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聯(lián)電將跳過(guò)20nm 專(zhuān)攻FinFET

聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-06

聯(lián)電 FINFET 處理器三星
不玩20nm了聯(lián)電集中火力進(jìn)攻14納米FinFET世代

聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-31

臺(tái)積電聯(lián)電 FINFET 三星
聯(lián)電跨過(guò)20nm加速研發(fā)14nmFinFET

聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世

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2013-07-31

臺(tái)積電聯(lián)電 FINFET 三星
集中火力攻FinFET 聯(lián)電確定不玩20納米

聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-31

臺(tái)積電聯(lián)電 FINFET 三星
晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽

一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-30

晶圓廠格羅方德電晶體 FINFET
集中火力攻FinFET　聯(lián)電確定不玩20奈米

聯(lián)電將跳過(guò)20奈米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20奈米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28奈米后，直接跨過(guò)20奈米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14奈米FinFET世

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2013-07-30

格羅方德聯(lián)電 FINFET 三星
縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后

模擬
2013-07-26

晶圓廠格羅方德電晶體 FINFET
晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-26

晶圓廠格羅方德電晶體 FINFET
Altera欲憑借14nm Trigate引領(lǐng)高端FPGA

日前，Altera公布了其2013年二季度營(yíng)收，總收入為421.8億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3%，同比卻下降9%。其凈利潤(rùn)為1.015億美元，環(huán)比下降16%，同比則下降38%。由于種種問(wèn)題，Stratix V的銷(xiāo)量不升反降，環(huán)比下降22%，而新產(chǎn)品Arri

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-26

Xilinx Altera FPGA FINFET
市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后

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2013-07-26

晶圓廠格羅方德電晶體 FINFET
縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-26

晶圓廠格羅方德電晶體 FINFET
縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程　晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后

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2013-07-24

晶圓廠格羅方德電晶體 FINFET
FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟對(duì)抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

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2013-07-24

Intel 臺(tái)積電 FINFET 三星
賽靈思CEO：新產(chǎn)品助力公司毛利創(chuàng)新高

日前，賽靈思公布了2014第1季度財(cái)報(bào)：營(yíng)收環(huán)比上漲9%至5.79億美元;每股稀釋盈余達(dá)0.56美元;毛利率由前季的66%上升至歷史新高69%。以下為賽靈思CEO Moshe N. Gavrielov的講話：我們之所以有如此令人興奮的收入，主要來(lái)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-24

賽靈思 ASIC CE FINFET
強(qiáng)化FinFET市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力臺(tái)積電欲組團(tuán)抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-24

Intel 臺(tái)積電 FINFET 三星
FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(GrandAlliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(

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2013-07-23

Intel 臺(tái)積電 FINFET 三星
FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

消費(fèi)電子
2013-07-23

Intel 臺(tái)積電 FINFET 三星
FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-23

Intel 臺(tái)積電 FINFET 三星
FinFET改變戰(zhàn)局　臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

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2013-07-22

Intel 臺(tái)積電 FINFET 三星
搶攻FinFET設(shè)計(jì)商機(jī)　益華發(fā)布新Virtuoso平臺(tái)

益華(Cadence)針對(duì)28奈米以下制程及鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程發(fā)布最新版Virtuoso布局(Layout)設(shè)計(jì)套件，該套件具備電子意識(shí)設(shè)計(jì)(Electrically Aware Design, EAD)功能，可以協(xié)助行動(dòng)裝置積體電路(IC)設(shè)計(jì)商縮短產(chǎn)品

消費(fèi)電子
2013-07-17

工程師晶片 VIRTUOSO FINFET

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FINFET

聯(lián)電將跳過(guò)20nm 專(zhuān)攻FinFET

不玩20nm了聯(lián)電集中火力進(jìn)攻14納米FinFET世代

聯(lián)電跨過(guò)20nm加速研發(fā)14nmFinFET

集中火力攻FinFET 聯(lián)電確定不玩20納米

晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽

集中火力攻FinFET　聯(lián)電確定不玩20奈米

縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽

Altera欲憑借14nm Trigate引領(lǐng)高端FPGA

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程　晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟對(duì)抗三星/Intel

賽靈思CEO：新產(chǎn)品助力公司毛利創(chuàng)新高

強(qiáng)化FinFET市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力臺(tái)積電欲組團(tuán)抗三星/Intel

FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

FinFET改變戰(zhàn)局　臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

搶攻FinFET設(shè)計(jì)商機(jī)　益華發(fā)布新Virtuoso平臺(tái)

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