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三個將造成IGBT損壞的低級操作錯誤
熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內部主要是MOS結構。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感，在使用過程中稍有不當就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時，需要設計者注意哪些問題
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避免IGBT不良反應的隔離驅動7條經驗
IGBT技術大多應用在大功率電源場合，要在這些場合應用，首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應、過載一類的不良反應。因此在隔離驅動IGBT功率器件的設計上就需要相應的設計技巧
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大功率電源IGBT損壞的問題成因探討
隨著市場對大功率供電設備需求日益激增，IGBT不間斷電源開始發(fā)揮越來越重要的作用。IGBT設備性能的好壞直接影響大功率電源的供電效率。一般來說，較為成熟的IGBT設計出現損
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通過對耦合電流路徑改造提升IGBT可靠性
隨著大功率與特種電源逐漸在市場上盛行，IGBT技術也隨著時間的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上決定的了大功率電源的性能，因此人們總是想通過各種方法來提高IGBT的效
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東芝面向車載逆變器推出光電隔離型IGBT柵極預驅動IC
東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出“TB9150FNG”，這是一款具有各種增強型保護功能的光電隔離型IGBT[1]柵極預驅動IC，適用于電動和混合動力汽車的車載逆變器。樣品發(fā)貨即
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如何依靠輸出邏輯提升IGBT的可靠性
隨著現代電科技設備的日趨復雜，原有的電源已經無法再滿足人們的需要。大功率特種電源便應運而生，而其中較為重要的，就是IGBT技術。如果想要全面穩(wěn)妥的提高IGBT的可靠性，
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從連接器與電容入手提高IGBT可靠性
隨著不間斷電源等特殊電源的興起，IGBT在電子電路設計領域地位變得越來越重要，在之前的文章中小編為大家介紹有關IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度的問題，在本文中，小
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基于高速IGBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉換器
本文分析了一種基于高速IGBT的軟開關移相全橋帶同步整流的DC/DC轉換器。移相全橋拓撲的軟開關技術是混合動力汽車和電動汽車高壓-低壓DC/DC轉換器的主流關鍵技術。
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分享：IGBT的檢測方法
IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應管進行判別(1)用測電阻法判別結型場效應管的電極根據
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新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機
新能源汽車隨著相關技術的日趨成熟而越來越受歡迎，同時其清潔環(huán)保的特點已經越來越受到大眾的喜愛。只是受制于動力系統(電池等)的限制，新能源汽車的續(xù)航與動力艙的體積一
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如何通過器件選用與環(huán)境溫度提升IGBT性能
隨著不間斷電源的興起，IGBT技術開始走進人們的生活。而對于新手來說，對于IGBT的相關知識進行學習并不困難，困難的是理解這種技術在實際應用當中的一些問題。本文就將針對
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基于SPWM技術的逆變電路結構簡析
與常見的PWM技術相比，SPWM是一種更為成熟完善并且應用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機領域中應用的較多，本文就將為大家介紹在一種單片機SPWM逆變電路當中，關鍵器件
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅動入門
由于不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動進行輔助。當MOSFET作用在電路
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過流短路保護對逆變電源的重要性
由于逆變電源在電路中肩負著直流和交流之間的轉換，所以其安全性就顯得尤為重要。如果逆變電源出現短路的情況，那么就有可能出現燒毀的情況，想要有效避免短路情況的發(fā)生，
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IGBT驅動芯片額定輸出功率密度不足的分析
電源技術不斷進步，這就使得傳統的一些單一電源方案不再適合于對現如今的產品。最典型的例子就是隨著應急電源與不間斷電源的誕生，IGBT技術開始走俏起來。
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IGBT可靠性分析 輸出電壓沿速率與開關速率的關系
現如今科技飛速發(fā)展，傳統的電力轉化已經無法滿足電力設備的需要。新型變頻設備崛起的同時，大功率IGBT的應用也逐漸增多起來，IGBT的可靠性直接關系到變頻的效率與電力設備
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流程改進提高效率IGBT為電機驅動應用
當選擇的IGBT，設計者面臨著一些架構選擇，可以有利于IGBT的一種形式中，如對稱與不對稱阻塞，在另一個的。本文將回顧由不同的IGBT架構所提供的設計方案。該絕緣柵雙極晶體
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瑞薩推出650V/1250V耐圧IGBT新產品，性能提高30％
瑞薩電子近日發(fā)布了性能指數(FOM)較上代產品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新產品“G8H系列”，已開始供應樣品。FOM是開關損耗與集電極-發(fā)射極間飽和電壓(VCE(sat))的乘積，FOM越
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Diodes柵極驅動器可在半橋或全橋配置下開關功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包
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驅動電路頻率不足導致的IGBT失效分析
在IGBT的使用過程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當驅動電路工作頻率相對IGBT開關頻率不足時，導致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進
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