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中低壓變頻器市場(chǎng)爭(zhēng)奪，IGBT等核心器件研發(fā)能力成籌碼
變頻器市場(chǎng)中，高壓變頻器一直占據(jù)重要位置，而低壓變頻器則增長(zhǎng)緩慢，但從2011年起，低壓變頻器一改低迷態(tài)勢(shì)，以30%加速發(fā)展的高姿態(tài)呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。我國(guó)變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展與發(fā)達(dá)國(guó)家相比還不夠成熟，中高端變
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富士與英飛凌就IGBT功率模塊達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議
5月31日消息，據(jù)媒體報(bào)道，富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司于近日宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開(kāi)發(fā)汽車IGBT功率模塊。據(jù)悉，此協(xié)議是為滿足混合動(dòng)力汽車的功率模塊的
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新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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10MW級(jí)高壓變頻器在600MW機(jī)組給水系統(tǒng)中的應(yīng)用
摘 要：本文針對(duì)600MW機(jī)組鍋爐給水系統(tǒng)，應(yīng)用國(guó)產(chǎn)10MW級(jí)高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機(jī)械調(diào)速，提高給水泵系統(tǒng)機(jī)械效率、節(jié)能降耗的經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了積極探討。通過(guò)實(shí)踐證明：在既有液力耦合器調(diào)速的基礎(chǔ)上，通過(guò)高壓
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華潤(rùn)上華成功開(kāi)發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開(kāi)發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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10MW級(jí)高壓變頻器在600MW機(jī)組給水系統(tǒng)中的應(yīng)用
摘 要：本文針對(duì)600MW機(jī)組鍋爐給水系統(tǒng)，應(yīng)用國(guó)產(chǎn)10MW級(jí)高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機(jī)械調(diào)速，提高給水泵系統(tǒng)機(jī)械效率、節(jié)能降耗的經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了積極探討。通過(guò)實(shí)踐證明：在既有液力耦合器調(diào)速的基礎(chǔ)上，通過(guò)高壓
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華潤(rùn)上華成功開(kāi)發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開(kāi)發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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電源管理市場(chǎng)未來(lái)五年前景良好
據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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電源管理市場(chǎng)未來(lái)五年前景良好
據(jù)IHSiSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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繼2011年底慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體第二季度開(kāi)始復(fù)蘇
據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。 第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入
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繼2011年底慘跌之后 電源管理半導(dǎo)體第二季度開(kāi)始復(fù)蘇
據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將
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Microsemi發(fā)布新一代超高效NPT IGBT
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通
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80V 25A高精度穩(wěn)流電源的研制
1 引言作為電真空微波放大管的一種，速調(diào)管以其功率大﹑效率高的優(yōu)勢(shì)得到了廣泛的應(yīng)用。而速調(diào)管一般都需要外加一個(gè)聚焦磁場(chǎng)。為了使速調(diào)管電子槍所打出的電子注不被散射損耗掉，這就要求磁場(chǎng)電源具有較好的電流穩(wěn)定
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IR推出推出600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器
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太陽(yáng)能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場(chǎng)正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『?jiǎn)介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤
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繼2011年底慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體第二季度開(kāi)始復(fù)蘇
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)
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IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)
1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，由于其輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因，IG
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氯化鈣補(bǔ)鈣
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風(fēng)云ljh
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