NAND閃存

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韓國(guó)政府稱未發(fā)現(xiàn)NAND閃存行業(yè)操縱價(jià)格證據(jù)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)公平交易委員會(huì)周三表示，未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)的NAND閃存芯片制造商涉嫌價(jià)格操縱的證據(jù)，因此針對(duì)NAND行業(yè)可能違反反壟斷法將近3年的調(diào)查宣告結(jié)束?！　≡撐瘑T會(huì)發(fā)布公告稱，所有涉及DRAM芯片、

智能硬件
2009-12-30

NAND閃存閃存芯片芯片市場(chǎng) 芯片制造商
傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題

據(jù)業(yè)者透露，韓國(guó)廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過消息來源不愿意透露這家韓國(guó)廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國(guó)廠商首批推出的三位元MLC NAND閃存芯

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-12-30

芯片 NAND NAND閃存閃存芯片
NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均

智能硬件
2009-12-29

DRAM GB NAND閃存閃存芯片
美光第一財(cái)季扭虧盈利2.04億美元

位于美國(guó)芯片制造商美光科技(MicronTechnology)周二公布，受惠于存儲(chǔ)處理器旺銷，公司第一財(cái)季扭虧為盈。財(cái)報(bào)顯示，美光第一財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2。04億美元，合每股收益23美分。去年同期，美光虧損7。18億美元，合每股

半導(dǎo)體
2009-12-25

美光 BSP APPLE NAND閃存
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)狂想曲

任何技術(shù)的成功都應(yīng)該在距它首次應(yīng)用多年后才能衡量，而不是在剛走出開發(fā)實(shí)驗(yàn)室之時(shí)。許多技術(shù)先進(jìn)的產(chǎn)品失敗了，也有許多較簡(jiǎn)單的產(chǎn)品在許多年內(nèi)取得了巨大收入。對(duì)任何新興技術(shù)未來的預(yù)測(cè)都要求在新產(chǎn)品提供的較少

智能硬件
2009-12-16

器件存儲(chǔ)器 UNITY NAND閃存
中國(guó)臺(tái)灣芯片公司改變策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑危機(jī)

臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)?！　∮捎谛酒袠I(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司

智能硬件
2009-12-10

芯片 DRAM芯片 NAND閃存閃存芯片
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可

智能硬件
2009-12-02

三星 DDR NAND閃存閃存芯片
NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，

智能硬件
2009-11-06

RAM 機(jī)械硬盤閃存技術(shù) NAND閃存
FormFactor將MEMS探針卡應(yīng)用于多值NAND閃存

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美國(guó)FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應(yīng)用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問題，迄今一直

模擬
2009-11-04

MEMS FOR FACTOR NAND閃存
英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！　∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存

智能硬件
2009-10-29

DRAM 英特爾內(nèi)存 NAND閃存
東芝將投產(chǎn)配備32nm工藝NAND閃存的SSD

東芝發(fā)布了配備基于32nm級(jí)半導(dǎo)體工藝多值（MLC）NAND閃存的SSD（固態(tài)硬盤）。存儲(chǔ)容量分別為30GB和62GB。與原來的2.5英寸 SSD相比，除了體積縮小至1/7左右、重量減少至1/8左右之外，耗電量也削減了約1/2。預(yù)定2009年

模擬
2009-09-29

東芝 SSD SATA NAND閃存
NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)，緣于廠商減產(chǎn)效應(yīng)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights最近發(fā)布的McClean Report年中更新數(shù)字指出，閃存產(chǎn)業(yè)將在接下來幾年由原本的買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)。 IC Insights表示，閃存的單位出貨量與位元需求都將有所成長(zhǎng)，不過閃存制造商卻在這幾

消費(fèi)電子
2009-09-14

IC BSP INSIGHT NAND閃存
受廠商減產(chǎn)效應(yīng)影響，NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights最近發(fā)布的McClean Report年中更新數(shù)字指出，閃存產(chǎn)業(yè)將在接下來幾年由原本的買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)。 IC Insights表示，閃存的單位出貨量與位元需求都將有所成長(zhǎng)，不過閃存制造商卻在這幾

消費(fèi)電子
2009-09-11

IC BSP INSIGHT NAND閃存
強(qiáng)勁的需求和疲弱的資本支出使閃存供應(yīng)商受益

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insights最近發(fā)表的McClean報(bào)告年中更新，閃存市場(chǎng)的供需平衡狀態(tài)正在發(fā)生明顯變化，將在未來幾年極大地有利于NAND閃存供應(yīng)商。單位出貨量和比特需求量繼續(xù)增加。但與此同時(shí)，閃存方面的資本支出嚴(yán)

智能硬件
2009-09-10

IC OEM INSIGHT NAND閃存

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NAND閃存

韓國(guó)政府稱未發(fā)現(xiàn)NAND閃存行業(yè)操縱價(jià)格證據(jù)

傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題

NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)

美光第一財(cái)季扭虧盈利2.04億美元

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)狂想曲

中國(guó)臺(tái)灣芯片公司改變策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑危機(jī)

三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

FormFactor將MEMS探針卡應(yīng)用于多值NAND閃存

英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

東芝將投產(chǎn)配備32nm工藝NAND閃存的SSD

NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)，緣于廠商減產(chǎn)效應(yīng)

受廠商減產(chǎn)效應(yīng)影響，NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)

強(qiáng)勁的需求和疲弱的資本支出使閃存供應(yīng)商受益

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