Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開(kāi)始銷售,預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤(pán)、記憶卡、固態(tài)硬盤(pán)等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣
北京時(shí)間2月22日下午消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示,由于iPhone已經(jīng)成為NAND閃存芯片的最大使用設(shè)備,因此該產(chǎn)品的銷量增長(zhǎng)以及容量增加將導(dǎo)致NAND閃存芯片在2010年的某一時(shí)期出現(xiàn)供貨緊張。iS
繼Intel、美光上個(gè)月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后,韓國(guó)兩大存儲(chǔ)廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計(jì)劃。海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片,這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25n
英特爾和美光科技預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品,預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開(kāi)始大批量生產(chǎn)。 作為目前應(yīng)用的最小的NAND閃存技術(shù),25納
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品,預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開(kāi)始大批量生產(chǎn)?! ∽鳛槟壳皯?yīng)用的最
業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國(guó)金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司以購(gòu)買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺(tái)灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途
據(jù)iSuppli公司,經(jīng)過(guò)2009年對(duì)膨脹的庫(kù)存大幅削減 ,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫(kù)存,以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫(kù)存天數(shù)(DOI)預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3,比2009年第四
據(jù)iSuppli公司,經(jīng)過(guò)2009年對(duì)膨脹的庫(kù)存大幅削減 ,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫(kù)存,以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫(kù)存天數(shù)(DOI)預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3,比2009年第四
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫(kù)存,以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利。 第一季度末庫(kù)存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68。3天,上季度為68。5天。去年第四季度,庫(kù)存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫(kù)存,以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利?! 〉谝患径饶?kù)存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68.3天,上季度為68.5天。去年第四季度,庫(kù)存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,韓國(guó)公平交易委員會(huì)周三表示,未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)的NAND閃存芯片制造商涉嫌價(jià)格操縱的證據(jù),因此針對(duì)NAND行業(yè)可能違反反壟斷法將近3年的調(diào)查宣告結(jié)束。 該委員會(huì)發(fā)布公告稱,所有涉及DRAM芯片、
據(jù)業(yè)者透露,韓國(guó)廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品,不過(guò)消息來(lái)源不愿意透露這家韓國(guó)廠商的具體名稱。據(jù)消息來(lái)源透露,這家韓國(guó)廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì),12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平,高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。其中,16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%,32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%,兩種芯片后半個(gè)月的平均
位于美國(guó)芯片制造商美光科技(MicronTechnology)周二公布,受惠于存儲(chǔ)處理器旺銷,公司第一財(cái)季扭虧為盈。 財(cái)報(bào)顯示,美光第一財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2。04億美元,合每股收益23美分。去年同期,美光虧損7。18億美元,合每股
任何技術(shù)的成功都應(yīng)該在距它首次應(yīng)用多年后才能衡量,而不是在剛走出開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室之時(shí)。許多技術(shù)先進(jìn)的產(chǎn)品失敗了,也有許多較簡(jiǎn)單的產(chǎn)品在許多年內(nèi)取得了巨大收入。對(duì)任何新興技術(shù)未來(lái)的預(yù)測(cè)都要求在新產(chǎn)品提供的較少
臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過(guò)轉(zhuǎn)變策略來(lái)應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有率下降帶來(lái)的挑戰(zhàn),但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P(pán)退出核心業(yè)務(wù)?! ∮捎谛酒袠I(yè)從2007年起陷入有史以來(lái)最嚴(yán)重的滑坡,南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤(pán),
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美國(guó)FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應(yīng)用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問(wèn)題,迄今一直