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看好先進制程 巴克萊喊進臺積電
鰭式場效記憶體(FinFET)制程競爭日益升高，巴克萊資本最新報告預(yù)期，臺積電2015年上半年將推出16奈米FinFET制程產(chǎn)品，維持「加碼」評等，目標價維持128元。 巴克萊資本亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之在今天發(fā)表的報
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Xilinx與臺積公司合作采用16FinFET工藝
賽靈思“FinFast”計劃年內(nèi)測試芯片推出，首款產(chǎn)品明年面市賽靈思公司和臺積公司公司今天共同宣布聯(lián)手推動一項賽靈思稱之為“FinFast”的專項計劃，采用臺積公司先進的16納米FinFET (16FinFET)工
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Xilinx與臺積電攜手以16奈米FinFET制程打造FPGA
美商賽靈思(Xilinx)與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布聯(lián)手推動一項賽靈思稱之為「FinFast」的專案計劃，采用臺積電先進的 16奈米 FinFET (16FinFET)制程技術(shù)，打造號稱具備最快上市速度及最高效能優(yōu)勢的可編程邏輯
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和英特爾拼了！臺積電明年觸發(fā)16納米Finfet
晶圓代工龍頭臺積電近日宣布，16納米鰭式晶體管(Finfet)制程已獲可程序元件(FPGA)大廠賽靈思公司(Xilinx)導(dǎo)入，賽靈思與臺積電將投入所需資源，組成一支專屬團隊，合作的首款產(chǎn)品2014年問世。賽靈思與阿爾特拉(Alter
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拚英特爾 臺積16納米明年問世
晶圓代工龍頭臺積電昨（29）日宣布，16納米鰭式晶體管（Finfet）制程已獲可程序元件（FPGA）大廠賽靈思公司（Xilinx）導(dǎo)入，賽靈思與臺積電將投入所需資源，組成一支專屬團隊，合作的首款產(chǎn)品2014年問世。賽靈思與阿
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Xilinx和TSMC聯(lián)手采用16FinFET打造最高性能FPGA
21ic訊 賽靈思公司 (Xilinx, Inc. )和臺積公司日前共同宣布聯(lián)手推動一項賽靈思稱之為“FinFast”的專項計劃，采用臺積公司先進的16納米 FinFET (16FinFET) 工藝打造具備最快上市、最高性能優(yōu)勢的FPGA器件
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拚英特爾 臺積16納米明年問世
晶圓代工龍頭臺積電昨（29）日宣布，16納米鰭式晶體管（Finfet）制程已獲可程序元件（FPGA）大廠賽靈思公司（Xilinx）導(dǎo)入，賽靈思與臺積電將投入所需資源，組成一支專屬團隊，合作的首款產(chǎn)品2014年問世。 賽靈思
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臺積電與賽靈思合作
可程序邏輯閘陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）及晶圓代工龍頭臺積電（2330）昨（29）日宣布16納米鰭式場效晶體管（FinFET）技術(shù)合作計劃。采用臺積電先進16納米FinFET技術(shù)打造的賽靈思「FinFast」計劃測試芯片，預(yù)計
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Xilinx/臺積電合作16奈米FinFET制程
賽靈思(Xilinx)與臺積電共同宣布聯(lián)手推動一項賽靈思稱之為「FinFast」的專案計劃，采用臺積電先進的16奈米FinFET(16FinFET)制程技術(shù)打造具備最快上市速度及最高效能優(yōu)勢的可編程邏輯閘陣列(FPGA)元件，雙方投入所需資
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里昂喊買臺積電 先進技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標價上看140元
里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預(yù)估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴張，但2015年將會衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報率，給予
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里昂喊買臺積電 先進技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標價上看140元
里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預(yù)估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴張，但2015年將會衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報率，給予
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我國首開22nm IC關(guān)鍵技術(shù)研究 讓國產(chǎn)芯片“站”起來
中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的科研團隊艱苦攻關(guān)，成功開展22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)，在我國首先開展該技術(shù)攻關(guān)。“高配”團隊迎挑戰(zhàn)作為集成電路先導(dǎo)中心特聘的“千
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FinFET挑戰(zhàn)與解決之道──客制、數(shù)位與Signoff
FinFET 技術(shù)的導(dǎo)入將是電子業(yè)界的一大進展；FinFET部署超越了平面電晶體在20nm所展現(xiàn)的基本效能與功耗特性，進而具體實現(xiàn)了制程轉(zhuǎn)移的價值。FinFET讓業(yè)界回到了正軌，然而，嶄新元件類型、193nm波長微影、以生產(chǎn)制造
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全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)
5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預(yù)計2013年還將有14%的增長。臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的
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臺積 通過資本預(yù)算1,460億
晶圓龍頭臺積電昨（14）日董事會通過核準1,460億元的資本預(yù)算，將投入擴充先進制程產(chǎn)能，由于這次資本預(yù)算的金額，已占今年資本支出的一半以上，顯示臺積電今年資本支出，很有可能逼近百億美元上限。 臺積電表示，
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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
為爭搶先進制程商機大餅，包括臺積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動整體晶
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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
為爭搶先進制程商機大餅，包括臺積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動整體晶
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一家獨享之勢將變 全球半導(dǎo)體代工業(yè)孕育惡戰(zhàn)
英特爾、臺積電、格羅方德和三星，在代工業(yè)均不會甘落下風(fēng)。四強之間正孕育一場惡仗。影響成敗的因素既有FinFET工藝的研發(fā)進程，又包括成本和市場的作用。由此，全球代工競爭格局將更加復(fù)雜化。特約撰稿莫大康全球代
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爭搶先進制程商機 晶圓廠加大投資沖刺28nm/FinFET研發(fā)
為爭搶先進制程商機大餅，包括臺積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動整體晶
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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
為爭搶先進制程商機大餅，包括臺積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴充28奈米制程產(chǎn)能；與此同時，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動整體
