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LSI與Zarlink為下一代移動網(wǎng)絡(luò)提供可擴(kuò)展同步解決方案
LSI 公司與Zarlink半導(dǎo)體日前宣布聯(lián)合推出一款解決方案，該解決方案預(yù)集成了 Zarlink 的時序分組 (TOP) 專業(yè)技術(shù)和 LSI® Axxia™ 通信處理器系列產(chǎn)品，可大幅加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，并顯著簡化網(wǎng)絡(luò) OEM 廠商的集
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ACP3423 通信處理器（LSI ）
LSI 公司日前宣布推出面向多無線電基站和無線回程等設(shè)備的 ACP3423 通信處理器，進(jìn)一步擴(kuò)展了 Axxia™ 通信處理器系列產(chǎn)品。Axxia 通信處理器系列使 OEM廠商能夠?yàn)橐曨l流、網(wǎng)絡(luò)瀏覽和高質(zhì)量數(shù)字語音等無線應(yīng)用提
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RIM發(fā)布近距通信功能 提升運(yùn)營商服務(wù)
北京時間2月17日，據(jù)國外媒體報(bào)道，RIM首席執(zhí)行官Jim Balsillie日前證實(shí)，公司將緊隨谷歌的腳步，銷售配備近距通信技術(shù)的黑莓設(shè)備。Balsillie在移動世界大會上稱，近距通信技術(shù)將成為RIM戰(zhàn)略的一部分，該技術(shù)將使得黑
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東芝最先端LSI代工訂單或?qū)⒒淙恰F
日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，全球晶圓(GlobalFoundries；簡稱GF)CEO Douglas Grose 24日接受日經(jīng)專訪時證實(shí)，GF正和東芝(Toshiba)就代工東芝最先端System LSI(系統(tǒng)整合晶片)一事進(jìn)入最終協(xié)商階段。日經(jīng)報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)東芝關(guān)系人
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臺積電與GLOBALFOUNDRIES面臨首次對決
2011年1月1日，東芝實(shí)施了系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)重組。其關(guān)鍵措施是，將部分40nm工藝SoC（SystemOnAChip）及32/28nm工藝以后的SoC生產(chǎn)，委托給包括韓國三星電子（SamsungElectronics）在內(nèi)的數(shù)家芯片代工（Foundry）企業(yè)。一直
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瑞薩通過標(biāo)準(zhǔn)CMOS實(shí)現(xiàn)28nm工藝DRAM混載技術(shù)
瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)（圖1）。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC（SystemonaChip）生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計(jì)劃通過該項(xiàng)技術(shù)，
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瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)
瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計(jì)劃通過該項(xiàng)技術(shù)，把由外
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臺積電與GLOBALFOUNDRIES將面臨首次對決
2011年1月1日，東芝實(shí)施了系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)重組。其關(guān)鍵措施是，將部分40nm工藝SoC(System On A Chip)及32/28nm工藝以后的SoC生產(chǎn)，委托給包括韓國三星電子(Samsung Electronics)在內(nèi)的數(shù)家芯片代工(Foundry)企業(yè)。一直在
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臺積電與GLOBALFOUNDRIES面臨首次對決
2011年1月1日，東芝實(shí)施了系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)重組。其關(guān)鍵措施是，將部分40nm工藝SoC（System On A Chip）及32/28nm工藝以后的SoC生產(chǎn)，委托給包括韓國三星電子（Samsung Electronics）在內(nèi)的數(shù)家芯片代工（Foundry）企業(yè)。
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起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法
瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對RTN的設(shè)計(jì)余度。該公司已在&ldquo
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LSI推出28nm 定制芯片平臺
LSI日前宣布推出 28nm 定制芯片平臺，其囊括了一系列豐富的 IP 塊和定制片上系統(tǒng) (SoC) 的高級設(shè)計(jì)方法。該平臺充分利用 LSI 在數(shù)代定制芯片方面的專有技術(shù)，使 OEM 廠商能夠構(gòu)建出高度差異化解決方案，以滿足新一代
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臺積電與GLOBALFOUNDRIES面臨首次對決
2011年1月1日，東芝實(shí)施了系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)重組。其關(guān)鍵措施是，將部分40nm工藝SoC（System On A Chip）及32/28nm工藝以后的SoC生產(chǎn)，委托給包括韓國三星電子（Samsung Electronics）在內(nèi)的數(shù)家芯片代工（Foundry）企業(yè)。
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羅姆在深圳高交會上出新推奇
羅姆(ROHM)半導(dǎo)體成立于1958年，產(chǎn)品群55.7%是IC，即LSI(大規(guī)模集成電路);分立器件占32.2%;還有一些顯示器和無源元件。該公司的特色是從開發(fā)到生產(chǎn)的一體化機(jī)制;為客戶做design-in服務(wù)同時為了保證穩(wěn)定和高質(zhì)量的供貨
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VLSI Research公布第三季度半導(dǎo)體設(shè)備廠商排名
VLSIResearch預(yù)測稱2010第四季度半導(dǎo)體設(shè)備市場有所降溫，全年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)增長96%，達(dá)到474億美元。TokyoElectron和Advantest在排名前十的設(shè)備廠商中獲得最大的增長幅度。AppliedMaterials和ASML繼續(xù)保持領(lǐng)
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VLSI Research公布第三季度半導(dǎo)體設(shè)備廠商前十名單
VLSI Research預(yù)測稱2010第四季度半導(dǎo)體設(shè)備市場有所降溫，全年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)增長96%，達(dá)到474億美元。Tokyo Electron和Advantest在排名前十的設(shè)備廠商中獲得最大的增長幅度。Applied Materials和ASML繼續(xù)保持
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【IEDM專欄】臺積電發(fā)布采用TSV的三維LSI技術(shù) 有意在28nm以下工藝量產(chǎn)
臺灣臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）公開了采用TSV（硅通孔）三維積層半導(dǎo)體芯片的LSI量產(chǎn)化措施（演講序號：2.1）。該公司采用TSV、再布線層以及微焊點(diǎn)（Microbump）等要素技術(shù)，制作了三維積層
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏
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臺積電發(fā)布采用TSV的三維LSI技術(shù)，有意在28nm以下工藝量產(chǎn)
臺灣臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）公開了采用TSV（硅通孔）三維積層半導(dǎo)體芯片的LSI量產(chǎn)化措施（演講序號：2.1）。該公司采用TSV、再布線層以及微焊點(diǎn)（Microbump）等要素技術(shù)，制作了三維積層
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽眾
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國
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VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場預(yù)測
按VLSI市場調(diào)研公司的最新報(bào)告，今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價格下降。同時，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測，為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為24
