制程技術(shù)

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甩開追兵臺(tái)積電向20奈米挺進(jìn)

在晶圓制程技術(shù)上，臺(tái)積電一直與英特爾并駕齊驅(qū)，而三星則是緊追在后，雖然三家公司的商業(yè)模式不太相同，不過英特爾與三星都跨足了晶圓代工的領(lǐng)域，臺(tái)積電如果一不小心，在制程技術(shù)上落后，那么純粹代工的優(yōu)勢(shì)就會(huì)成

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2012-07-15

制程技術(shù) 臺(tái)積電三星英特爾
斥重資入股ASML 英特爾力推新一代制程技術(shù)

為了加速導(dǎo)入更大尺寸的半導(dǎo)體晶圓以大幅降低營(yíng)運(yùn)成本，英特爾(Intel)再也無法坐待新一代制程技術(shù)的漫長(zhǎng)開發(fā)過程。等待其它廠商采取行動(dòng)并不是這家全球主要半導(dǎo)體公司的行事風(fēng)格。為了確保公司能取得成功，英特爾不惜

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2012-07-12

晶片 ASML 制程技術(shù) 英特爾
傳高通與三星簽署晶圓代工協(xié)議

7月6日午間消息(劉定洲)據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)部消息稱為了解決供應(yīng)短缺問題，高通(微博)近期會(huì)與三星(微博)電子簽晶圓代工協(xié)議，雙方擬明年起使用三星的28nm制程技術(shù)生產(chǎn)高通驍龍(Snapdragon)S4芯片組。產(chǎn)業(yè)信息顯示，

消費(fèi)電子
2012-07-09

晶圓代工制程技術(shù) 三星
Zhaga聯(lián)盟修正LED路燈標(biāo)準(zhǔn)

Zhaga聯(lián)盟(Zhaga Alliance)近日正在積極修正發(fā)光二極體(LED)路燈現(xiàn)有規(guī)范。由于Zhaga聯(lián)盟于2012年3月底定的LED路燈模組Book 4規(guī)范中，LED路燈模組面積尺寸制定較小，導(dǎo)致無法有效導(dǎo)入可達(dá)高流明的COB(Chip On Board)

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-07-08

億光 COB LED路燈制程技術(shù)
傳高通與三星簽署晶圓代工協(xié)議

C114訊 7月6日午間消息(劉定洲)據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)部消息稱為了解決供應(yīng)短缺問題，高通(微博)近期會(huì)與三星(微博)電子簽晶圓代工協(xié)議，雙方擬明年起使用三星的28nm制程技術(shù)生產(chǎn)高通驍龍(Snapdragon)S4芯片組。產(chǎn)業(yè)信息

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-07-06

晶圓代工制程技術(shù) 三星
臺(tái)積高階產(chǎn)能明年大爆發(fā)

臺(tái)積電28納米高階產(chǎn)能吃緊，傳客戶可能「變心」，轉(zhuǎn)至其它晶圓廠投片。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨（4）日向客戶信心喊話，強(qiáng)調(diào)高階產(chǎn)能第4季可接近市場(chǎng)需求，明年將放量，客戶與市場(chǎng)「仍要靠我們（臺(tái)積電）?！乖喂ぱ性?/p>
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2012-07-05

先進(jìn)制程晶圓廠制程技術(shù) 臺(tái)積電
臺(tái)積高階產(chǎn)能明年大爆發(fā)

馬英九總統(tǒng)（左）昨天出席工研院院士授證典禮，授證予臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀（右）等8名院士。張忠謀在馬總統(tǒng)準(zhǔn)備離開會(huì)場(chǎng)時(shí)，握住馬總統(tǒng)的手低聲講了幾句，還拍拍他的肩膀。記者盧振升／攝影臺(tái)積電28納米高階產(chǎn)能

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2012-07-05

先進(jìn)制程晶圓廠制程技術(shù) 臺(tái)積電
臺(tái)積高階產(chǎn)能明年大爆發(fā)

臺(tái)積電28納米高階產(chǎn)能吃緊，傳客戶可能「變心」，轉(zhuǎn)至其它晶圓廠投片。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨（4）日向客戶信心喊話，強(qiáng)調(diào)高階產(chǎn)能第4季可接近市場(chǎng)需求，明年將放量，客戶與市場(chǎng)「仍要靠我們（臺(tái)積電）。」曾任工研

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2012-07-05

先進(jìn)制程晶圓廠制程技術(shù) 臺(tái)積電
亞德諾與臺(tái)積電合作開發(fā)類比制程技術(shù)平臺(tái)

亞德諾(ADI)與臺(tái)積電合作開發(fā)完成適用于精密類比IC的0.18微米的類比制程技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)能改善許多元件的類比性能，包括可廣泛使用于消費(fèi)性、通訊、電腦、工業(yè)與汽車應(yīng)用領(lǐng)域的A/D(類比/數(shù)位)與D/A(數(shù)位/類比)轉(zhuǎn)換器

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2012-06-25

微米 IC 制程技術(shù) 臺(tái)積電
臺(tái)積電/ADI攜手開發(fā)0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電(TSM-US)(2330-TW)與美商亞德諾(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布雙方合作開發(fā)完成可支援精密類比積體電路的0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)。此平臺(tái)適合許多電腦、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。此

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2012-06-21

微米 ADI 制程技術(shù) 臺(tái)積電
臺(tái)積電/ADI攜手開發(fā)0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾(ADI)與臺(tái)積電(2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開發(fā)完成可支援精密類比積體電路的0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)-CMOS(雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體）整

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2012-06-21

微米 ADI 制程技術(shù) 臺(tái)積電
臺(tái)積電/ADI攜手開發(fā)0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾 (ADI)與臺(tái)積電 (2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開發(fā)完成可支援精密類比積體電路的0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)- CMOS (雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體

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2012-06-20

微米 ADI 制程技術(shù) 臺(tái)積電
臺(tái)積抗三星張忠謀：我們不會(huì)像友達(dá)一樣

臺(tái)積電上午舉行股東會(huì)，董事長(zhǎng)張忠謀出席主持。記者曾吉松／攝影晶圓龍頭臺(tái)積電今天召開股東會(huì)，會(huì)中順利通過去年度配發(fā)每股3元現(xiàn)金股息，對(duì)于市場(chǎng)擔(dān)心下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)需求將轉(zhuǎn)弱的問題，董事長(zhǎng)張忠謀維持上季

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2012-06-12

制程技術(shù) 臺(tái)積電三星
瑞薩電子與臺(tái)積電攜手40奈米制程技術(shù)合作

瑞薩電子(Renesas Electronics)與臺(tái)積電共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，擴(kuò)大在微控制器(MCU)技術(shù)方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程，以生產(chǎn)應(yīng)用于下一世代汽車及家電等消費(fèi)性產(chǎn)品的微控制器。瑞薩電子資深

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2012-05-29

微控制器瑞薩電子制程技術(shù) 臺(tái)積電
瑞薩：與臺(tái)積電擴(kuò)大結(jié)盟，40nm以下制程MCU委外代工

瑞薩：與臺(tái)積電擴(kuò)大結(jié)盟，40nm以下制程MCU委外代工

嵌入式動(dòng)態(tài)
2012-05-26

MCU IDE 制程技術(shù) 臺(tái)積電
英特爾開始7nm和5nm制程工藝研究

英特爾制程工藝路線圖。北京時(shí)間5月17日消息，英特爾(微博)CEO保羅·歐德寧(Paul Otellini)表示，英特爾已開始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。此外，英特爾目前計(jì)劃在美國(guó)俄勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的工廠中部

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-05-21

5NM 制程技術(shù) 英特爾
英特爾開始研發(fā)7納米和5納米制程工藝

英特爾CEO保羅·歐德寧(PaulOtellini)表示，英特爾已開始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。此外，英特爾目前計(jì)劃在美國(guó)俄勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的工廠中部署14納米制程生產(chǎn)線。歐德寧表示：“我們的研發(fā)已非常深入，面

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2012-05-18

處理器 BRIDGE 制程技術(shù) 英特爾
制程技術(shù)向7nm大躍進(jìn)，3D IC硬著頭皮也要上

GlobalFoundries 公司正在仔細(xì)考慮其 20nm 節(jié)點(diǎn)的低功耗和高性能等不同制程技術(shù)，而在此同時(shí)，多家芯片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ，以及進(jìn)一步往 7nm 節(jié)點(diǎn)發(fā)展的途徑。IBM 的專家指出，下

消費(fèi)電子
2012-05-07

節(jié)點(diǎn) IC GLOBALFOUNDRIES 制程技術(shù)
制程技術(shù)向7nm大躍進(jìn)，3D IC硬著頭皮也要上

GlobalFoundries 公司正在仔細(xì)考慮其 20nm 節(jié)點(diǎn)的低功耗和高性能等不同制程技術(shù)，而在此同時(shí)，多家芯片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ，以及進(jìn)一步往 7nm 節(jié)點(diǎn)發(fā)展的途徑。 IBM 的專家指出，

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2012-05-07

IBM 節(jié)點(diǎn) IC 制程技術(shù)
格羅方德晶圓八廠實(shí)現(xiàn)20奈米3D晶片制程技術(shù)

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技術(shù)，將可為新一代的行動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)三維(3D)晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導(dǎo)體晶圓上建立矽穿孔(TSV)技術(shù)，作業(yè)于20奈米技術(shù)平臺(tái)上

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2012-05-03

晶片晶圓格羅方德制程技術(shù)

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制程技術(shù)

甩開追兵臺(tái)積電向20奈米挺進(jìn)

斥重資入股ASML 英特爾力推新一代制程技術(shù)

傳高通與三星簽署晶圓代工協(xié)議

Zhaga聯(lián)盟修正LED路燈標(biāo)準(zhǔn)

傳高通與三星簽署晶圓代工協(xié)議

臺(tái)積高階產(chǎn)能明年大爆發(fā)

臺(tái)積高階產(chǎn)能明年大爆發(fā)

臺(tái)積高階產(chǎn)能明年大爆發(fā)

亞德諾與臺(tái)積電合作開發(fā)類比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電/ADI攜手開發(fā)0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電/ADI攜手開發(fā)0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電/ADI攜手開發(fā)0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積抗三星張忠謀：我們不會(huì)像友達(dá)一樣

瑞薩電子與臺(tái)積電攜手40奈米制程技術(shù)合作

瑞薩：與臺(tái)積電擴(kuò)大結(jié)盟，40nm以下制程MCU委外代工

英特爾開始7nm和5nm制程工藝研究

英特爾開始研發(fā)7納米和5納米制程工藝

制程技術(shù)向7nm大躍進(jìn)，3D IC硬著頭皮也要上

制程技術(shù)向7nm大躍進(jìn)，3D IC硬著頭皮也要上

格羅方德晶圓八廠實(shí)現(xiàn)20奈米3D晶片制程技術(shù)

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