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總投資14億元人民幣 中國首條八英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標(biāo)志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動。IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)
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中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標(biāo)志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動。IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軌道交通
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宏微科技宣布深圳分公司正式成立
5月21日，江蘇宏微科技深圳分公司宣布正式成立。宏微科技秉承“宏圖之志，成于細(xì)微”的創(chuàng)業(yè)理念，深耕電力電子器件領(lǐng)域，其研發(fā)的FRED、VDMOS、IGBT分立器件及其模塊也已應(yīng)用到工業(yè)、新能源等各個領(lǐng)域。在成立大會上
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華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺進(jìn)入量產(chǎn)
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布，公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺成功進(jìn)入量產(chǎn)，成為
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華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺成功進(jìn)入量產(chǎn)
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）宣布，公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT（溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺成功進(jìn)入量產(chǎn)，成為國內(nèi)第
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上海先進(jìn)IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
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先進(jìn)半導(dǎo)體IGBT圓片產(chǎn)量突破45萬片
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的是，
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上海先進(jìn)IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
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上海先進(jìn)成功突破45萬片IGBT2-1200V圓片的制造
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的
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上海先進(jìn)IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
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中國IGBT市場銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。2010年銷售額為
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中國IGBT市場銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。2010年銷售額為5.897億美元
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英飛凌投資1.6億美元擴(kuò)大馬來西亞產(chǎn)能
英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但
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英飛凌增強(qiáng)IGBT產(chǎn)能，將向馬來西亞生產(chǎn)線投資1.6億美元
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，將在2011年內(nèi)向馬來西亞的馬六甲工廠投資1億6000萬美元。用于更新和增設(shè)工廠的研發(fā)設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封裝組裝工
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英飛凌投資1.6億美元擴(kuò)大馬來西亞產(chǎn)能
英飛凌(Infineon)科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增
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英飛凌投資擴(kuò)大馬來西亞產(chǎn)能擴(kuò)展亞洲業(yè)務(wù)
英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個就業(yè)
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但
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英飛凌投資1.6億美元進(jìn)一步擴(kuò)大馬來西亞產(chǎn)能
21ic訊 英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增35
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