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富士通一季度虧損250億日元三重半導(dǎo)體廠出售情況無(wú)可奉告
富士通發(fā)布了2012財(cái)年第一季度（4～6月）的合并結(jié)算報(bào)告。報(bào)告顯示，富士通該季度銷售額同比減少2.9％，為9573億日元，不過去除匯率影響后與上年同期基本相同。營(yíng)業(yè)虧損比上年同期增加79億日元，為250億日元。日本國(guó)
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LSI研發(fā)新SSD固件：超極本續(xù)航提升1小時(shí)
雖然超極本目前銷售狀況不景氣，但I(xiàn)ntel以及周邊合作廠商并未因此而氣餒。日前，SanForce的新東家芯片公司LSI表示，他們正在研發(fā)一款用于超極本中SF主控SSD的新固件，而主要作用就是降低SSD的功耗，此外還能提升SSD的
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LSI SandForce新技術(shù)助超極本制造商提高性能
2012年8月1日，北京—LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布推出SandForce SF-2200/2100客戶端閃存存儲(chǔ)處理器(FSP)的一系列增強(qiáng)特性，用以滿足超極本產(chǎn)品嚴(yán)格的功耗要求，并發(fā)揮閃存技術(shù)的出色性能優(yōu)勢(shì)。LSI閃存存儲(chǔ)處理器可智
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LSI SandForce新技術(shù)助超極本制造商提高性能
2012年8月1日，北京—LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布推出SandForce SF-2200/2100客戶端閃存存儲(chǔ)處理器(FSP)的一系列增強(qiáng)特性，用以滿足超極本產(chǎn)品嚴(yán)格的功耗要求，并發(fā)揮閃存技術(shù)的出色性能優(yōu)勢(shì)。LSI閃存存儲(chǔ)處理器可智
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LSI推出SandForce® SF-2200/2100的增強(qiáng)特性
21ic訊 LSI公司日前宣布推出SandForce® SF-2200/2100客戶端閃存存儲(chǔ)處理器（FSP）的一系列增強(qiáng)特性，用以滿足超極本產(chǎn)品嚴(yán)格的功耗要求，并發(fā)揮閃存技術(shù)的出色性能優(yōu)勢(shì)。LSI閃存存儲(chǔ)處理器可智能化地管理固態(tài)硬盤
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富士通：三重半導(dǎo)體廠出售情況無(wú)可奉告
富士通發(fā)布了2012財(cái)年第一季度（4～6月）的合并結(jié)算報(bào)告。報(bào)告顯示，富士通該季度銷售額同比減少2.9％，為9573億日元，不過去除匯率影響后與上年同期基本相同。營(yíng)業(yè)虧損比上年同期增加79億日元，為250億日元。日本國(guó)
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富士通：三重半導(dǎo)體廠出售情況無(wú)可奉告
富士通發(fā)布了2012財(cái)年第一季度（4～6月）的合并結(jié)算報(bào)告。報(bào)告顯示，富士通該季度銷售額同比減少2.9％，為9573億日元，不過去除匯率影響后與上年同期基本相同。營(yíng)業(yè)虧損比上年同期增加79億日元，為250億日元。 日本國(guó)
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臺(tái)積電將成日本LSI整并最大受益者？
富士通(Fujitsu)已與臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)展開協(xié)商，計(jì)劃將日本先端系統(tǒng)整合晶片(System LSI)廠「三重工廠」出售給臺(tái)積電。據(jù)報(bào)導(dǎo)，富士通正和瑞薩電子(Renesas Electronics Corp.)、Panasonic就整并3方的系統(tǒng)整合晶片事
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富士通資金吃緊，積極聯(lián)絡(luò)臺(tái)積電欲賣廠
外電報(bào)導(dǎo)，富士通(Fujitsu)、瑞薩電子(Renesas Electronics Corp.)、Panasonic正醞釀?wù)⒊闪⒁患倚鹿静U(kuò)大半導(dǎo)體生產(chǎn)訂單給臺(tái)積電。另外，繼瑞薩售廠后，富士通計(jì)劃將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)System LSI“三重工廠”出售給臺(tái)積
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富士通資金吃緊，積極聯(lián)絡(luò)臺(tái)積電欲賣廠
外電報(bào)導(dǎo)，富士通(Fujitsu)、瑞薩電子(Renesas Electronics Corp.)、Panasonic正醞釀?wù)⒊闪⒁患倚鹿静U(kuò)大半導(dǎo)體生產(chǎn)訂單給臺(tái)積電。另外，繼瑞薩售廠后，富士通計(jì)劃將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)System LSI“三重工廠”出售給臺(tái)積
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富士通資金吃緊積極聯(lián)絡(luò)臺(tái)積電欲賣廠
外電報(bào)導(dǎo)，富士通(Fujitsu)、瑞薩電子(Renesas Electronics Corp.)、Panasonic正醞釀?wù)⒊闪⒁患倚鹿静U(kuò)大半導(dǎo)體生產(chǎn)訂單給臺(tái)積電。另外，繼瑞薩售廠后，富士通計(jì)劃將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)System LSI“三重工廠”出售給臺(tái)積
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臺(tái)積電將成日本LSI整并的最大受益者？
日經(jīng)新聞27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，富士通(Fujitsu)已與臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)展開協(xié)商，計(jì)劃將日本先端系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)廠「三重工廠」出售給臺(tái)積電。據(jù)報(bào)導(dǎo)，富士通正和瑞薩電子(RenesasElectronicsCorp.)、Panasonic就整并3方的
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將購(gòu)富士通LSI廠？臺(tái)積電無(wú)奈：目前無(wú)買廠計(jì)劃
根據(jù)日經(jīng)新聞?dòng)诮?27日)報(bào)導(dǎo)，日本PC大廠富士通 ( Fujitsu )已經(jīng)和臺(tái)積電 (2330)展開協(xié)商，可能將其日本先端系統(tǒng)整合晶片 (System LSI)廠「三重工廠」售予臺(tái)積電，加上先前業(yè)界傳出日本MCU大廠瑞薩(Renesas)也有意將
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臺(tái)積電將成日本LSI整并的最大受益者？
日經(jīng)新聞27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，富士通(Fujitsu)已與臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)展開協(xié)商，計(jì)劃將日本先端系統(tǒng)整合晶片(System LSI)廠「三重工廠」出售給臺(tái)積電。據(jù)報(bào)導(dǎo)，富士通正和瑞薩電子(Renesas Electronics Corp.)、Panasonic就整并3
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LSI公司任命三位高管加速市場(chǎng)部署
LSI公司日前宣布任命多名高管，旨在調(diào)整公司組織架構(gòu)以使業(yè)務(wù)重點(diǎn)更好地集中于數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)和客戶端計(jì)算市場(chǎng)：-- Phil Brace擔(dān)任新成立的存儲(chǔ)解決方案部執(zhí)行副總裁，負(fù)責(zé)全面推動(dòng)LSI在企業(yè)和客戶端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
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EDWARDS宣布達(dá)到尾氣處理系統(tǒng)安裝里程碑
全球領(lǐng)先的真空設(shè)備、尾氣處理設(shè)備和相應(yīng)服務(wù)的供應(yīng)商Edwards公司宣布達(dá)到具有重大意義的里程碑——自20年前進(jìn)入市場(chǎng)以來，公司銷售的尾氣處理系統(tǒng)超過了1萬(wàn)臺(tái)。此外，在VLSI Research針對(duì)半導(dǎo)體和平板顯示器產(chǎn)業(yè)的報(bào)
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列
21ic訊 — 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地
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瑞薩傳擬將LSI廠將賣給臺(tái)積電
業(yè)績(jī)陷入惡化的全球最大微控制器(MCU)廠商瑞薩電子(RenesasElectronicsCorp.)可望獲得來自三大股東及日本4家銀行合計(jì)達(dá)約1,000億日?qǐng)A的融資，借此可望避免瑞薩陷入經(jīng)營(yíng)危機(jī)。據(jù)報(bào)導(dǎo)，NEC、日立及三菱電機(jī)等瑞薩3大股
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件
21ic訊 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)
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日本一高校研發(fā)出可將LSI功耗降至百分之一新技術(shù)
日經(jīng)新聞2日?qǐng)?bào)導(dǎo)，東京大學(xué)荒川泰彥教授與田邊克明副教授等人已研發(fā)出一套基礎(chǔ)技術(shù)，可將PC關(guān)鍵零件「LSI(大規(guī)模積體電路)」的耗電力降至現(xiàn)行的約1/100，之后并計(jì)劃于5年內(nèi)完成試作品。據(jù)報(bào)導(dǎo)，關(guān)于上述LSI的技術(shù)細(xì)節(jié)
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