中美貿(mào)易沖擊升溫、英特爾CPU缺貨、蘋果新機(jī)出貨量不如預(yù)期等3大因素沖擊,造成NAND Flash旺季不旺,展望明年上半年供過于求的情況恐更加顯著,價(jià)格跌勢(shì)難止,預(yù)估第1季NAND合約價(jià)將再進(jìn)一步走跌,跌幅約10%。
美光公司今天發(fā)布了截至11月29日的2019財(cái)年Q1季度財(cái)報(bào),當(dāng)季營(yíng)收79.1億美元,同比增長(zhǎng)16%,毛利率達(dá)到了58%,凈利潤(rùn)32.9億美元,同比增長(zhǎng)23%。
花旗給出的預(yù)測(cè)顯示明年NAND閃存會(huì)降價(jià)45%,DRAM內(nèi)存則會(huì)跌30%,而且Q2季度之前是看不到價(jià)格底線的。
據(jù)一些分析師稱,2019年NAND閃存可能會(huì)降至0.08美元/千兆字節(jié),而三星的QLC驅(qū)動(dòng)器等替代產(chǎn)品可能會(huì)進(jìn)一步推動(dòng)這一趨勢(shì)。
從2016年下半年開始,全球存儲(chǔ)芯片進(jìn)入了新一輪的旺季,DRAM內(nèi)存、NAND閃存價(jià)格從那時(shí)候起大幅上漲,一直持續(xù)到2018年。如今NAND閃存價(jià)格今年已經(jīng)暴跌了,徹底扭轉(zhuǎn)了價(jià)格走勢(shì),而DRAM內(nèi)存一
賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)日前宣布,與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中,合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品,并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港,海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份。
全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達(dá)克代碼:CY)日前宣布,與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中,合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品,并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港,海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份。
全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達(dá)克代碼:CY)發(fā)布2018年第三季度財(cái)報(bào),亮點(diǎn)如下:
2016年以來,存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲,今年已經(jīng)是第三個(gè)年頭。雖然NAND閃存、SSD等產(chǎn)品已經(jīng)有所回落,但內(nèi)存依然沒有下跌勢(shì)頭。不過,業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè),到今年第四季度,內(nèi)存的漲價(jià)終于到頭了。日前,集邦咨詢
內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多,業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)到今年第四季度將逐步回歸正常,但還沒來得及興奮,壞消息就來了。據(jù)臺(tái)灣媒體援引業(yè)內(nèi)消息稱,三星電子、SK海力士都計(jì)劃推遲工廠擴(kuò)建、產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,原因是客戶需求正在
在高端存儲(chǔ)芯片上,英特爾還有3D XPoint閃存/傲騰硬盤,那么傲騰能不能取代NAND閃存,同時(shí)變得更廉價(jià)呢?英特爾官方?jīng)]有直接回答這個(gè)問題,不過倒是談起了QLC閃存取代HDD硬盤,言外之意就是傲騰廉價(jià)真不是容易的事。
隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存,如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng),則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。
英特爾公司三年前宣布將中國大連的Fab 68晶圓廠改造為NAND工廠,總投資55億美元,現(xiàn)在二期工廠已經(jīng)投產(chǎn)了,主要生存96層堆棧的3D NAND閃存。
8月21日,調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱,由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng),今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額較英特爾高出22%,而一年前的該比例僅為1%。
這兩年DRAM內(nèi)存、NAND閃存行業(yè)的瘋狂激蕩大家都看在眼里。內(nèi)存尤其夸張,價(jià)格持續(xù)飆升。閃存方面倒是基本穩(wěn)定了,但市場(chǎng)需求持續(xù)異常旺盛。兩大行業(yè)空前火熱,從業(yè)者自然也是賺得盆滿缽滿。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insight的最新報(bào)告,2018年全球前DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)總價(jià)值預(yù)計(jì)將達(dá)1016億美元,年增幅高達(dá)39%,繼續(xù)穩(wěn)居第一,占全年整個(gè)IC行業(yè)的多達(dá)24%。
與前一代產(chǎn)品達(dá)到1.4Gbps的峰值相比,新一代產(chǎn)品使存儲(chǔ)和RAM之間的傳輸速度提高了40%。但隨著更好的性能,電壓從1.8V降至1.2V。
在過去的兩年中,DRAM、NAND閃存都有持續(xù)將近兩年的漲價(jià),不過NAND閃存今年初開始降價(jià),主要原因是2017年底四大NAND廠商的64層3D NAND閃存解決良率問題,產(chǎn)能迅速增長(zhǎng),今年以來市場(chǎng)已經(jīng)是供過于求。Digitimes援引業(yè)界消息稱Q3季度NAND生產(chǎn)商還會(huì)繼續(xù)轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)來擴(kuò)大產(chǎn)量,閃存供應(yīng)在Q3季度還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。
6月5日晚間有消息稱,位于無錫的SK海力士工廠突然發(fā)生火災(zāi)。據(jù)悉,發(fā)生火災(zāi)的是無錫海力士正在建設(shè)的第二工廠項(xiàng)目,目前受災(zāi)情況尚不明朗。
光科技近期不斷為股東送出大禮包,此前它宣布,將從明年起把至少50%的自由現(xiàn)金流返還給股東。 另外,美光還宣布與英特爾達(dá)成協(xié)議,生產(chǎn)并交付全球性能最強(qiáng)勁的3D NAND閃存芯片。
在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達(dá)克交易代碼: SIMO)近日發(fā)布了最新一代的支持PCIe Gen3 NVMe 1.3的FerriSSD®單芯片固態(tài)硬盤家族,新產(chǎn)品系列包含支持PCIe Gen3 x4 的SM689及支持PCIe Gen3 x 2的SM681,其連續(xù)讀取速度最高達(dá)到1.45GB/s, 連續(xù)寫入速度最高達(dá)到650MB/s, 大幅提升SSD和主處理器之間