聯(lián)電將全力沖刺40奈米(nm)晶圓代工業(yè)務(wù)。不同于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)陸續(xù)宣布加速16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)時程,積極卡位先進(jìn)制程市場,聯(lián)電則先以擴(kuò)大40奈米營收比重為主要發(fā)展重心,并將擴(kuò)增
臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”,但是隨著英特爾開始接受Altera的14nmFPGA訂單,兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。而另一家代工廠格羅方德近日也宣布要在兩年內(nèi)在工藝制程方面趕上臺積電。這
臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”,但是隨著英特爾開始接受Altera的14nmFPGA訂單,兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。而另一家代工廠格羅方德近日也宣布要在兩年內(nèi)在工藝制程方面趕上臺積電。這預(yù)示著全球
臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”,但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單,兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。而另一家代工廠格羅方德近日也宣布要在兩年內(nèi)在工藝制程方面趕上臺積電。這預(yù)示著全球
先進(jìn)制程晶圓代工市場戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出將超前臺積電1年,于2014年導(dǎo)入14奈米量產(chǎn),并將發(fā)揮FinFET專利
先進(jìn)制程晶圓代工市場戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出將超前臺積電1年,于2014年導(dǎo)入14奈米量產(chǎn),并將發(fā)揮FinFET專利
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達(dá)百億美元,2013年占45億美元,主要都是用在先進(jìn)制程,受惠于行動通訊產(chǎn)品如智慧型手機(jī)、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進(jìn)制程技術(shù)熱潮。GlobalFoundries目前主力制程為28nm,
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(TapeOut)14nm
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達(dá)百億美元,2013年占45億美元,主要都是用在先進(jìn)制程,受惠于行動通訊產(chǎn)品如智慧型手機(jī)、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進(jìn)制程技術(shù)熱潮。GlobalFoundries目前主力制程為28nm,
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm Fi
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm Fi
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14n
臺積電共同COO暨執(zhí)行副總蔣尚義日前表示,臺積電以前與英特爾“河水不犯井水”,但隨著英特爾開始搶臺積電的生意,臺積電將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù),希望在10納米領(lǐng)域全面追趕上英特爾。 蔣尚義昨天出席清華大學(xué)執(zhí)行國
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達(dá)百億美元,2013年占45億美元,主要都是用在先進(jìn)制程,受惠于行動通訊產(chǎn)品如智慧型手機(jī)、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進(jìn)制程技術(shù)熱潮。 GlobalFoundries目前主力制程為28奈
臺積電共同營運(yùn)長蔣尚義昨(22)日表示,臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時間確定縮短1年,即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程。為了滿足客戶需求,臺積電已決定加快研發(fā)腳步,&
有鑒于晶圓代工的競爭日趨激烈,包括臺積電與英特爾紛紛打出先進(jìn)制程與FinFET技術(shù)來吸引客戶,特別是英特爾開始跨足晶圓代工市場,并為自己量身打造行動裝置專用的低功耗運(yùn)算處理器,造成其他手機(jī)晶片廠不小壓力,也
臺積電共同營運(yùn)長暨執(zhí)行副總蔣尚義近日表示,臺積電以前與英特爾“河水不犯井水”,但隨著英特爾開始搶臺積電的生意,臺積電將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù),希望在10納米領(lǐng)域全面追趕上英特爾。蔣尚義出席清華大
在晶圓的先進(jìn)制程技術(shù)上,英特爾一直是全球領(lǐng)先的佼佼者。臺積電身為全球晶圓代工的龍頭,早對此耿耿于懷,也不斷投資在先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)上。而近期臺積電在新制程的掌握也有了突破,從20奈米跨入16奈米制程微縮時
臺積電共同營運(yùn)長暨執(zhí)行副總蔣尚義昨(22)日表示,臺積電以前與英特爾「河水不犯井水」,但隨著英特爾開始搶臺積電的生意,臺積電將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù),希望在10納米領(lǐng)域全面追趕上英特爾。蔣尚義昨天出席清華大
臺積電共同營運(yùn)長暨執(zhí)行副總蔣尚義昨(22)日表示,臺積電以前與英特爾「河水不犯井水」,但隨著英特爾開始搶臺積電的生意,臺積電將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù),希望在10納米領(lǐng)域全面追趕上英特爾。 蔣尚義昨天出席清