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鍺化硅（SiGe）技術(shù)在測試技術(shù)中的應(yīng)用
鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大
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IDT 推出針對光纖電信應(yīng)用的最新系列低抖動 SiGe VCSO 產(chǎn)品
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出新的低抖動硅鍺（SiGe）聲表面（SAW）壓控振蕩器（VCSO）
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恩智浦推出SiGe:C低噪聲放大器
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體 NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器（LNA），進(jìn)一步提高了GPS信號的線性度、噪聲系數(shù)以及GPS（包括GLONASS和伽利略衛(wèi)星定位系統(tǒng)）的接收效果，同時繼續(xù)保持恩智浦在此類產(chǎn)品
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提高RF_PA效率的技術(shù)比較
在向著4G手機(jī)發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動通信標(biāo)準(zhǔn)，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和HSDPA，與此同時，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIM
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瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采
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泰克采用8HP SiGe技術(shù)實現(xiàn)30+ GHz示波器
21ic訊 泰克公司日前宣布，經(jīng)驗證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術(shù)設(shè)計的泰克新型示波器的各項技術(shù)指標(biāo)優(yōu)于規(guī)定要求，實現(xiàn)了新型高性能示波器的設(shè)計目標(biāo)，使多通道帶寬達(dá)30 GHz以上，同時減小過去芯片組
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Skyworks重金收購RF前端組件供貨商SiGe
模擬與混合信號芯片供貨商 Skyworks Solutions 近日宣布，已簽署最終協(xié)議，將以2.75億美元現(xiàn)金收購RF前端組件供貨商 SiGe Semiconductor 。 Skyworks 表示，這樁收購案將彌補該公司在廣泛前端解決方案上的不足，將可
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泰克采用8HP SiGe技術(shù)實現(xiàn)30 GHz示波器
泰克公司日前宣布，經(jīng)驗證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術(shù)設(shè)計的泰克新型示波器的各項技術(shù)指標(biāo)優(yōu)于規(guī)定要求，實現(xiàn)了新型高性能示波器的設(shè)計目標(biāo)，使多通道帶寬達(dá)30 GHz以上，同時減小過去芯片組中存
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基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計
本文設(shè)計了四種結(jié)構(gòu)的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負(fù)電感。研究結(jié)果表明由晶體管構(gòu)成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結(jié)構(gòu)中，由共射放大器與共集放大器級聯(lián)反饋構(gòu)成的有源電感性能較好。采用回轉(zhuǎn)器原理實現(xiàn)的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調(diào)諧性。
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歐盟項目刷新硅鍺芯片高頻紀(jì)錄
歐盟項目DotFive研發(fā)出一款硅鍺芯片，號稱為硅鍺（SiGe）史上運行頻率最高的芯片。這款820GHz傳送接收芯片對可實現(xiàn)x射線般透視，但波長在毫米范圍，對人體無害。
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RF前端制造向硅技術(shù)演進(jìn)大大改善GaAs供需緊
消費者需求所推動的不僅僅是設(shè)備的功能和性能。無線連接性正在廣泛的消費電子應(yīng)用產(chǎn)品中迅速普及，滿足了消費者對隨心所欲的人際互動與網(wǎng)絡(luò)接入永不饜足的需求。消費者需要一種想象天馬行空、基于功能的用戶體驗，供
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SiGe半導(dǎo)體前端模塊SE2600S榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎
SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 的高性能單芯片集成式前端模塊 (FEM)產(chǎn)品SE2600S榮獲由《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志主辦的2010年優(yōu)秀產(chǎn)品評選的網(wǎng)絡(luò)和通信產(chǎn)品類別優(yōu)秀產(chǎn)品獎。SE2600S是由《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志讀者投
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SiGe半導(dǎo)體獲“最受尊敬的私營半導(dǎo)體企業(yè)獎”提名
全球領(lǐng)先的硅基射頻 (RF) 前端模塊 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供應(yīng)商SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 已獲全球半導(dǎo)體聯(lián)盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名為2010年度“最受尊敬的私營半導(dǎo)體企業(yè)
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第二代WiMAX功率放大器（SiGe）
SiGe半導(dǎo)體公司(SiGe Semiconductor)進(jìn)一步擴(kuò)展其功率放大器產(chǎn)品系列，推出能夠覆蓋2.3-2.4 GHz和2.5-2.7 GHz兩個WiMAX頻段的單一大功率PA產(chǎn)品SE7271T，該器件能夠減少材料清單(BOM)數(shù)目，降低成本，適用于USB 適配器
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泰克公司在高速示波器中采用200 GHz SiGe技術(shù)
泰克公司日前宣布，其下一代、可擴(kuò)展、高性能示波器平臺將廣泛采用IBM 8HP硅鍺 (SiGe) 技術(shù)，再次證明其致力于幫助全球工程師加速未來設(shè)計方案的調(diào)試與測試工作。130納米（nm）硅鍺雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體(BiCMOS)
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Imec開始提供SiGe-MEMS代工服務(wù)
Imec擴(kuò)展了其CMORE服務(wù)，新增了SiGe-MEMS代工服務(wù)以及面向高校和研究機(jī)構(gòu)的MPW服務(wù)。這些服務(wù)都是基于其單片集成SiGe MEMS工藝線，并提供了擴(kuò)展的設(shè)計工具包。 Imec’s CMORE offering extended with SiGe-MEMS foun
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恩智浦將推出50種采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出一系列采用最新SiGe（硅鍺）工藝技術(shù)開發(fā)、針對高頻無線電應(yīng)用的新產(chǎn)品，旨在滿足行業(yè)對更強大、高性價比和高集成度硅基技術(shù)日益增長的需求。恩智浦將在2010年底前推
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SiGe用于移動設(shè)備的基于硅技術(shù)的集成式WiFi前端IC
SiGe半導(dǎo)體公司(SiGe Semiconductor)擴(kuò)展其全面廣泛的產(chǎn)品系列，推出RF開關(guān)/LNA 前端IC (FEIC)產(chǎn)品SE2601T。新器件專門為提高嵌入式應(yīng)用中融合型藍(lán)牙/WiFi芯片組的性能和功能性而設(shè)計，能夠滿足新一代智能電話、上網(wǎng)
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集成式WiFi™前端IC SE2601T（SiGe）
集成式WiFi™前端IC SE2601T（SiGe）
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如何用LNA改善GPS的靈敏度
在GPS應(yīng)用中，通常需要在天線的附近放置LNA(低噪聲放大器)，這是因為從GPS衛(wèi)星接收到的GPS信號非常微弱，需要LNA將它放大。要實現(xiàn)這個目的，可以使用一段式LNA(大約15dB)或者兩段式LNA(大約27dB)。采用兩段式LNA可以
