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日本瑞薩電子業(yè)績惡化 官方和民企考慮出資收購
「日本經(jīng)濟新聞」報導，日本官方機構(gòu)及民間企業(yè)考慮出資2000億日圓(約新臺幣745億元)，收購業(yè)績惡化的半導體廠瑞薩電子公司。報導指出，具日本官方色彩的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)將出資逾1500億日圓取得瑞薩(Renesas Electronic
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LSI：看Axxia如何為移動寬帶提速
Axxia是什么？一種通信處理器？不僅如此！它代表了一種獨特的創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)SoC解決方案平臺，靈活且高效節(jié)能的可擴展架構(gòu)！它包含完整的網(wǎng)絡(luò)芯片和軟件組合：1.通信處理器，采用先進的多核技術(shù)，可實現(xiàn)快速通道加速，具備
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職場軟實力 敢開口 說對話
蘋果電腦總裁喬布斯每年做重點演說前，會花至少10倍的時間來做準備。掌握說話技巧，懂得“如何說對話”，是職場上的軟實力。本地人向來予人不善辭令的印象，是否會影響職場表現(xiàn)?美國前總統(tǒng)小布什口才欠佳是
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職場軟實力 敢開口 說對話
職場軟實力 敢開口 說對話
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三星半導體投資明年擬砍半
韓國報道三星電子計劃明年將半導體事業(yè)的投資支出砍半，從134億美元降至70億美元。這一消息提前預告明年的存儲器市況持續(xù)走低。受到需求趨緩、價格下滑的影響，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀錄，三星今年在半導體
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三星半導體投資明年擬砍半
韓國報道三星電子計劃明年將半導體事業(yè)的投資支出砍半，從134億美元降至70億美元。這一消息提前預告明年的存儲器市況持續(xù)走低。受到需求趨緩、價格下滑的影響，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀錄，三星今年在半導體
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三星半導體投資 明年擬砍半
美國道瓊社引述韓國「京鄉(xiāng)新聞19日報導，韓國三星電子計劃明年將半導體事業(yè)的投資支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前預告明年的存儲器市況持續(xù)走低。受到需求趨緩、價格下滑的影響，外電引述一名三星高層主管指
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三星半導體投資 明年擬砍半
美國道瓊社引述韓國「京鄉(xiāng)新聞19日報導，韓國三星電子計劃明年將半導體事業(yè)的投資支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前預告明年的存儲器市況持續(xù)走低。受到需求趨緩、價格下滑的影響，外電引述一名三星高層主管指
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三星半導體投資 明年擬砍半
美國道瓊社引述韓國「京鄉(xiāng)新聞19日報導，韓國三星電子計畫明年將半導體事業(yè)的投資支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前預告明年的存儲器市況持續(xù)走低。受到需求趨緩、價格下滑的影響，外電引述一名三星高層主管指
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LSI創(chuàng)新HA－DAS加強英特爾存儲產(chǎn)品組合
LSI公司日前宣布，英特爾公司已采用LSI的高可用性直連存儲（HA-DAS）解決方案加強其存儲產(chǎn)品組合。LSI® HA-DAS解決方案旨在為中小企業(yè)（SMB）、遠程部門和分支辦事處機構(gòu)提供更高的應用可用性和更為可靠的系統(tǒng)運
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LSI創(chuàng)新HA－DAS加強英特爾存儲產(chǎn)品組合
LSI公司日前宣布，英特爾公司已采用LSI的高可用性直連存儲（HA-DAS）解決方案加強其存儲產(chǎn)品組合。LSI® HA-DAS解決方案旨在為中小企業(yè)（SMB）、遠程部門和分支辦事處機構(gòu)提供更高的應用可用性和更為可靠的系統(tǒng)運
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富士通將關(guān)閉鹿兒島九州廠
日本共同社報導，富士通31日表示將退出日本半導體生產(chǎn)，主因是日圓升值與需求疲弱導致該公司晶片業(yè)務惡化。該報導指出，富士通將關(guān)閉鹿兒島九州廠，并計劃于12月將其LSI組裝及測試設(shè)施所有權(quán)轉(zhuǎn)讓給J-Devices公司。擁
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富士通將關(guān)閉鹿兒島九州廠
日本共同社報導，富士通31日表示將退出日本半導體生產(chǎn)，主因是日圓升值與需求疲弱導致該公司晶片業(yè)務惡化。該報導指出，富士通將關(guān)閉鹿兒島九州廠，并計劃于12月將其LSI組裝及測試設(shè)施所有權(quán)轉(zhuǎn)讓給J-Devices公司。擁
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富士通出售/關(guān)閉3座LSI廠 退出晶片組裝事業(yè)
富士通(Fujitsu Ltd.)集團旗下半導體子公司富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)8月31日發(fā)布新聞稿宣布，將出售并關(guān)閉旗下3座從事LSI晶片組裝/測試的后段制程廠，退出晶片組裝事業(yè)。富士通半導體表示，已與東芝(Tosh
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RTN的SRAM誤操作進行觀測并模擬的方法簡介
瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在&ldquo
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支持13節(jié)電池的超低功耗鋰離子電池保護LSI實現(xiàn)量產(chǎn)
21ic電子網(wǎng)訊，羅姆集團旗下的LAPISSemiconductor面向搭載多節(jié)串聯(lián)電池結(jié)構(gòu)的鋰離子電池組系統(tǒng)，開發(fā)出了以單芯片可控制、保護最多達13節(jié)鋰離子電池組的LSI"ML5235"。與以往產(chǎn)品相比，實現(xiàn)了僅為1/6的超低耗電量
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LSI全新Nytro MegaRAID(R)加速卡性能提高47倍
21ic訊 LSI 公司日前宣布面向全球渠道推出 PCIe®閃存 LSI® Nytro™ MegaRAID®卡，為直連存儲(DAS)提供簡單、透明和低成本的應用加速功能。Nytro MegaRAID 卡的獨特之處在于采用領(lǐng)先的
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VLSI芯片－數(shù)字信號測試
數(shù)字信號測試作為VLSI芯片測試的基礎(chǔ)，已經(jīng)是一項應用十分廣泛的技術(shù)。各個EDA供應商、ATE供應商都有著十分成熟的解決方案，包括功能測試仿真向量的產(chǎn)生，轉(zhuǎn)換和實際測試操作，以及芯片的AC/DC參數(shù)測試。作為高速信號
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夏普將攜手I3研究所開發(fā)4K×2K電視，力爭2012年投產(chǎn)
夏普已開始著手開發(fā)支持4K×2K（3840×2160像素）影像顯示的大屏幕液晶電視。將與開發(fā)將全高清影像（1920×1080畫素）生成高品質(zhì)4K×2K影像技術(shù)的I3研究所合作，將該公司的技術(shù)應用于液晶電視。兩公司從大約2個月前正
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LSI發(fā)布2012年第二季度業(yè)績
21ic訊 LSI公司日前發(fā)布了截止于2012年7月1日的第二季度業(yè)績報告，季度營收環(huán)比增長6%，公司預計閃存產(chǎn)品需求將持續(xù)旺盛。 2012年第二季度亮點  2012年第二季度持續(xù)經(jīng)營*收入為6.6億美元。 
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