NAND閃存

關(guān)注125人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

FormFactor將MEMS探針卡應(yīng)用于多值NAND閃存

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美國(guó)FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應(yīng)用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問(wèn)題，迄今一直

模擬
2009-11-04

FACTOR FOR MEMS NAND閃存
英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！　∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存

智能硬件
2009-10-29

DRAM 英特爾內(nèi)存 NAND閃存
東芝將投產(chǎn)配備32nm工藝NAND閃存的SSD

東芝發(fā)布了配備基于32nm級(jí)半導(dǎo)體工藝多值（MLC）NAND閃存的SSD（固態(tài)硬盤）。存儲(chǔ)容量分別為30GB和62GB。與原來(lái)的2.5英寸 SSD相比，除了體積縮小至1/7左右、重量減少至1/8左右之外，耗電量也削減了約1/2。預(yù)定2009年

模擬
2009-09-29

東芝 SSD SATA NAND閃存
NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)，緣于廠商減產(chǎn)效應(yīng)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights最近發(fā)布的McClean Report年中更新數(shù)字指出，閃存產(chǎn)業(yè)將在接下來(lái)幾年由原本的買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)。 IC Insights表示，閃存的單位出貨量與位元需求都將有所成長(zhǎng)，不過(guò)閃存制造商卻在這幾

消費(fèi)電子
2009-09-14

IC BSP INSIGHT NAND閃存
受廠商減產(chǎn)效應(yīng)影響，NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights最近發(fā)布的McClean Report年中更新數(shù)字指出，閃存產(chǎn)業(yè)將在接下來(lái)幾年由原本的買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)。 IC Insights表示，閃存的單位出貨量與位元需求都將有所成長(zhǎng)，不過(guò)閃存制造商卻在這幾

消費(fèi)電子
2009-09-11

IC BSP INSIGHT NAND閃存
強(qiáng)勁的需求和疲弱的資本支出使閃存供應(yīng)商受益

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insights最近發(fā)表的McClean報(bào)告年中更新，閃存市場(chǎng)的供需平衡狀態(tài)正在發(fā)生明顯變化，將在未來(lái)幾年極大地有利于NAND閃存供應(yīng)商。單位出貨量和比特需求量繼續(xù)增加。但與此同時(shí)，閃存方面的資本支出嚴(yán)

智能硬件
2009-09-10

IC OEM INSIGHT NAND閃存
分析師：NAND閃存價(jià)格將上漲

根據(jù)IC Insights近期發(fā)布的McClean Report年中更新版顯示，閃存市場(chǎng)將發(fā)生變化，在未來(lái)幾年將從買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)向賣方市場(chǎng)。閃存出貨量和位需求量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，但閃存產(chǎn)能的投資這兩年正在減小。IC Insights預(yù)計(jì)2009年閃

模擬
2009-08-31

IC INSIGHT REPORT NAND閃存
業(yè)界高層預(yù)言NAND閃存市場(chǎng)8大趨勢(shì)

在近日于美國(guó)舉行的快閃記憶體高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對(duì)NAND市場(chǎng)做出了大膽的預(yù)測(cè)。在專題演說(shuō)中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長(zhǎng)Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因?yàn)槭袌?chǎng)產(chǎn)

智能硬件
2009-08-25

閃存市場(chǎng) 晶圓 NAND NAND閃存
美司法部已結(jié)束對(duì)三星電子和東芝NAND閃存業(yè)務(wù)的調(diào)查

8月20日電，韓國(guó)三星電子和日本東芝表示，美國(guó)司法部針對(duì)快閃記憶體(閃存)業(yè)務(wù)的反壟斷調(diào)查已結(jié)束。三星電子的女發(fā)言人Lee Eun-hee對(duì)路透說(shuō)，“公司收到了來(lái)自美國(guó)司法部的信函,稱已結(jié)束了對(duì)NAND閃存業(yè)務(wù)的調(diào)查。

半導(dǎo)體
2009-08-22

東芝三星電子 BSP NAND閃存
20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來(lái)說(shuō)，到2011年～2012年，通過(guò)采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實(shí)現(xiàn)128Gb的容量。但是，如果要實(shí)現(xiàn)超過(guò)128Gb

智能硬件
2009-08-19

存儲(chǔ)單元 IC GB NAND閃存
SanDisk CEO：NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。積極地來(lái)看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬(wàn)petabyte（PB，

智能硬件
2009-08-14

模型 CE SANDISK NAND閃存
智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒 NAND閃存繁榮依舊

手機(jī)及其它移動(dòng)電子設(shè)備微型投影機(jī)發(fā)展驚人據(jù)iSuppli 公司，由于能夠克服移動(dòng)電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機(jī)等產(chǎn)品中的微型投影機(jī)的出貨量未來(lái)四年將增長(zhǎng)約60 倍。到2013 年，內(nèi)嵌式微型投影機(jī)的出貨量將

消費(fèi)電子
2009-08-13

智能手機(jī) 微型投影機(jī) NAND閃存

首頁(yè) 上一頁(yè) 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 下一頁(yè) 尾頁(yè)

caoqing
ddb_21ic
asd1006461468
wangshujun
瞎折騰
DESERT134
wx85105157
hebin.en
zhao2673
Kevion_lin
海中水
WRB9609
Blueshadow1002
sure5556382
li1874
grantwen
21ic小喇叭
zyj9490
fansi
askeyes

NAND閃存

FormFactor將MEMS探針卡應(yīng)用于多值NAND閃存

英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

東芝將投產(chǎn)配備32nm工藝NAND閃存的SSD

NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)，緣于廠商減產(chǎn)效應(yīng)

受廠商減產(chǎn)效應(yīng)影響，NAND閃存價(jià)格恐上揚(yáng)

強(qiáng)勁的需求和疲弱的資本支出使閃存供應(yīng)商受益

分析師：NAND閃存價(jià)格將上漲

業(yè)界高層預(yù)言NAND閃存市場(chǎng)8大趨勢(shì)

美司法部已結(jié)束對(duì)三星電子和東芝NAND閃存業(yè)務(wù)的調(diào)查

20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

SanDisk CEO：NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒 NAND閃存繁榮依舊

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(125人)

熱門活動(dòng)

課程視頻