NAND閃存

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NAND閃存銷售Q1微增三星東芝主宰市場(chǎng)

據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計(jì)的第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場(chǎng)，僅給其它所有的公司留下了較少的市場(chǎng)份額。三星今年第一季度的市場(chǎng)份額是38.5%，緊隨其后的東

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2010-05-24

三星東芝 NAND閃存平板電腦
三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存

據(jù)外電報(bào)道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。三星

消費(fèi)電子
2010-04-22

三星電子 GB CONTROLLER NAND閃存
力晶半導(dǎo)體下半年量產(chǎn)40納米NAND閃存

力晶半導(dǎo)體（PowerchipSemiconductorCorporation，PSC）公司董事長(zhǎng)黃崇仁（FrankHuang）日前透露，該公司將于2010年下半年正式開始量產(chǎn)出貨40納米制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，同時(shí)他還指出力晶的閃存業(yè)務(wù)未來的工作重點(diǎn)

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2010-04-12

半導(dǎo)體 40納米 DRAM芯片 NAND閃存
09年全球前十大NAND供貨商排行榜出爐

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Web-FeetResearch公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(SamsungElectronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk；SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hyni

半導(dǎo)體
2010-04-12

NAND SANDISK 東芝 NAND閃存
東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-04-06

ASML GRAPH 東芝 NAND閃存
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)?！　?/p>
消費(fèi)電子
2010-04-04

英特爾美光閃存芯片 NAND閃存
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)。作為目前應(yīng)用

智能硬件
2010-04-04

英特爾美光閃存芯片 NAND閃存
美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND

在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國(guó)美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購(gòu)第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka

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2010-03-26

美光 NAND 5NM NAND閃存
SanDisk變身開始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓

　據(jù)報(bào)道，包括威剛、創(chuàng)見、PQI勁永等在內(nèi)的臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商以及閃存控制器廠商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開始從SanDisk公司購(gòu)買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設(shè)備制造商，搖身一變成了NAND晶圓

消費(fèi)電子
2010-03-25

晶圓 BSP SANDISK NAND閃存
SanDisk變身開始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓

　據(jù)報(bào)道，包括威剛、創(chuàng)見、PQI勁永等在內(nèi)的臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商以及閃存控制器廠商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開始從SanDisk公司購(gòu)買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設(shè)備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應(yīng)商。

智能硬件
2010-03-25

晶圓 BSP SANDISK NAND閃存
Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-23

Intel 美光 5NM NAND閃存
iSuppli：iPhone將導(dǎo)致NAND閃存供貨緊張

北京時(shí)間2月22日下午消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示，由于iPhone已經(jīng)成為NAND閃存芯片的最大使用設(shè)備，因此該產(chǎn)品的銷量增長(zhǎng)以及容量增加將導(dǎo)致NAND閃存芯片在2010年的某一時(shí)期出現(xiàn)供貨緊張。iS

通信技術(shù)
2010-02-22

iPhone 閃存芯片 ISUPPLI NAND閃存
三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級(jí)工藝

繼Intel、美光上個(gè)月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計(jì)劃。海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25n

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-02-11

閃存芯片海力士三星 NAND閃存
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

英特爾和美光科技預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)。作為目前應(yīng)用的最小的NAND閃存技術(shù)，25納

消費(fèi)電子
2010-02-03

英特爾美光閃存芯片 NAND閃存
英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)?！　∽鳛槟壳皯?yīng)用的最

智能硬件
2010-02-01

英特爾美光閃存芯片 NAND閃存
內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購(gòu)海力士

業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國(guó)金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司以購(gòu)買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺(tái)灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途

消費(fèi)電子
2010-01-20

內(nèi)存海力士金士頓 NAND閃存
警示：一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫(kù)存

據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過2009年對(duì)膨脹的庫(kù)存大幅削減，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫(kù)存，以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫(kù)存天數(shù)（DOI）預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3，比2009年第四

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2010-01-11

半導(dǎo)體供應(yīng)商 ISUPPLI CARLO NAND閃存
一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫(kù)存

據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過2009年對(duì)膨脹的庫(kù)存大幅削減，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫(kù)存，以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫(kù)存天數(shù)（DOI）預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3，比2009年第四

半導(dǎo)體
2010-01-07

半導(dǎo)體供應(yīng)商 BSP ISUPPLI NAND閃存
全球芯片庫(kù)存保持緊縮NAND閃存或短缺

據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫(kù)存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利。第一季度末庫(kù)存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68。3天，上季度為68。5天。去年第四季度，庫(kù)存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平

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2010-01-07

全球芯片 BORDER ISUPPLI NAND閃存
iSuppli：全球芯片庫(kù)存保持緊縮 NAND閃存或短缺

據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫(kù)存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利?！　〉谝患径饶?kù)存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫(kù)存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平

智能硬件
2010-01-07

全球芯片 ISUPPLI CARLO NAND閃存

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NAND閃存

NAND閃存銷售Q1微增三星東芝主宰市場(chǎng)

三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存

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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

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SanDisk變身開始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓

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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片

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警示：一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫(kù)存

一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫(kù)存

全球芯片庫(kù)存保持緊縮NAND閃存或短缺

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