-
英特爾14nm FinFET大幅提升Altera下一代競(jìng)爭(zhēng)力
Patrick DorseyAltera公司產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)14nm FinFET 工藝的殺手锏級(jí)應(yīng)用縱觀過去五代的發(fā)展，制程微縮在高端器件上平均可提供20%的性能提升。通過下一代高端Stratix 10系列將同時(shí)在工藝和架構(gòu)上實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。Altera將
-
FinFET創(chuàng)新技術(shù)為半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)帶來新變革
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類
-
FinFET技術(shù)對(duì)移動(dòng)設(shè)備的作用日益重要
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成
-
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類
-
臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)新推三套經(jīng)驗(yàn)證參考流程
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)日前宣布，在開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation Platform，OIP)架構(gòu)下成功推出三套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn) 16FinFET 系統(tǒng)單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設(shè)計(jì)，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
-
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類
-
臺(tái)積電16nm OIP 3套參考流程確立
臺(tái)積電宣布16奈米OIP3套全新參考設(shè)計(jì)流程確立。臺(tái)積電17日宣布，在開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)架構(gòu)下成功推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET系統(tǒng)單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設(shè)計(jì);同時(shí)更可提供客戶即
-
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類
-
大和證:臺(tái)積電吃蘋果 明年首季才進(jìn)補(bǔ)
iPhone5S推出后燃起外資圈對(duì)臺(tái)積電吃下蘋果訂單的熱情，日商大和證券指出，臺(tái)積電供貨蘋果的量，需等到明年首季才會(huì)放大，預(yù)估明年將出貨16.5萬片20納米晶圓給蘋果，惟臺(tái)積電股價(jià)已漲至105元短線滿足點(diǎn)，將轉(zhuǎn)為區(qū)間盤
-
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成
-
TSMC和Synopsys攜手將定制設(shè)計(jì)擴(kuò)展到16納米節(jié)點(diǎn)
21ic訊 亮點(diǎn)：• Laker定制設(shè)計(jì)解決方案已經(jīng)通過TSMC 16-nm FinFET制程的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)第0.5版認(rèn)證• Laker支持TSMC 16-nm v0.5 iPDK的功能包括：復(fù)雜的FinFET橋接規(guī)則、雙重圖形曝光(double-pattern)、
-
FinFET點(diǎn)燃晶圓代工廠戰(zhàn)火 主流廠商加速導(dǎo)入
半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對(duì)制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競(jìng)相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)急速升溫。
-
臺(tái)積電宣布16奈米OIP 3套全新參考設(shè)計(jì)流程確立
臺(tái)積電宣布16奈米OIP 3套全新參考設(shè)計(jì)流程確立。臺(tái)積電17日宣布，在開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）架構(gòu)下成功推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET系統(tǒng)單晶片（SoC）與三維晶片堆疊封裝設(shè)計(jì)；同時(shí)更可提供
-
臺(tái)積電16nm OIP 3套參考流程確立
臺(tái)積電宣布16奈米OIP3套全新參考設(shè)計(jì)流程確立。臺(tái)積電17日宣布，在開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)架構(gòu)下成功推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET系統(tǒng)單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設(shè)計(jì);同時(shí)更可提供客戶即
-
FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動(dòng)新一輪競(jìng)賽
半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對(duì)制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競(jìng)相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)急速升溫。
-
臺(tái)積電16納米 跨大步
臺(tái)積電（2330）16納米制程打集體戰(zhàn)再邁大步，昨（17）日宣布為16納米FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）等先進(jìn)制程架構(gòu)的開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）提供三套制程設(shè)計(jì)，協(xié)助客戶快速導(dǎo)入這項(xiàng)新制程。 臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指
-
臺(tái)積電推16納米鰭式參考設(shè)計(jì)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）昨（17）日宣布，在開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）架構(gòu)下成功推出三套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程系統(tǒng)單芯片與三維芯片（3D IC）堆疊封裝設(shè)計(jì)，電
-
臺(tái)積電16nm OIP 3套參考流程確立
臺(tái)積電今天宣布16奈米OIP 3套全新參考設(shè)計(jì)流程確立。(圖：臺(tái)積電提供) 臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(17)日宣布，在開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）架構(gòu)下成功推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET系統(tǒng)單
-
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如何再上臺(tái)階？
“工藝是基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)是龍頭。工藝研發(fā)模式、產(chǎn)品設(shè)計(jì)思路都將發(fā)生根本性變化，設(shè)計(jì)必須與工藝緊密結(jié)合。”日前在上海舉行的“第六屆中國IC設(shè)計(jì)公司成就獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)IC設(shè)計(jì)分會(huì)理事長魏少軍教授
-
FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動(dòng)新一輪競(jìng)賽
半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對(duì)制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競(jìng)相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)急速升溫。
