IGBT

基于CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設(shè)計(jì)

　1.引言　　電容感應(yīng)方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點(diǎn)，由于不需要機(jī)械結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的機(jī)械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢，并由此帶來了時(shí)尚美觀的外觀設(shè)計(jì)。目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品。越來

基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

摘要：為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求，設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解，比較場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對IGBT構(gòu)成的

基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

摘要：為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求，設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解，比較場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對IGBT構(gòu)成的

基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

摘要：為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求，設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解，比較場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對IGBT構(gòu)成的

IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對整流器的影響

1 引言　　日立igbt整流器是一種電壓型pwm整流器，具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制，以及高功率因數(shù)控制（cosφ≈1.0）等特點(diǎn)。使用該類型整流器除了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外，還能夠減少電網(wǎng)諧波，省去

一種新型礦用真空永磁控制器設(shè)計(jì)

摘要 針對各種礦用永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器的控制需求，實(shí)現(xiàn)了基于CPLD的新型智能礦用真空永磁控制器。采用全電子電路無觸點(diǎn)軟件一體化設(shè)計(jì)，電源采用寬范圍輸入、恒壓恒流輸出的開關(guān)電源設(shè)計(jì)，電壓和電流連續(xù)可調(diào)，具有較

元器件創(chuàng)新成果亮相中國電子展 廠商主打節(jié)能牌

2011年，全球電子元器件市場起伏不定。從生產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)能負(fù)荷情況看，在去年第四季度，我國電子產(chǎn)品終端企業(yè)訂單數(shù)量明顯上升，這無疑將進(jìn)一步推動我國電子元器件市場向好。作為行業(yè)內(nèi)最專注于電子制造領(lǐng)域配套元器件

馬達(dá)設(shè)計(jì)原理及元件安裝需考慮的因素

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物

一種新型礦用真空永磁控制器設(shè)計(jì)

摘要 針對各種礦用永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器的控制需求，實(shí)現(xiàn)了基于CPLD的新型智能礦用真空永磁控制器。采用全電子電路無觸點(diǎn)軟件一體化設(shè)計(jì)，電源采用寬范圍輸入、恒壓恒流輸出的開關(guān)電源設(shè)計(jì)，電壓和電流連續(xù)可調(diào)，具有較

馬達(dá)設(shè)計(jì)原理及元件安裝需考慮的因素

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物

應(yīng)用于工業(yè)牽引的軟穿通IGBT技術(shù)的大功率模塊

1　引言　　隨著軟穿通igbt技術(shù)的引入，產(chǎn)生了igbt設(shè)計(jì)上和特性上的新標(biāo)準(zhǔn)，特別適用于中等功率的市場。將傳統(tǒng)的npt（非穿通型）igbt的高強(qiáng)度和低損耗兩個(gè)特點(diǎn)相結(jié)合，已經(jīng)使spt-igbt成為1200v-1700v電壓范圍的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇：IGBT產(chǎn)業(yè)

IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT 器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通

逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護(hù)詳解

這幾天沉下心來專門給逆變器的后級，也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子，用來深入了解相關(guān)的特性。大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變

BUCK電路拓?fù)浼捌涔ぷ髟?/a>

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

引言　　電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動化等特點(diǎn)。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

引言　　電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動化等特點(diǎn)。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總

南通富士通日前成為SEMI會員

2012年12月，南通富士通作為擁有全球領(lǐng)先封測技術(shù)的代表性企業(yè)正式成為SEMI會員。自1997年10月成立至始終站在行業(yè)科技發(fā)展的前沿，堅(jiān)持以科技創(chuàng)新為宗旨，成功承擔(dān)并實(shí)施了“高集成度多功能芯片系統(tǒng)級封裝技

南通富士通日前成為SEMI會員

2012年12月，南通富士通作為擁有全球領(lǐng)先封測技術(shù)的代表性企業(yè)正式成為SEMI會員。自1997年10月成立至始終站在行業(yè)科技發(fā)展的前沿，堅(jiān)持以科技創(chuàng)新為宗旨，成功承擔(dān)并實(shí)施了“高集成度多功能芯片系統(tǒng)級封裝技術(shù)研

功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

1. 引言 　　 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為

IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、