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如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)
本文論述了IGBT的過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)與過(guò)熱保護(hù)相關(guān)問(wèn)題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來(lái)控制晶體管的
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所IGBT團(tuán)隊(duì)在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計(jì)的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場(chǎng)
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IR 針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車應(yīng)用推出600V車用IGBT
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。新器件適用的電流范圍很廣，提供最小為 5μs的短路
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所IGBT團(tuán)隊(duì)在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計(jì)的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場(chǎng)
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IR推出超高速1200V IGBT
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出一對(duì)高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產(chǎn)品為焊接、高功率整流等感應(yīng)加熱和共振開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 全新1200 V IGBT 器
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)
摘要：基于課題建設(shè)的需要，需對(duì)某型雷達(dá)脈沖調(diào)制器進(jìn)行固態(tài)化改造，為達(dá)到經(jīng)濟(jì)省時(shí)的目的，采用了設(shè)計(jì)與仿真的方法。應(yīng)用新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT替代電真空器件，設(shè)計(jì)了單片機(jī)控制的固態(tài)脈沖調(diào)制器。克服了雷達(dá)脈沖調(diào)
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IGBT電力電子裝置的應(yīng)用詳解
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)
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IR 推出高可靠性超高速1200V IGBT
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。全新超高速 1200V IGBT 系列采用纖薄晶圓場(chǎng)截止溝道技術(shù)，可顯
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擺脫對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的過(guò)度依賴 三星計(jì)劃明年第二季度量產(chǎn)IGBT芯片
三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產(chǎn)品，這是自1999年三星將電力半導(dǎo)體廠拋售給快捷半導(dǎo)體(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的電力芯片產(chǎn)品。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星2011年5月與
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單相橋式PWM逆變器死區(qū)補(bǔ)償?shù)囊环N方法
摘要：為了更好的了解脈沖寬度調(diào)制控制技術(shù)及其在實(shí)際電路中的應(yīng)用，文中以單相SPWM逆變電路為控制對(duì)象，分別從PWM的產(chǎn)生機(jī)制、死區(qū)補(bǔ)償和輸出電壓與輸出電流等方面詳細(xì)介紹了死區(qū)補(bǔ)償?shù)囊环N方法。并對(duì)逆變器的工作模
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三相IGBT全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)
摘要：設(shè)計(jì)了一種基于電流型PWM控制器UC3845的三相IGBT全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源。采用單端反激式結(jié)構(gòu)，電壓反饋與電流反饋組成雙閉環(huán)串級(jí)結(jié)構(gòu)。TL431a與PC817組成反饋網(wǎng)絡(luò)，旁路掉UC3845內(nèi)部誤差放大器，反饋信號(hào)直接輸入到
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雜散電感對(duì)高效IGBT逆變器設(shè)計(jì)的影響
IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開(kāi)關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號(hào)器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿?。這些型號(hào)包
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綠色能源計(jì)劃推動(dòng)中國(guó)IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)
據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。由于功
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銅進(jìn)金退 長(zhǎng)電科技加快技術(shù)改造
[世華財(cái)訊]近年來(lái)，隨著封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，封裝所需要的材料也在逐步改進(jìn)，封裝行業(yè)正在經(jīng)歷銅取代金的轉(zhuǎn)變。由于黃金價(jià)格最近幾年的持續(xù)飆升，加快了封裝行業(yè)銅制程的推進(jìn)，很多芯片廠商開(kāi)始紛紛改用銅線鍵合，這
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
21ic訊 從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高壓變頻器主電路圖分析及其應(yīng)用
1.引言 目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)栴}，近年來(lái)通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應(yīng)用領(lǐng)域和范圍也越來(lái)越為
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高壓變頻器主電路圖分析及其應(yīng)用
1.引言 目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)栴}，近年來(lái)通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應(yīng)用領(lǐng)域和范圍也越來(lái)越為
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