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美光推出增加服務(wù)器內(nèi)存容量和提升性能的新方法
美光科技股份有限公司前日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR3低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負(fù)載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容
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iSuppli把DRAM市場狀況評級調(diào)升至“正面”
在DDR3內(nèi)存供應(yīng)短缺并導(dǎo)致價(jià)格上漲之際，iSuppli公司日前把DRAM供應(yīng)商的近期形勢評級調(diào)升到了“正面”。自從2008年9月以來，iSuppli公司一直維持對DRAM市場的“負(fù)面”評級，兩周前才調(diào)高至“中性”?！癉RAM市場近三年
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三星電子率先量產(chǎn)40納米DDR3 DRAM
7月21日三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級別產(chǎn)品全世界首次進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。據(jù)悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后，
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PC OEM轉(zhuǎn)向CULV平臺 拉動(dòng)DDR3價(jià)格一路走高
7月DDR3合約價(jià)將重啟協(xié)商，研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)估計(jì)，由于PCOEM廠積極轉(zhuǎn)進(jìn)CULV平臺，對顆粒的需求大幅增加，預(yù)期7月DDR3合約價(jià)格上漲約5%到10%左右，且隨著景氣走出谷底，DRAM大廠的DDR3投片量今年底前可
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瑞信調(diào)升KLA等三家半導(dǎo)體制造設(shè)備股評級
據(jù)國外媒體報(bào)道，瑞士信貸宣布，調(diào)升三家半導(dǎo)體制造設(shè)備提供商的股票評級，理由是“終端需求好于預(yù)期”。 瑞信分析師薩塔雅-卡瑪(Satya Kumar)宣布，將KLA-Tencor(KLAC)、Lam Research(LRCX)和Novellus Systems(NVL
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全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升
市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零
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DDR3測試的挑戰(zhàn)及解決方法
前言作為DDR2的繼任者，根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn), 目前DDR3的數(shù)據(jù)速率跨度從800Mbps開始直至1.6Gbps。在帶給用戶更快性能體驗(yàn)的同時(shí), DDR3卻能保持較低的功耗，相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個(gè)DRAM市場低迷，DDR3的出貨量遠(yuǎn)
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DRAM廠不整并 2、3年后仍會出問題
臺灣內(nèi)存公司(TMC)成立過程峰回路轉(zhuǎn)，力成董事長蔡篤恭對TMC持中立態(tài)度，如果政府覺得DRAM產(chǎn)業(yè)重要，就該救，只是如何救變成見仁見智。蔡篤恭認(rèn)為，臺面上的DRAM廠應(yīng)想辦法以整合方式存活下來，一旦DRAM廠倒閉歸零，
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DRAM廠不整并 2、3年后仍會出問題
臺灣內(nèi)存公司（TMC）成立過程峰回路轉(zhuǎn)，力成董事長蔡篤恭對TMC持中立態(tài)度，如果政府覺得DRAM產(chǎn)業(yè)重要，就該救，只是如何救變成見仁見智。蔡篤恭認(rèn)為，臺面上的DRAM廠應(yīng)想辦法以整合方式存活下來，一旦DRAM廠倒閉歸零
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DDR2時(shí)代終結(jié)？三星啟動(dòng)DDR3交替計(jì)劃
三星近日宣布，將全力推動(dòng)DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價(jià)模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價(jià)策略，鼓勵(lì)PC用戶積極采購DDR3平臺。 三星力推DDR3與DDR2無價(jià)差策略 DRAM
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三星開始DDR3存儲器量產(chǎn)
為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準(zhǔn)備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。 DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Need
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三星擬上調(diào)DDR3產(chǎn)能 堅(jiān)信年底前成DRAM主流
韓國電子公司三星宣布，因英特爾推出5500系列Xeon服務(wù)器處理器，刺激需求增長，公司決定增加50奈米制程技術(shù)的DDR3 DRAM之產(chǎn)能。 DDR3是第三代的雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。三星和其它公司相信DDR3將在今年底
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DRAM廠50nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)與資本投資
DRAM價(jià)格持續(xù)低于現(xiàn)金成本；2009年資本支出大減56% 隨著全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨了超過二年的不景氣，加上去年下半年金融風(fēng)暴襲卷造成消費(fèi)需求急凍之下，2008年DRAM顆粒價(jià)格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價(jià)格回到
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三星電子開始供貨采用50nm工藝制造的2Gbit DDR3方式DRAM模塊
韓國三星電子宣布，已經(jīng)開始供貨配備了采用50nm工藝技術(shù)的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產(chǎn)品。主要面
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傳英特爾AMD將向DDR3內(nèi)存過渡推遲到2010年
1月16日消息，據(jù)臺灣地區(qū)的主板廠商稱，雖然英特爾和AMD原來預(yù)計(jì)其所有產(chǎn)品都要在2009年全面向DDR3內(nèi)存過渡，但是，這兩家廠商現(xiàn)在要推遲僅支持DDR3內(nèi)存的芯片組。DDR3這代內(nèi)存預(yù)計(jì)要在2010年之后才能廣泛應(yīng)用。 由
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