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東芝與西部數(shù)據(jù)芯片業(yè)務(wù)糾紛將和解
據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，知情人士透露，東芝和西部數(shù)據(jù)同意就東芝計(jì)劃出售存儲(chǔ)芯片部門一事達(dá)成和解，為這筆180億美元的交易掃清了一大障礙。
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內(nèi)存價(jià)格開始下滑：最高接近30%
最近一個(gè)多月的時(shí)間內(nèi)，尤其是雙11之后，內(nèi)存價(jià)格開始普遍下滑，而且幅度相當(dāng)夸張，最高甚至接近30%。好消息是，閃存也終于要迎來降價(jià)了。日前，集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究中心
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NAND閃存超級(jí)周期將發(fā)生逆轉(zhuǎn)
內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將到來，下行風(fēng)險(xiǎn)也隨之升高，受行業(yè)龍頭三星重挫影響其他的閃存供應(yīng)商群股市集體大跌盤。
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三星壟斷走開!中國怒砸180億造內(nèi)存
這一年多來內(nèi)存價(jià)格的瘋漲讓太多人感到心痛，而問題的根源在于DRAM內(nèi)存顆粒掌握在韓國三星、SK海力士和美國美光等極少數(shù)巨頭手中，合計(jì)份額超過90%，很容易形成壟斷，下游和市場(chǎng)完全沒有任何周旋余地。如今，中國正
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Intel 10nm NAND閃存,64層堆疊，晶體管密度暴增2.7倍
Intel這幾年制造工藝的推進(jìn)緩慢頗受爭(zhēng)議，而為了證明自己的技術(shù)先進(jìn)性，Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片，并宣稱同樣是10nm，自己要比對(duì)手領(lǐng)先一代，還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規(guī)劃。
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由東芝存儲(chǔ)器引起的“腥風(fēng)血雨”何時(shí)才能結(jié)束
今年3月，總部位于臺(tái)灣新竹的記憶解決方案制造商 Macronix (旺宏電子)分別提交了美國地方法院訴訟和美國國際貿(mào)易委員會(huì)( ITC )投訴。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，富士康正在與旺宏開展戰(zhàn)略聯(lián)盟，試圖在收購東芝內(nèi)存方面獲得優(yōu)勢(shì)。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存！
國產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存
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韓國3D NAND閃存Q3有望占全球一半市場(chǎng)
市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過50%。
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三星繼續(xù)統(tǒng)治全球NAND閃存市場(chǎng)，營(yíng)收暴漲34%
三星在全球NAND閃存依然是統(tǒng)治性地位，去年?duì)I收141.51億美元，同比暴漲了34%，遙遙領(lǐng)先第二名的東芝。
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全面逆襲!國產(chǎn)自主3D NAND閃存大躍進(jìn)
按照我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃看，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，而紫光占據(jù)了這股發(fā)展力量的主力，去年7月，他們參與了長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的投資，這是個(gè)總投資1600億元的國家存儲(chǔ)器項(xiàng)目，主攻3D NAND。
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8G手機(jī)內(nèi)存時(shí)代到來，SK海力士豪擲8億美元在華投資設(shè)廠
作為蘋果和索尼的供應(yīng)商，世界第二大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士公司將花費(fèi)127.73億人民幣在首爾南部的清州建造新工廠，還將斥資54.91億人民幣在無錫建廠，以增加動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（DRAM）芯片的產(chǎn)能。
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64層堆棧美光3D NAND閃存已在路上，小伙伴們期待么?
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
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東芝宣布推出最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲(chǔ)器
東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲(chǔ)器，采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)。該款64層工藝的存儲(chǔ)器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲(chǔ)器采用 3
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SSD大爆發(fā)!踩著機(jī)械硬盤的尸體飛奔
機(jī)械硬盤市場(chǎng)一片哀鴻遍野，西部數(shù)據(jù)和希捷都陷入了史上最低谷，同比跌幅超過20%，但是同時(shí)，SSD固態(tài)硬盤卻在持續(xù)爆發(fā)。TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2016年第一季度SSD全球出貨量達(dá)3077.7萬塊，同比猛增32.7%。 這其中，
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東芝面向汽車應(yīng)用推出e·MMC NAND閃存
采用最先進(jìn)的工藝技術(shù)，支持日益復(fù)雜的汽車信息娛樂應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和計(jì)算需求東芝公司旗下半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出面向汽車應(yīng)用的15nm e･MMC TM[1]NAND閃
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詳解如何選擇合適的SSD驅(qū)動(dòng)器
隨著信息的爆發(fā)式增長(zhǎng)，相關(guān)部門在部署信息存儲(chǔ)應(yīng)用時(shí)，越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù)，這是因?yàn)檫@種技術(shù)具有特別快速的性能。然而，他們可能沒有認(rèn)識(shí)到市場(chǎng)上有不同版本
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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計(jì)改進(jìn)方案
自問世以來，NAND閃存對(duì)ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來越高。雖然這不是一個(gè)新問題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
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ST閃存技術(shù)解析
前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，這類芯片需具備系統(tǒng)級(jí)編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?chǔ)
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性
賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計(jì)者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，并利用商用級(jí)SLC NAND閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機(jī)頂盒、POS機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護(hù)特性的單一非易失性內(nèi)存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性
21ic訊，全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Nasdaq：CY)今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計(jì)者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，并利用商用級(jí)
