NAND閃存

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

蘋果效應(yīng)不再 NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑

臺(tái)灣媒體報(bào)道，來自存儲(chǔ)芯片制造商的消息稱，盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價(jià)格在9月份上半月的下滑。蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動(dòng)NAN

智能硬件
2010-09-19

蘋果 NAND閃存閃存芯片 GB
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評(píng)級(jí) 今年料增長(zhǎng)16%

在9月9日出版的《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》為投資者及行業(yè)管理人員提供了及時(shí)的信息回顧。涉及項(xiàng)目包括有：庫(kù)存補(bǔ)充、企業(yè)升級(jí)周期、智能電話作為主要趨勢(shì)、移動(dòng)性長(zhǎng)期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：

半導(dǎo)體
2010-09-17

DRAM 電腦 NAND閃存
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評(píng)級(jí) 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%

9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》出版，涉及項(xiàng)目包括有：庫(kù)存補(bǔ)充、企業(yè)升級(jí)周期、智能電話作為主要趨勢(shì)、移動(dòng)性長(zhǎng)期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(tuán)(ARMH)、AT&;T公司(T)、Al

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-17

DRAM 電腦 NAND閃存
基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

嵌入式軟件
2010-09-13

內(nèi)核嵌入式系統(tǒng) YAFFS NAND閃存
基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

嵌入式教程
2010-09-13

內(nèi)核嵌入式系統(tǒng) YAFFS NAND閃存
Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)期至3000億

Gartner現(xiàn)在預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)到3000億美元，比去年增長(zhǎng)31.5%。它之前預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體營(yíng)收的增幅只有27.1%。包括手機(jī)和筆記本電腦在內(nèi)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)將推動(dòng)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-09

半導(dǎo)體 DRAM GARTNER NAND閃存
Elpida 和Spansion開始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存

Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲(chǔ)器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠進(jìn)行量產(chǎn)。按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAN

智能硬件
2010-09-07

PID SPANSION NAND閃存 GB
爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4GNAND閃存

爾必達(dá)內(nèi)存公司（ElpidaMemoryInc.）9月2日表示，該公司與Spansion公司（SpansionInc.）已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。這家

模擬
2010-09-03

爾必達(dá) 4G SPANSION NAND閃存
爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

爾必達(dá)內(nèi)存公司（Elpida Memory Inc.）9月2日表示，該公司與Spansion公司（Spansion Inc.）已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。這

智能硬件
2010-09-03

爾必達(dá) 4G SPANSION NAND閃存
東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存

東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲(chǔ)密度最高的2bpc(每單元兩個(gè)比特)MLCNAND閃存芯片，單顆

模擬
2010-09-01

東芝 NAND閃存閃存芯片 GB
海力士開始量產(chǎn)26納米技術(shù)NAND閃存

韓國(guó)海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。海力士稱它的芯片是26nm

消費(fèi)電子
2010-08-13

納米技術(shù) 海力士 NAND閃存 GB
26nm的NAND閃存開始量產(chǎn)

韓國(guó)海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。海力士稱它的芯片是26nm的

消費(fèi)電子
2010-08-12

海力士 4G NAND閃存 GB
三星電子與東芝開始400Mbit秒高速NAND閃存接口規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)

韓國(guó)三星電子（Samsung Electronics）與東芝宣布，開發(fā)出了面向NAND閃存的接口規(guī)格，并且已向JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（Solid State Technology Association）提出了標(biāo)準(zhǔn)化方案。兩公司的目標(biāo)是2011年初實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。接口規(guī)

智能硬件
2010-07-28

東芝三星電子接口 NAND閃存
NAND閃存芯片供不應(yīng)求價(jià)格將在三季度上漲

據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師RickPierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能

模擬
2010-07-06

PI RS NAND閃存閃存芯片
NAND閃存芯片供不應(yīng)求價(jià)格將在第三季上漲

7月4日消息,據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一

消費(fèi)電子
2010-07-06

PI RS NAND閃存閃存芯片
因供不應(yīng)求NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

7月4日消息,據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師RickPierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)

模擬
2010-07-05

PI RS NAND閃存閃存芯片
NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智

消費(fèi)電子
2010-07-05

PI RS NAND閃存閃存芯片
NAND閃存芯片供不應(yīng)求價(jià)格將在三季度上漲

7月4日消息,據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一

消費(fèi)電子
2010-07-05

PI RS NAND閃存閃存芯片
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

嵌入式軟件
2010-05-31

內(nèi)存映射存儲(chǔ)管理 NAND閃存
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2010-05-31

內(nèi)存映射存儲(chǔ)管理 NAND閃存

首頁上一頁 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 下一頁尾頁

NAND閃存

蘋果效應(yīng)不再 NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評(píng)級(jí) 今年料增長(zhǎng)16%

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評(píng)級(jí) 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)期至3000億

Elpida 和Spansion開始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存

爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4GNAND閃存

爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存

海力士開始量產(chǎn)26納米技術(shù)NAND閃存

26nm的NAND閃存開始量產(chǎn)

三星電子與東芝開始400Mbit秒高速NAND閃存接口規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)

NAND閃存芯片供不應(yīng)求價(jià)格將在三季度上漲

NAND閃存芯片供不應(yīng)求價(jià)格將在第三季上漲

因供不應(yīng)求NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

NAND閃存芯片供不應(yīng)求價(jià)格將在三季度上漲

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻