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太陽能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設計和使用最先進工藝的功率半導體，是實現(xiàn)高效率的關鍵所在?！ 『喗椤 」夥到y(tǒng)的應用領域越來越廣泛。尤
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太陽能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設計和使用最先進工藝的功率半導體，是實現(xiàn)高效率的關鍵所在?！ 『喗椤 」夥到y(tǒng)的應用領域越來越廣泛。尤
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解讀太陽能逆變器設計的最新趨勢
由于能源成本日益攀升，太陽能發(fā)電正逐漸成為一項可行的替代能源。德國政府通過立法，推出各種激勵手段積極鼓勵可再生能源的使用(如《再生能源法》“Energieeinspeisungsgesetz”)，受此驅(qū)使，至2007年，該
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安森美半導體推出高性能場截止型IGBT
21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結晶體管(IGBT)，目標應用為工業(yè)電機控制及消費類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種
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IGBT-汽車點火系統(tǒng)中的佼佼者
新一代點火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點火拓撲結構。幾何學和摻雜分布圖的進步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車點火系統(tǒng)中的應用
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點火線圈)，以及用于控制變壓器初級電流的開關。電子學教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級繞組上將產(chǎn)生高
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IGBT-汽車點火系統(tǒng)中的佼佼者
新一代點火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點火拓撲結構。幾何學和摻雜分布圖的進步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車點火系統(tǒng)中的應用
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點火線圈)，以及用于控制變壓器初級電流的開關。電子學教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級繞組上將產(chǎn)生高
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光伏發(fā)電逆變技術的發(fā)展趨勢及其解決方案
1 光伏發(fā)電逆變技術國內(nèi)、外的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述1.1 綜述20 世紀 70 年代以來，兩次石油危機、當前嚴 重的環(huán)境污染以及氣候變暖峰會的強烈呼吁，迫使人們更加努力尋找和開發(fā)新能源。對于污染及耗能大戶 —&m
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南車時代 建IGBT產(chǎn)業(yè)化項目
“IGBT”被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。兩年后，國內(nèi)首條8英寸IGBT生產(chǎn)線項目有望在石峰區(qū)井龍街道茅塘村投產(chǎn)。4月13日，市委副書記陽衛(wèi)國率市經(jīng)信委、統(tǒng)計局
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光伏發(fā)電逆變技術的發(fā)展趨勢及其解決方案
1 光伏發(fā)電逆變技術國內(nèi)、外的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述1.1 綜述20 世紀 70 年代以來，兩次石油危機、當前嚴 重的環(huán)境污染以及氣候變暖峰會的強烈呼吁，迫使人們更加努力尋找和開發(fā)新能源。對于污染及耗能大戶 —&m
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IR推出1200V IGBT AUIRGDC0250
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出為軟開關應用，比如電動車和混合動力汽車中的正溫度系數(shù)（PTC）加熱器應用而優(yōu)化的車用 IGBT AUIRGDC0250。1200V AUIRGDC0250 采用緊湊的 Super TO-22
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新型IGBT系統(tǒng)電路保護設計的解決方案
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓
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新型IGBT系統(tǒng)電路保護設計的解決方案
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓
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IGBT在大功率斬波問題中的應用分析
斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調(diào)速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和
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飛機座椅電源的研究
摘要：飛機座椅電源是為了滿足機上乘客電子設備用電需求而設計的。飛機座椅電源產(chǎn)品的研制對設備的國產(chǎn)化，安裝成本的降低等方面都有重要意義。在此參照DO-160F，Boeing D6-44588以及Airbus ABD0100等相關電磁測試要
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飛兆半導體650V場截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產(chǎn)品
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全球經(jīng)濟化條件下lGBT軟開關應用與開發(fā)
一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機變頻調(diào)速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管(GTR)已成定論。IEGT在高電壓領域中保持快速開關特
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基于CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設計
1.引言 電容感應方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點，由于不需要機械結構，相比傳統(tǒng)的機械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢，并由此帶來了時尚美觀的外觀設計。目前已經(jīng)廣泛應用于各種消費類電子產(chǎn)品。越來
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基于CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設計
1.引言 電容感應方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點，由于不需要機械結構，相比傳統(tǒng)的機械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢，并由此帶來了時尚美觀的外觀設計。目前已經(jīng)廣泛應用于各種消費類電子產(chǎn)品。越來
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