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臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率 惟制程進度仍落后
經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electron
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DRAM合約價漲勢告終12月再現(xiàn)拉鋸戰(zhàn)
11月下旬DRAM合約價終止?jié)q勢，2GB容量DDR2模塊高價面臨下跌壓力，DDR3模塊價格則是持平開始，主要是反應(yīng)傳統(tǒng)淡季將至，近期現(xiàn)貨價格近期修正高達15%，合約價開始出現(xiàn)壓力，惟南亞科發(fā)言人白培霖表示，PCOEM業(yè)者的需求
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iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
11月24日消息，根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(Double Data Rate 3)標準型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。 據(jù)國外媒體報道，以單位出貨量計算，DDR3明年第2季的市占
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iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(DoubleDataRate3)標準型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。 以單位出貨量計算，DDR3明年第2季的市占率將達50。9%，較今年第2季的14。2%
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DRAM廠想靠DDR3翻身，得先過技術(shù)門檻
市場研究機構(gòu)DIGITIMESResearch指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴充競賽，這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去；自此，DRAM價格持續(xù)下挫，過去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數(shù)D
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7％
根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且
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南亞科、華亞科沖刺50納米 明年資本支出逾600億新臺幣
臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準備沖刺先進制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時將全
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IR3522和IR3506 XPhase 芯片組(IR)
國際整流器公司 (IR) 推出IR3522和IR3506 XPhase 芯片組，為DDR3多相位內(nèi)存應(yīng)用提供全面的功率解決方案。新推出的IR3522雙輸出脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器內(nèi)置了I2C接口，為DDR3 VDDQ和Vtt軌提供了全面的系統(tǒng)控制。這款器
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Hynix開始量產(chǎn)54納米制程1GB DDR3節(jié)省30%耗電量
Yonhap News報導(dǎo)，南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運算速度則較DDR2增加近1倍。 Hynix表示，該公司計劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)
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愛德萬推T5503測試系統(tǒng)
愛德萬測試于今年年中發(fā)表最新的高速內(nèi)存測試機T5503擴充架構(gòu)，以256顆DDR3內(nèi)存之同測技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，兩倍于前一款機型，此款擴充架構(gòu)機型，配合T5503 8448 Channels之測試頭，現(xiàn)已開始出貨。 愛德萬表示，未來高質(zhì)
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三星對半導(dǎo)體業(yè)前景謹慎
全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態(tài)度。三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度
