晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

Philips Lumileds率先量產(chǎn)6英寸晶圓

加州圣何塞和新加坡–PhilipsLumileds現(xiàn)已成為首家量產(chǎn)150毫米（6英寸）晶圓的功率型LED制造商，并正在大型襯底上，每周生產(chǎn)數(shù)百萬(wàn)顆基于氮化鎵(GaN)材料的LEDs。Lumileds擁有全球最先進(jìn)的LED制造技術(shù)，運(yùn)作環(huán)境和能

顯示光電
2010-12-20

LEDS Philips 晶圓新加坡
臺(tái)積電12英寸晶圓產(chǎn)能將增長(zhǎng)30％

臺(tái)積電近日表示，在客戶需求樂觀情況下，明年將持續(xù)增加資本支出，12英寸晶圓產(chǎn)能將較今年增長(zhǎng)逾30％；而長(zhǎng)期藍(lán)圖中，計(jì)劃在2015年興建新廠。臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀稱，“今年即使已盡了全力，但仍然無(wú)法滿足

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2010-12-17

臺(tái)積電晶圓廠供應(yīng)鏈管理晶圓
臺(tái)積電12英寸晶圓產(chǎn)能將增長(zhǎng)30％

臺(tái)積電近日表示，在客戶需求樂觀情況下，明年將持續(xù)增加資本支出，12英寸晶圓產(chǎn)能將較今年增長(zhǎng)逾30％；而長(zhǎng)期藍(lán)圖中，計(jì)劃在2015年興建新廠。臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀稱，“今年即使已盡了全力，但仍然無(wú)法滿足

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2010-12-17

臺(tái)積電晶圓廠供應(yīng)鏈管理晶圓
3D芯片成本該是多少？

要實(shí)現(xiàn)基于TSV(through-silicon via)技術(shù)的3D芯片大規(guī)模生產(chǎn)所需要克服的最大困難是什么？困難其實(shí)還有很多，但是成本或許是這其中最大的問題。 Synopsys公司執(zhí)行小組高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Antun Domic表示，一個(gè)基于

充電吧
2010-12-16

芯片制造商 3D芯片 AN 晶圓
18寸晶圓技術(shù)熱度升高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

針對(duì)市場(chǎng)的謠傳紛紛，英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí)，該公司將在美國(guó)興建的新晶圓廠，將會(huì)支持18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息，英特爾將在美國(guó)奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠，并將該公司其它位于美國(guó)的晶圓廠升級(jí)至22納米

半導(dǎo)體
2010-12-14

Intel 英特爾晶圓廠晶圓
基于TSV技術(shù)的3D芯片成本該是多少?

要實(shí)現(xiàn)基于TSV(through-siliconvia)技術(shù)的3D芯片大規(guī)模生產(chǎn)所需要克服的最大困難是什么？困難其實(shí)還有很多，但是成本或許是這其中最大的問題。Synopsys公司執(zhí)行小組高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理AntunDomic表示，一個(gè)基于TSV技

半導(dǎo)體
2010-12-14

3D芯片 AN 3D封裝晶圓
全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

根據(jù)SEMI發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%；相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔來

半導(dǎo)體
2010-12-14

內(nèi)存晶圓廠 SEMI 晶圓
全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

根據(jù)SEMI發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(WorldFabForecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%；相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔來觀

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2010-12-14

內(nèi)存晶圓廠 SEMI 晶圓
SEMI保守預(yù)測(cè)未來兩年全球晶圓產(chǎn)能

根據(jù) SEMI 發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%;相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-14

內(nèi)存晶圓廠 SEMI 晶圓
全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

根據(jù) SEMI 發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%；相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔

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2010-12-14

內(nèi)存晶圓廠 SEMI 晶圓
英特爾確認(rèn)22nm新工廠可生產(chǎn)450mm晶圓

讓整個(gè)產(chǎn)業(yè)猜測(cè)了一次又一次之后，Intel今天終于官方確認(rèn)，他們的新工廠已經(jīng)在為下一代450mm晶圓做著準(zhǔn)備。450mm(18英寸)指的都是硅晶圓的直徑，就像現(xiàn)在最普遍使用的300mm(12英寸)，以及早被淘汰的200mm(8英寸)、15

半導(dǎo)體
2010-12-13

Intel 英特爾晶圓廠晶圓
18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

針對(duì)市場(chǎng)的謠傳紛紛，英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí)，該公司將在美國(guó)興建的新晶圓廠，將會(huì)支持18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息，英特爾將在美國(guó)奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠，并將該公司其它位于美國(guó)的晶圓廠升級(jí)至22納米

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2010-12-13

Intel 英特爾晶圓廠晶圓
18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

針對(duì)市場(chǎng)的謠傳紛紛，英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí)，該公司將在美國(guó)興建的新晶圓廠，將會(huì)支持18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息，英特爾將在美國(guó)奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠，并將該公司其它位于美國(guó)的晶圓廠升級(jí)至22納米

消費(fèi)電子
2010-12-13

Intel 英特爾晶圓廠晶圓
臺(tái)積電松江廠強(qiáng)攻汽車晶片

臺(tái)積電大陸松江廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，近期更把臺(tái)灣約7.62億元機(jī)器設(shè)備移轉(zhuǎn)到松江廠區(qū)，預(yù)計(jì)年底將完成月產(chǎn)能5萬(wàn)片目標(biāo)，明年進(jìn)一步朝月產(chǎn)能11萬(wàn)片邁進(jìn)。據(jù)了解，臺(tái)積電松江廠這波擴(kuò)產(chǎn)，主要是為因應(yīng)汽車電子晶片相關(guān)需求。臺(tái)

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2010-12-13

汽車晶片臺(tái)積電晶圓
晶圓雙雄擴(kuò)產(chǎn) 明年征兵5,000

晶圓雙雄明年產(chǎn)能大增，人力需求同步大開，增幅至少達(dá)8%。臺(tái)積電預(yù)計(jì)在北中南召募約3,000名新血，聯(lián)電也將釋出約2,000個(gè)職缺，是半導(dǎo)體業(yè)找人最積極的族群。晶圓雙雄招募對(duì)象以工程師、線上作業(yè)員為主，理工碩博士最

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2010-12-13

工程師聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
意法半導(dǎo)體等利用65nm晶圓分析TSV對(duì)CMOS電路的影響

法國(guó)CEA-LETI公司、法國(guó)薩瓦大學(xué)（Universite de Savoie）及意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）共同分析了在帶有65nm工藝CMOS電路的硅晶圓上形成TSV（硅貫通孔）時(shí)，TSV對(duì)CMOS電路特性的影響（演講編號(hào)：35.1）。以利

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2010-12-13

電路意法半導(dǎo)體 CMOS 晶圓
18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

針對(duì)市場(chǎng)的謠傳紛紛，英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí)，該公司將在美國(guó)興建的新晶圓廠，將會(huì)支持18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息，英特爾將在美國(guó)奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠，并將該公司其它位于美國(guó)的晶圓廠升級(jí)至22納米

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2010-12-13

Intel 英特爾晶圓廠晶圓
外資買超百億捧晶圓封測(cè)

上周臺(tái)股在三大法人的買超帶動(dòng)下，激勵(lì)指數(shù)震蕩盤堅(jiān)，再創(chuàng)今年新高，單周上漲94.82點(diǎn)，漲幅1.1%，以8,718.83點(diǎn)收市?？傆?jì)三大法人單周進(jìn)出，買超臺(tái)股112.72億，其中外資買超141.76億，投信賣超38.05億，自營(yíng)商買超9.

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2010-12-12

電子印刷電路板主軸晶圓
全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

根據(jù)SEMI發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%；相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔來

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2010-12-12

內(nèi)存晶圓廠 SEMI 晶圓
臺(tái)積上月營(yíng)收減4% 符合預(yù)期

晶圓龍頭臺(tái)積電（2330）11月營(yíng)收終結(jié)連續(xù)八個(gè)月歷史新高，在新臺(tái)幣升值影響下，11月營(yíng)收368.46億元，月減4.1%，符合市場(chǎng)預(yù)期。依此推算，第四季將小幅超越法說會(huì)預(yù)定的1,090億元高標(biāo)，上看1,110億元，與第三季相比，

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2010-12-11

處理器臺(tái)積電 IDC 晶圓

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晶圓

Philips Lumileds率先量產(chǎn)6英寸晶圓

臺(tái)積電12英寸晶圓產(chǎn)能將增長(zhǎng)30％

臺(tái)積電12英寸晶圓產(chǎn)能將增長(zhǎng)30％

3D芯片成本該是多少？

18寸晶圓技術(shù)熱度升高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

基于TSV技術(shù)的3D芯片成本該是多少?

全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

SEMI保守預(yù)測(cè)未來兩年全球晶圓產(chǎn)能

全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

英特爾確認(rèn)22nm新工廠可生產(chǎn)450mm晶圓

18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

臺(tái)積電松江廠強(qiáng)攻汽車晶片

晶圓雙雄擴(kuò)產(chǎn) 明年征兵5,000

意法半導(dǎo)體等利用65nm晶圓分析TSV對(duì)CMOS電路的影響

18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

外資買超百億捧晶圓封測(cè)

全球晶圓產(chǎn)能2011年增長(zhǎng)預(yù)期保守

臺(tái)積上月營(yíng)收減4% 符合預(yù)期

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