)備
隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進DDR3，對后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測廠上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲器封測廠3月
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臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%
據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存(DRAM)補貨潮號角響起，DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年
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三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gb
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《半導(dǎo)體》力成Q1淡季不淡，訂單看到6月
力成（6239）今年首季呈現(xiàn)淡季不淡走勢，1月營收與去年12月相較僅微幅衰退約1億元，仍舊維持高檔水平，由于力成首季的營運可望創(chuàng)下歷史最高的第1季，加上整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣不差，外資呈現(xiàn)連續(xù)性買盤，農(nóng)歷年過后持續(xù)買
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三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4GbDDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功
