碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開關(guān)性能，能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關(guān)頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設(shè)計中能夠獲得更快速的短路保護，這對門極驅(qū)動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。
可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個模塊并聯(lián);出廠涂覆三防漆可極大增強可靠性
與安克創(chuàng)新(Anker Innovations)攜手合作，推動大眾AC-DC電源適配器的氮化鎵革命 。
深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司(納斯達克股票代號POWI)近日宣布BridgeSwitch?集成半橋(IHB)電機驅(qū)動器IC產(chǎn)品系列已有新的擴展，現(xiàn)在支持最高400W的應(yīng)用。BridgeSwitch IC內(nèi)部集成了兩個性能加強的FREDFET(具有快恢復(fù)外延型二極管的場效應(yīng)晶體管)分別用于半橋電路的上管和下管，且具有無損耗的電流檢測功能，可使無刷直流(BLDC)電機驅(qū)動器應(yīng)用中的逆變器效率達到99.2%。IHB驅(qū)動器所提供的業(yè)界先進的效率性能和分布式散熱方法可省去散熱片，有助于降低系統(tǒng)成本和重量。
深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司(納斯達克股票代號：POWI)近日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認(rèn)證。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅(qū)動電壓要求，并具有先進的安全和保護特性。
InnoSwitch3-AQ采用Power Integrations的高速FluxLink?耦合技術(shù)，可在無需專用隔離變壓器檢測繞組和光耦的情況下，實現(xiàn)±3%的高精度輸入電壓和負(fù)載綜合調(diào)整率。FluxLink技術(shù)即使在瞬態(tài)應(yīng)力測試下也能保持輸出電壓穩(wěn)壓，這對于基于PSR的方案而言尤其具有挑戰(zhàn)性。集成的750 V MOSFET可滿足嚴(yán)格的汽車降額要求，片上同步整流控制器在標(biāo)稱400 VDC輸入電壓下可提供90%以上的效率。優(yōu)化后的InnoSwitch3-AQ設(shè)計可在整個輸入電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)小于10 mW的空載能耗。InnoSwitch3-AQ系列IC采用表面貼裝式InSOP封裝，其初級至次級爬電距離為11 mm，超過了高海拔(5000米以上)絕緣的嚴(yán)格要求。
深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日宣布其InnoSwitch?3-MX隔離式開關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴大陣容，再添三款全新PowiGaN?器件。作為已采用Power Integrations的InnoMux?控制器IC芯片組的一部分，新的開關(guān)電源IC現(xiàn)可支持顯示器和家電電源應(yīng)用，可提供高達75 W的連續(xù)輸出功率，并且無需無散熱片。
深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)近日發(fā)布已通過AEC-Q100認(rèn)證的新款LinkSwitch?-TN2開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PCB面積非常小。
1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)符合IEC 60664-1絕緣標(biāo)準(zhǔn)
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實現(xiàn)高于90%的效率， 并通過三路精確調(diào)整的輸出提供高達70W的功率
使用軟硬件結(jié)合的方式將BLDC電機逆變器睡眠模式功耗降低至10mW以下，輸出功率擴展至1馬力的應(yīng)用
近日，Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅(qū)動器。該款超緊湊單板驅(qū)動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理，從而提高系統(tǒng)利用率，并簡化物料清單（BOM）以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
新款氮化鎵IC將AC-DC和DC-DC變換級簡化為一個單級功率變換器;可將系統(tǒng)功率損耗降低高達50%
零電壓開關(guān)(ZVS)反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)加上先進的SR FET控制技術(shù)，可實現(xiàn)95%的效率、縮小電源尺寸并減少元件數(shù)目
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