晶體管

SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

飛思卡爾使用新型Airfast RF功率解決方案重新定義晶體管性能

硅片RF LDMOS功率晶體管的全球領(lǐng)先廠商飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解決方案，旨在為全球無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備制造商提供RF功率產(chǎn)品，將性能和能效提升至新的高度。 Airfast系列是飛思卡爾推出

英特爾3D芯片將為醫(yī)療設(shè)備帶來(lái)革命性影響

英特爾公司開發(fā)了使用3D結(jié)構(gòu)的晶體管，這被稱為50余年微處理器設(shè)計(jì)的最大突破，并將投入大規(guī)模生產(chǎn)。英特爾公司在一份新聞稿中表示，三柵型設(shè)計(jì)師英特爾公司最早在2002年公布的，該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)徹底擺脫了二維平面晶體

CXS-78A型晶體管床位顯示器電路

電子鬼才，僅用導(dǎo)線和晶體管DIY電腦[圖]

真的猛士，敢于DIY自己的生活；真的猛士，敢于DIY自己的電子產(chǎn)品；真的猛士，敢于只用導(dǎo)線和晶體管DIY自己的電腦。從零開始造電腦……這得是何等的生猛啊。一般人也就是自己組臺(tái)機(jī)器裝個(gè)系統(tǒng)啥的，這位叫

臺(tái)積電稱Finfet尚未成熟 芯片設(shè)計(jì)制造需改動(dòng)

自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)（至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí)）仍將采用傳統(tǒng)

臺(tái)積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟

自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)（至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí)）仍將采用傳統(tǒng)

韓日英三國(guó)科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道，來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而

臺(tái)積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟

??????? 自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)（至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí)）仍將

韓日英三國(guó)科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道，來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而且能夠

韓日英三國(guó)科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道，來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而且能夠

韓日英三國(guó)科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道，來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(Choi Jung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而

3D半導(dǎo)體制程 不是Intel柯斷？

前不久Intel把3D立體概念應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的〝FinFET技術(shù)〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術(shù)，簡(jiǎn)單地說(shuō)就是把原本二維的平面柵級(jí)用一塊非常薄的三維矽鰭片來(lái)取代，并且在立體的三個(gè)面上都放置了一個(gè)

3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國(guó)稱比英特爾較早申請(qǐng)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國(guó)稱比英特爾較早申請(qǐng)

新聞來(lái)源:Digitimes 據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲

韓國(guó)稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請(qǐng)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用

韓國(guó)稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請(qǐng)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

在一枚芯片上集成多個(gè)耐壓各異的中高壓晶體管

日立制作所宣布，開發(fā)出了有關(guān)中高耐壓（35～300V左右）晶體管的兩項(xiàng)技術(shù)。其一是在一枚芯片上集成源漏極耐壓各不相同的多個(gè)晶體管的技術(shù)，另一個(gè)是可將柵源極耐壓提高至300V的技術(shù)。 圖1：可將耐壓各不相同的

韓國(guó)稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請(qǐng)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用

ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)

ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)