晶體管

我要報(bào)錯(cuò)

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

英特爾芯片設(shè)計(jì)獲重大突破摩爾定律可延續(xù)

5月5日消息，據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，英特爾周三表示，已重新設(shè)計(jì)了其芯片上的電子開關(guān)（即晶體管），可使電腦不斷降低價(jià)格、功能變得更為強(qiáng)大。晶體管通常是扁的，英特爾通過(guò)加入第三維--“鰭”狀的突起物，能生產(chǎn)出更小的晶

半導(dǎo)體
2011-05-10

摩爾定律芯片設(shè)計(jì) 英特爾芯片晶體管
英特爾3D晶體管芯片將先在美國(guó)和以色列量產(chǎn)

英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰昨天透露，英特爾內(nèi)部目前具備22納米、3維晶體管芯片生產(chǎn)能力的工廠有5個(gè)，它們分別是在美國(guó)俄勒岡州的試驗(yàn)線D1D和D1C，在美國(guó)亞利桑那州的Fab-12和Fab-32，以及在以色列的Fab-28。

半導(dǎo)體
2011-05-09

芯片英特爾 BSP 晶體管
英特爾3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶　ARM不畏懼

英特爾(Intel)于日前宣布芯片設(shè)計(jì)創(chuàng)新，外界認(rèn)為，主要是為擺脫英國(guó)芯片大廠ARM的威脅。ARM對(duì)英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。銷售收入居全球第1的芯片生產(chǎn)商英特爾，于5日公布最新3D三閘晶體管技術(shù)。該公司

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2011-05-09

英特爾 ARM 臺(tái)積電晶體管
臺(tái)積電：成本下降構(gòu)架成熟后會(huì)導(dǎo)入3D晶體管

英特爾日前宣布完成芯片技術(shù)重大突破，將導(dǎo)入三維晶體管的芯片技術(shù)在22 納米制程生產(chǎn)新款微處理器。臺(tái)積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義對(duì)此表示，在成本下降、上下游技術(shù)架構(gòu)建立后，臺(tái)積電即會(huì)導(dǎo)入三維晶體管。2002年英特

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-09

英特爾臺(tái)積電摩爾定律晶體管
英特爾年內(nèi)開始采用22nm工藝量產(chǎn)三維晶體管MPU

英特爾MPU晶體管的發(fā)展軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。（點(diǎn)擊放大） Tri-Gate實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。（點(diǎn)擊放大）美國(guó)英特爾公司宣布，將從22nm工藝開始量產(chǎn)采用三維晶體管“Tri-Gate（三柵極）”的MPU

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2011-05-09

英特爾 MPU TE 晶體管
英特爾宣布將從22nm工藝開始在量產(chǎn)中應(yīng)用3D晶體管技術(shù)

英特爾“Tri-Gate”3D晶體管技術(shù)的照片（照片：由英特爾公司提供）（點(diǎn)擊放大）老式平面型晶體管（左）與Tri-Gate晶體管（右）的比較（圖：引自英特爾公司資料）（點(diǎn)擊放大） Tri-Gate技術(shù)的概要（圖：引自

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2011-05-09

英特爾 TE BRIDGE 晶體管
圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時(shí)代

作者：孫昌旭業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在年底進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)，批量投產(chǎn)研發(fā)代號(hào)Ivy Bridge的22納米英特爾

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2011-05-09

CPU 英特爾柵極晶體管
臺(tái)積電稱3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟

臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡(jiǎn)稱：臺(tái)積電)周四表示，在2D芯片容量達(dá)到極限之前，公司不會(huì)啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體，而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。英特爾(Intel

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-08

英特爾臺(tái)積電納米技術(shù) 晶體管
Intel 22nm三柵技術(shù)后續(xù)報(bào)道：聽聽分析師們?cè)趺凑f(shuō)？

作為對(duì)Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道，我們搜集了多位業(yè)界觀察家對(duì)此的理解和意見，以便大家能在Intel不愿意過(guò)早透露22nm三柵技術(shù)較多技術(shù)細(xì)節(jié)的情況下能更深入地理解這種技術(shù)。鰭數(shù)可按需要進(jìn)行調(diào)整（Intel 2

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2011-05-08

Intel 柵極 BSP 晶體管
探秘:英特爾22nm tri-gate晶體管技術(shù)

繼四年前首度啟用HKMG工藝制作商用處理器之后，全球最大的半導(dǎo)體廠商Intel又一次站在了業(yè)界前列，這一次他們用實(shí)際行動(dòng)宣告與傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)徹底告別。如先前外界所預(yù)料的那樣，本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)

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2011-05-08

Intel 英特爾 TE 晶體管
單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

嵌入式教程
2011-05-07

線路集成技術(shù) 3D芯片晶體管
英特爾3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶　ARM不畏懼

英特爾3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶　ARM不畏懼

嵌入式動(dòng)態(tài)
2011-05-06

英特爾 ARM 臺(tái)積電晶體管
英特爾將批量生產(chǎn)3D晶體管芯片耗電量大幅降低

被稱為三柵極的世界上首款3-D晶體管進(jìn)入生產(chǎn)技術(shù)階段左邊為32納米平面晶體管，右邊為22納米 3-D三柵極晶體管，示意電流通過(guò)的樣子　　新浪科技訊北京時(shí)間5月5日上午消息，英特爾周三在舊金山展示了一項(xiàng)全新的3D晶體

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2011-05-06

芯片英特爾電量晶體管
英特爾22nm tri-gate晶體管(3D晶體管)技術(shù)探秘

繼四年前首度啟用HKMG工藝制作商用處理器之后，全球最大的半導(dǎo)體廠商Intel又一次站在了業(yè)界前列，這一次他們用實(shí)際行動(dòng)宣告與傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)徹底告別。如先前外界所預(yù)料的那樣，本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)

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2011-05-06

Intel 英特爾 TE 晶體管
Intel 22nm制程三柵結(jié)構(gòu)晶體管技術(shù)探秘

繼四年前首度啟用HKMG工藝制作商用處理器之后，全球最大的半導(dǎo)體廠商Intel又一次站在了業(yè)界前列，這一次他們用實(shí)際行動(dòng)宣告與傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)徹底告別。如先前外界所預(yù)料的那樣，本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)

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2011-05-06

Intel 電壓 FINFET 晶體管
英特爾3D芯片年底投產(chǎn)

全球最大半導(dǎo)體制造商英特爾公司（Intel）4日發(fā)表以3D技術(shù)制造處理器的最新制程(三維晶體管)，可提高芯片效能多達(dá)37%，并降低耗電量，預(yù)定年底前投產(chǎn)。英特爾說(shuō)，這是半導(dǎo)體技術(shù)逾50年來(lái)最重大的突破。英特爾計(jì)劃把芯

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2011-05-06

英特爾電量 3D芯片晶體管
臺(tái)積電將跟進(jìn)三維晶體管新技術(shù)

英特爾昨（5）宣布完成芯片技術(shù)重大突破，將導(dǎo)入三維晶體管的芯片技術(shù)在22 納米制程生產(chǎn)新款微處理器。臺(tái)積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義對(duì)此表示，在成本下降、上下游技術(shù)架構(gòu)建立后，臺(tái)積電即會(huì)導(dǎo)入三維晶體管。 20

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2011-05-06

英特爾臺(tái)積電摩爾定律晶體管
臺(tái)積電：暫不考慮采用

英特爾昨（5）日宣布晶體管演進(jìn)上的重大技術(shù)突破，即將在年底推出的22納米制程及Ivy Bridge處理器，將是世界首款內(nèi)含3D晶體管Tri-Gate的處理器芯片。英特爾表示，3D晶體管Tri-Gate將維持科技演進(jìn)的步伐，于未來(lái)繼續(xù)推

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2011-05-06

英特爾臺(tái)積電 TE 晶體管
3D晶體管問(wèn)世英特爾掀革命

英特爾并未透露新晶體管技術(shù)細(xì)節(jié)，但「邏輯技術(shù)開發(fā)部門」主管波爾（Mark Bohr）指出，該公司將是首家把3D晶體管技術(shù)投產(chǎn)的業(yè)者，與現(xiàn)有的卅二納米制程相比，采用廿二納米制程的3D晶體管，可提高三七％效能，電力消耗

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2011-05-06

英特爾 RESEARCH 摩爾定律晶體管
臺(tái)積電:在2D到極限前不采用3D晶體管技術(shù)

臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 簡(jiǎn)稱：臺(tái)積電)周四表示，在2D芯片容量達(dá)到極限之前，公司不會(huì)啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體，而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。英特爾(

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2011-05-05

英特爾臺(tái)積電納米技術(shù) 晶體管

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晶體管

英特爾芯片設(shè)計(jì)獲重大突破摩爾定律可延續(xù)

英特爾3D晶體管芯片將先在美國(guó)和以色列量產(chǎn)

英特爾3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶　ARM不畏懼

臺(tái)積電：成本下降構(gòu)架成熟后會(huì)導(dǎo)入3D晶體管

英特爾年內(nèi)開始采用22nm工藝量產(chǎn)三維晶體管MPU

英特爾宣布將從22nm工藝開始在量產(chǎn)中應(yīng)用3D晶體管技術(shù)

圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時(shí)代

臺(tái)積電稱3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟

Intel 22nm三柵技術(shù)后續(xù)報(bào)道：聽聽分析師們?cè)趺凑f(shuō)？

探秘:英特爾22nm tri-gate晶體管技術(shù)

單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

英特爾3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶　ARM不畏懼

英特爾將批量生產(chǎn)3D晶體管芯片耗電量大幅降低

英特爾22nm tri-gate晶體管(3D晶體管)技術(shù)探秘

Intel 22nm制程三柵結(jié)構(gòu)晶體管技術(shù)探秘

英特爾3D芯片年底投產(chǎn)

臺(tái)積電將跟進(jìn)三維晶體管新技術(shù)

臺(tái)積電：暫不考慮采用

3D晶體管問(wèn)世英特爾掀革命

臺(tái)積電:在2D到極限前不采用3D晶體管技術(shù)

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