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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在
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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員Mark Bohr表示技術路標展示了因特爾在
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回擊臺積，梁孟松抗告遭駁回
臺積電(2330)前研發(fā)部處長梁孟松，轉任三星后，臺積電為防止梁孟松泄漏營業(yè)秘密，向智能法院提出假處分的聲請，獲法官何君豪裁準，梁孟松不服，提起抗告。智能財產(chǎn)法院合議庭日前裁定，駁回梁孟松的抗告。 梁若對抗
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聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術
聯(lián)電6日宣布與意法半導體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關
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聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術
聯(lián)電6日宣布與意法半導體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關
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聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65奈米CMOS BSI制程技術
聯(lián)電 (2303)于今(6日)宣布，與意法半導體合作65 奈米 CMOS影像感測器背面照度BSI技術。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴
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臺積電20奈米量產(chǎn)良率劉德音：提升速度比美過往
重量級權值股臺積電(2330-TW)(US-TSM)參加2012 SEMICON Taiwan并于展會期間陸續(xù)釋出20奈米年內(nèi)量產(chǎn)消息。臺積電執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長劉德音于展會期間受訪表示，新產(chǎn)品技術復雜度雖高，但良率提升速度比美過往。
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臺積電董事會通過830億資本預算
臺積電14日召開董事會。公司說明，半年報將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會核準兩筆先進制程產(chǎn)能升級、興建廠房資本預算，累計新臺幣830.38億元，此兩筆未來支出超越了該公司今年上半年累計稅后凈賺規(guī)模。臺積電
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臺積電董事會通過830億資本預算
臺積電14日召開董事會。公司說明，半年報將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會核準兩筆先進制程產(chǎn)能升級、興建廠房資本預算，累計新臺幣830.38億元，此兩筆未來支出超越了該公司今年上半年累計稅后凈賺規(guī)模。臺積電
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擴先進制程產(chǎn)能臺積電董事會通過830億元資本預算
臺積電(TSM-US)(2330-TW)今(14)日召開董事會。公司說明，半年報將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會核準兩筆先進制程產(chǎn)能升級、興建廠房資本預算，累計新臺幣830.38億元，此兩筆未來支出超越了該公司今年上半年累
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聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術，領先對手臺積電
在晶圓代工領域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術，領先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權協(xié)議，最快在
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高亮度LED制程技術介紹
LED光源具備多項環(huán)保優(yōu)勢，但早期產(chǎn)品在散熱處理與高亮度設計方面，仍存在某些技術瓶頸無法突破，但在LED芯片制程持續(xù)改善下，現(xiàn)有照明用LED的亮度輸出流明更趨近于日常照明需求，加上IC固態(tài)形式的元件設計，讓LED的
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臺積電7月營收月增11.7% 創(chuàng)歷史新高將為Q3高點
臺積電(TSM-US) (2330-TW)今(10)日7月合并營收為485.25億元，創(chuàng)下歷史新高，月增11.7%，年增37%；依臺積電法說預估營收目標計算，約將是今年第三季的高點。 臺積電7月營收突破今年5月高點441.38億，并再刷新歷史記錄
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ARM與臺積電簽署新協(xié)議 引入臺積電FinFET工藝
知名芯片設計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進行合作。從新協(xié)議的有效時間看，延伸到了臺積電計劃中的20nm
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ARM與臺積電簽署新協(xié)議引入臺積電FinFET工藝
知名芯片設計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進行合作。從新協(xié)議的有效時間看，延伸到了臺積電計劃中的20nm
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臺積電、ARM攜手合作雙方互惠為各自技術提供最佳化選擇
臺積電(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一項多年期的合作協(xié)議，這兩企業(yè)將就20 奈米技術合作，讓ARM 晶片可運用于FinFET (鰭式場效電晶體) 上，讓晶片設計商能繼續(xù)拓展其在應用處理器上的領先優(yōu)勢。，雙方的合作將能
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倍數(shù)跳躍成長！臺積電28奈米挹注Q3營收成長逾8成
臺積電(2330-TW)(TSM-US)財務長暨發(fā)言人何麗梅資深副總經(jīng)理今(19)日表示，預期28奈米制程技術在第3季的出貨量將較第2季成長一倍，此將挹注第3季營收成長的80%以上。 何麗梅于法人說明會中表示，由于28奈米制程技術持
